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    다이나믹 랜덤 억세스 메모리에 캐시 기능이 탑재된 반도체 메모리 장치
    1.
    发明公开
    다이나믹 랜덤 억세스 메모리에 캐시 기능이 탑재된 반도체 메모리 장치 审中-实审
    在DRAM中具有缓存功能的半导体存储器件

    公开(公告)号：KR1020140070301A

    公开(公告)日：2014-06-10

    申请号：KR1020130018070

    申请日：2013-02-20

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박철성 ,  전동수 ,  최주선

    IPC: G11C11/4063 ,  G06F13/14

    Abstract: A semiconductor memory device with a cache function in a dynamic random access memory is disclosed. The semiconductor memory device comprises: a dynamic random access memory including a memory cell array composed of dynamic random access memory cells; a cache memory formed at the same chip as the dynamic random access memory and configured to communicate with a processor or an external device independently from the dynamic random access memory; and a management controller connected to the dynamic random access memory and the cache memory in the same chip and configured to control a dynamic random access function and a cache function. The cache memory is composed of dynamic random access memory cells each having line loading smaller than dynamic random access memory cells or the same as bit line sense amplifiers.

    Abstract translation: 公开了一种在动态随机存取存储器中具有缓存功能的半导体存储器件。 半导体存储器件包括：动态随机存取存储器，包括由动态随机存取存储器单元组成的存储单元阵列; 形成在与所述动态随机存取存储器相同的芯片上的高速缓存存储器，并被配置为独立于所述动态随机存取存储器与处理器或外部设备进行通信; 以及管理控制器，其连接到同一芯片中的动态随机存取存储器和高速缓冲存储器，并被配置为控制动态随机存取功能和高速缓存功能。 高速缓冲存储器由具有小于动态随机存取存储器单元的行负载或与位线读出放大器相同的线性负载的动态随机存取存储器单元组成。

    드로틀 밸브 개폐 장치
    2.
    发明公开
    드로틀 밸브 개폐 장치 无效
    打开和关闭节流阀的装置

    公开(公告)号：KR1020030025680A

    公开(公告)日：2003-03-29

    申请号：KR1020010058844

    申请日：2001-09-22

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 전동수 ,  김명수 ,  김용삼 ,  하재규

    IPC: F02D9/10

    CPC classification number: F02D9/1065 ,  F02D9/1005

    Abstract: PURPOSE: A throttle valve opening and closing apparatus is provided to prevent a rotating shaft from being slid on a clamp by inserting an angular member of the rotating shaft into an angular hole of the clamp. CONSTITUTION: A throttle valve opening/closing apparatus includes a pair of gears(104a,104b) and a step motor(106) for supplying rotational force to the gears(104a,104b). Two rotating shafts(102a,102b), which is connected to two throttles(100a,100b), are connected to each other by means of the gears(104a,104b). A first throttle(100a) is connected to a first rotating shaft(102a) and a second throttle(100b) is connected to the second rotating shaft(102b). The step motor(106) is connected to one side of the first rotating shaft(102a). A driven pulley is connected to one side of the first rotating shaft(102a) and a driving pulley is connected to the rotating shaft of the step motor(106).

    Abstract translation: 目的：提供一种节流阀打开和关闭装置，以通过将旋转轴的角部件插入夹具的角孔来防止旋转轴在夹具上滑动。 构成：节气门开闭装置包括一对齿轮（104a，104b）和用于向齿轮（104a，104b）提供旋转力的步进马达（106）。 连接到两个节流器（100a，100b）的两个旋转轴（102a，102b）通过齿轮（104a，104b）相互连接。 第一节气门（100a）连接到第一旋转轴（102a），第二节流阀（100b）连接到第二旋转轴（102b）。 步进马达（106）连接到第一旋转轴（102a）的一侧。 从动皮带轮连接到第一旋转轴（102a）的一侧，并且驱动滑轮连接到步进电动机（106）的旋转轴。

