公开(公告)号：KR100853216B1

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020020035752

申请日：2002-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성철 ,  조홍제

IPC: C09K13/00

CPC classification number: C23F1/30 ,  C09K13/06 ,  C23F1/02 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L27/13

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서는, 우선 절연 기판 위에 게이트선, 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 이어, 게이트 절연막 및 반도체층을 차례로 형성하고, 게이트선과 교차하는 데이터선, 데이터선과 연결되어 있으며 게이트 전극에 인접하는 소스 전극, 게이트 전극에 대하여 소스 전극의 맞은 편에 위치하는 드레인 전극 및 데이터선과 연결되어 있는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 보호막을 적층하고 보호막을 패터닝하여 적어도 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍을 형성하고, 보호막의 상부에 은 또는 은 합금을 이루어진 도전막을 적층하고, 페릭 나이트레이트, 질산, 초산, 헥사 에틸렌글리콜 테트라민 및 초순수를 포함하는 식각액을 이용하여 도전막을 패터닝하여 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극과 연결되는 반사막을 형성한다.
식각액, 은, 은합금, 페릭 나이트레이트, 헥사 에틸렌글리콜 테트라민

公开(公告)号：KR1020040000803A

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：KR1020020035754

申请日：2002-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박애나 ,  강성철 ,  박홍식 ,  조홍제 ,  박봉옥

IPC: H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal pattern, a TFT(Thin Film Transistor) using the method, and a method for fabricating the TFT are provided to form easily a metal pattern by coating, exposing, and developing an organic metal complex including a metal material to form a metal pattern. CONSTITUTION: An organic metal layer(201) is formed on an upper surface of a substrate by coating an organic metal complex including metal material on the substrate. An exposure process for the organic metal layer is performed by using a photo mask. A metal pattern is formed by developing the organic metal layer. A heat treatment process for the metal pattern is performed. The metal material is formed with one of silver, copper, tungsten, and aluminum. The heat treatment process is performed under the temperature of 150 or more degrees centigrade during 2 to 20 minutes within a vacuum chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成金属图案的方法，使用该方法的TFT（薄膜晶体管）和用于制造TFT的方法，通过涂覆，曝光和显影包含金属的有机金属络合物容易地形成金属图案 材料形成金属图案。 构成：通过在基板上涂布包含金属材料的有机金属络合物，在基板的上表面上形成有机金属层（201）。 通过使用光掩模进行有机金属层的曝光处理。 通过显影有机金属层形成金属图案。 进行金属图案的热处理工序。 金属材料由银，铜，钨和铝中的一种形成。 热处理过程在真空室内在2到20分钟内在150摄氏度或更高的温度下进行。

公开(公告)号：KR1020030070760A

公开(公告)日：2003-09-02

申请号：KR1020020010284

申请日：2002-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성철 ,  조홍제 ,  박봉옥 ,  박애나

IPC: G02F1/13

Abstract: PURPOSE: An indium zinc oxide etchant composition and a method for fabricating a thin film transistor substrate of a liquid crystal display are provided to easily etch an IZO transparent electrode without affecting Mo compound. CONSTITUTION: An IZO etchant is composed of hydrochloric acid of 1-10 weight%, nitric acid of 1-20 weight%, an inhibitor of 1-500 ppm and water of 70-98 weight%. A gate pattern including a gate line(22), a gate pad(24) and a gate electrode is formed on a substrate(10). A gate insulating layer(30) is formed on the substrate. A semiconductor layer pattern and a resistant contact layer pattern is formed. A data line including a data line(62), a data pad, source and drain electrodes are formed on the substrate. A passivation layer(70) is formed on the overall surface of the substrate. The passivation layer is patterned to form contact holes that respectively expose the gate pad, data pad and drain electrode. A transparent conductive film is formed on the substrate and etched using the etchant, to form an auxiliary gate pad(86), an auxiliary data pad(88) and a pixel electrode(82) respectively connected to the gate pad, data pad and drain electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种铟锌氧化物蚀刻剂组合物和用于制造液晶显示器的薄膜晶体管基板的方法，以容易地蚀刻IZO透明电极而不影响Mo化合物。 构成：IZO蚀刻剂由1-10重量％的盐酸，1-20重量％的硝酸，1-500ppm的抑制剂和70-98重量％的水组成。 在衬底（10）上形成包括栅极线（22），栅极焊盘（24）和栅电极的栅极图案。 在基板上形成栅极绝缘层（30）。 形成半导体层图案和耐电接触层图案。 在基板上形成包括数据线（62），数据焊盘，源极和漏极的数据线。 在基板的整个表面上形成钝化层（70）。 图案化钝化层以形成分别暴露栅极焊盘，数据焊盘和漏电极的接触孔。 在衬底上形成透明导电膜并使用蚀刻剂进行蚀刻，形成分别连接到栅极焊盘，数据焊盘和漏极的辅助栅极焊盘（86），辅助数据焊盘（88）和像素电极（82） 电极。

