公开(公告)号：KR1019930010992A

公开(公告)日：1993-06-23

申请号：KR1019910020914

申请日：1991-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민경열

IPC: G11C11/407

Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치의 분리트랜지스터의 제어전압 발생장치에 관한 것으로, 종래기술에서는 상기 제어전압이 Vpp레벨로 프리차아지되어 칩의 액티브 동작시에 상기 Vpp레벨에서 풀스윙 동작을 하게 됨에 따라 전류소비의 문제뿐만 아니라 데이타의 센싱동작이 지연되었으나, 본 발명에서는 상기 제어전압이 프리차아지 상태에서는 Vcc레벨로 인가되고 액티브 상태에서는 Vpp레벨 및 Vss레벨(=Ov)로 인가되어 전류소비의 감소와 데이타의 센서동작을 고속으로 수행할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019920017101A

公开(公告)日：1992-09-26

申请号：KR1019910001964

申请日：1991-02-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민동선 ,  민경열 ,  전동수 ,  석용식

IPC: G11C11/40

Abstract: 내용 없음