公开(公告)号：KR1020030023204A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：KR1020010056236

申请日：2001-09-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성철 ,  조홍제 ,  박애나

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425 ,  C09D9/005 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/091 ,  G03F7/422

Abstract: PURPOSE: A stripper composition for photoresist, a method for preparing a semiconductor device using the composition and a semiconductor device prepared by the method are provided, to reduce the stripping time, to generate no impurity particles, and to enable the hard baking and ashing processes to be omitted. CONSTITUTION: The stripper composition comprises 20-60 wt% of monoethanolamine; 15-50 wt% of N,N-dimethylacetamide; 15-50 wt% of carbitol; and 0.1-10 wt% of gallic acid. The method comprises the step of stripping the photoresist of a semiconductor device with the stripper composition. Preferably the semiconductor device contains a Ag reflection layer, and the semiconductor device is exposed to the light of ArF, KrF, DUV, E-beam or X-ray.

Abstract translation: 目的：提供一种用于光致抗蚀剂的剥离剂组合物，使用该组合物制备半导体器件的方法和通过该方法制备的半导体器件，以减少剥离时间，不产生杂质颗粒，并且能够进行硬烘烤和灰化过程 被省略 构成：汽提组合物包含20-60重量％的单乙醇胺; 15-50重量％的N，N-二甲基乙酰胺; 15-50重量％的卡必醇; 和0.1-10重量％的没食子酸。 该方法包括用剥离剂组合物剥离半导体器件的光致抗蚀剂的步骤。 优选地，半导体器件包含Ag反射层，并且半导体器件暴露于ArF，KrF，DUV，电子束或X射线的光。

公开(公告)号：KR101171175B1

公开(公告)日：2012-08-06

申请号：KR1020040088809

申请日：2004-11-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성호 ,  조홍제

IPC: C09K13/06

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 절연 기판 위에 게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 게이트 절연막 및 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계, 상기 게이트 절연막 및 반도체층 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 소정 간격으로 마주하고 있는 드레인 전극을 형성하는 단계, 및 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트선을 형성하는 단계, 상기 데이터선과 상기 드레인 전극을 형성하는 단계 및 상기 화소 전극을 형성하는 단계 중 적어도 하나는 65 내지 75중량%의 인산, 0.5 내지 15중량%의 질산, 2 내지 15중량%의 아세트산, 0.1 내지 8.0%의 칼륨 화합물 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 이용하여 사진 식각하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법을 제공한다.
식각액, 칼륨 화합물, 염기성 질소 화합물, 언더컷, 프로파일

公开(公告)号：KR100913306B1

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：KR1020030010166

申请日：2003-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조홍제 ,  강성철 ,  박애나

IPC: G02F1/136

Abstract: 식각 특성이 우수한 Mo 박막 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조방법이 개시되어 있다. 먼저, 80∼150℃의 온도 범위에서, 12,000∼16,000 Watts 범위의 파워를 인가하고, 증착 속도는 100∼120 Å/초 범위로 Mo를 증착하여 Mo 박막을 형성하도록 한다. 다음에, 형성되는 Mo 박막을 식각하여 Mo 박막 패턴을 형성하도록 한다. 형성되는 Mo 박막 패턴은 잔사나 얼룩이 없고 이중막의 막간 단차도 생성되지 않을 뿐만 아니라 깨끗한 패턴으로 제조된다. 따라서, 이러한 증착 조건에 따라 증착되고 식각된 Mo 박막 패턴을 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조시에 적용하면 결함이 감소되고 품질이 향상된 기판을 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR100767379B1

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：KR1020010078397

申请日：2001-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조홍제 ,  강성철 ,  박애나 ,  박홍식

IPC: H01L29/786

Abstract: 먼저, 기판의 상부에 알루미늄 합금의 도전막을 차례로 적층하고 패터닝하여 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 가로 방향의 게이트 배선을 형성한다. 다음, 게이트 절연막을 형성하고, 그 상부에 반도체층 및 저항 접촉층을 차례로 형성한다. 이어, 크롬의 하부막과 알루미늄 합금의 상부막으로 이루어질 도전층을 적층하고 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이때, 크롬의 하부막은 8-12%의 Ce(NH
4 )
2 (NO
3 )
6 과 4-12%의 질산(NH
3 )과 나머지 초순수로 이루어진 식각액을 이용하여 습식 식각으로 패터닝하며, 식각액에서 질산이 4-8%인 경우에는 4-8%의 질산과 초순수로 이루어진 세정액을 이용하여 습식 세정을 실시할 수 있다. 이어, 데이터 배선으로 가리지 않는 저항성 접촉층을 제거하여 반도체층의 채널부를 드러낸다. 이어, 보호막을 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드를 드러내는 접촉 구멍을 형성한 다음, IZO를 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드와 각각 연결되는 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성한다.
알루미늄, IZO, 식각액, 크롬, 식각시간

公开(公告)号：KR1020060122119A

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：KR1020050044112

申请日：2005-05-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민경선 ,  조홍제

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: A method for manufacturing a wiring for a display device and a method for manufacturing a thin film transistor substrate are provided to enhance the adhesion degree of an upper layer and prevent the lifting of the wiring, by forming the wiring to have a gentle lateral surface. A metal layer is formed on a substrate(110). The metal layer has a multi-layer structure of a first metal layer(129p) and a second metal layer(129q). A photoresist film(40) is formed on the metal layer. The metal layer is etched by using the photoresist film as a mask, thereby forming a metal wiring(129). In the photoresist film, a surface slope with respect to the metal layer gets larger from an end to a predetermined location.

Abstract translation: 本发明提供一种显示装置用布线的制造方法及薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，通过将布线形成为具有缓和的侧面的方式，提高上层的附着度，防止布线的提升。 金属层形成在基板（110）上。 该金属层具有第一金属层（129p）和第二金属层（129q）的多层结构。 在金属层上形成光致抗蚀剂膜（40）。 通过使用光致抗蚀剂膜作为掩模来蚀刻金属层，由此形成金属布线（129）。 在光致抗蚀剂膜中，相对于金属层的表面斜率从一端到预定位置变大。

公开(公告)号：KR1020060029413A

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：KR1020040078339

申请日：2004-10-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재경 ,  송인호 ,  조홍제

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124

Abstract: 데이터 배선의 상부와 투명 도전 물질의 접촉 특성 및 데이터 배선의 하부와 드레인 또는 소스의 접촉 특성을 향상시킬 수 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법이 제공된다. 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은 게이트 배선을 형성하는 단계, 게이트 절연막을 형성하는 단계, 반도체층 및 저항성 접촉층을 형성하는 단계, 몰리브덴 합금막의 제 1 데이터 배선용 도전막 및 알루미늄막 또는 제 1 알루미늄 합금막의 제 2 데이터 배선용 도전막을 차례로 형성하고, 제 2 데이터 배선용 도전막 상에 전이 금속을 증착하여 제 2 데이터 배선용 도전막의 표면에 제 2 알루미늄 합금막이 형성되는 제 3 데이터 배선용 도전막을 형성하는 단계, 데이터 패드, 데이터 라인, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 보호막을 형성하는 단계 및 보조 데이터 패드 및 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
액정 표시 장치, 언더컷(undercut), 접촉 저항

公开(公告)号：KR1020030018216A

公开(公告)日：2003-03-06

申请号：KR1020010051819

申请日：2001-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박애나 ,  강성철 ,  조홍제

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425 ,  C09D9/005 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/091 ,  G03F7/422

Abstract: PURPOSE: A stripper composition for photo resist is provided, to improve the photo resist dissolving power and the strippability, and to simplify the gate wiring process of a LCD circuit or a semiconductor IC by allowing the hard bake process and the ashing process in the gate process line to be omitted and reducing the etching time of Cr (the second conductive layer). CONSTITUTION: The stripper composition comprises an alkanol amine; an organic solvent; 0.01-0.1 wt% of a fluorine-based nonionic surfactant; and 2-30 wt% of water. Preferably the fluorine-based nonionic surfactant is represented by the formula F(CF2CF2)nCH2CH2O(CH2CH2O)xH, wherein n is an integer of 1-9 and x is an integer of 0-25. Preferably the stripper composition comprises 20-30 wt% of monoethanol amine; 50-66 wt% of N-methylpyrrolidone; 0.01-0.1 wt% of the fluorine-based nonionic surfactant; and 4-30 wt% of water.

Abstract translation: 目的：提供用于光刻胶的剥离剂组合物，以提高光致抗蚀剂溶解力和剥离性，并且通过允许硬烘烤处理和在浇口中的灰化过程来简化LCD电路或半导体IC的栅极布线处理 处理线被省略并且减少Cr（第二导电层）的蚀刻时间。 构成：汽提组合物包含链烷醇胺; 有机溶剂; 0.01-0.1重量％的氟系非离子表面活性剂; 和2-30重量％的水。 优选地，氟基非离子表面活性剂由式F（CF 2 CF 2）n CH 2 CH 2 O（CH 2 CH 2 O）x H表示，其中n是1-9的整数，x是0-25的整数。 优选地，汽提组合物包含20-30重量％的单乙醇胺; 50-66重量％的N-甲基吡咯烷酮; 0.01-0.1重量％的氟系非离子表面活性剂; 和4-30重量％的水。