    반도체 메모리 장치의 셀프 리프레시 방법 및 그 회로
    5.
    发明公开
    반도체 메모리 장치의 셀프 리프레시 방법 및 그 회로 失效

    公开(公告)号：KR1019950020707A

    公开(公告)日：1995-07-24

    申请号：KR1019930028377

    申请日：1993-12-18

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 유제환 ,  전동수

    IPC: G11C11/40

    Abstract: 본 발명은 반도체 메모리장치의 셀프리프레시에 관한 것으로, 셀프리프레시모드로 진입할 때에, 버어스트 리프레시모드를 먼저 수행하고 셀프리프레시모드를 수행하거나, 또는 셀프리프레시모드 진입시 곧바로 셀프리프레시모드를 수행한 후 렐프리프레시모드의 종료시에 버어스트 리프레시모드를 수행한 후 노말액세스모드로 전환하거나, 또는 셀프리프레시모드의 전 및 후에 버어스트 리프레시모드를 수행하는 방법 및 그 회로를 제공하며, 그에 따라 리프레시 규정시간을 단축할 수 있고, 메모리셀의 안정된 리프레시가 보장되는 메모리장치가 제공된다.

    데이타 출력버퍼
    7.
    发明授权
    데이타 출력버퍼 失效
    数据输出缓冲器

    公开(公告)号：KR1019950000533B1

    公开(公告)日：1995-01-24

    申请号：KR1019920022632

    申请日：1992-11-27

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 황홍선 ,  배명호 ,  전동수

    IPC: G06F1/00

    Abstract: The data output buffer for memory device improves the reliability of operation by reducing the voltage of gate of the transistor for forming the output buffer driving terminal. The buffer comprises an output driving block composed of both pull-up transistors connected between external power and output node and pull-down transistors connected between ground and output node; an output driving block controller being active by the data output enable signal and turning on complementarily pull-up/pull-down transistors of output driving block with the internal output of memory element; an internal voltage generator, generating internal voltage of a constant size, and supplying it as the operation voltage of output driving block controller.

    Abstract translation: 用于存储器件的数据输出缓冲器通过降低用于形成输出缓冲器驱动端子的晶体管的栅极的电压来提高操作的可靠性。 缓冲器包括由连接在外部电源和输出节点之间的两个上拉晶体管和连接在地和输出节点之间的下拉晶体管组成的输出驱动块; 输出驱动块控制器由数据输出使能信号激活，并且利用存储元件的内部输出导通输出驱动块的互补上拉/下拉晶体管; 内部电压发生器，产生恒定尺寸的内部电压，并将其提供为输出驱动块控制器的操作电压。

    반도체 메모리 장치의 워드라인 구동회로
    9.
    发明公开
    반도체 메모리 장치의 워드라인 구동회로 失效

    公开(公告)号：KR1019940010101A

    公开(公告)日：1994-05-24

    申请号：KR1019930015514

    申请日：1993-08-11

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 전동수 ,  오승철 ,  김문곤 ,  이성근

    IPC: G11C11/407

    Abstract: 본 발명은 반도체메모리장치에서 특히 행 어드레스를 디코오딩하여 메모리 쎌에 연결된 워드라인을 구동하는 워드라인 구동회로에 관해 개시하고 있다. 본 발명에 의한 워드라인 구동회로는, 입력단을 소정의 디코오딩된 어드레스들만에 의해서 구동하고, 워드라인 부우스팅신호를 직접 워드라인에 공급하지 않고 출력단에 래치회로를 구성한다. 또한 본 발명에 의한 워드라인 구동회로는, 디코오딩된 로우어드레스들을 입력하는 디코오딩부의 출력단을 프리차아지하는 프리차아지부가, 디코오딩된 로우어드레스들에 의해 동작하는 제어트랜지스터들의 출력에 응답하여 디코오딩부의 출력단을 프리차아지한다. 이러한 구성으로부터 본 발명에 의한 워드라인 구동회로는, 설계 및 레이아웃이 간단하여 반도체메모리장치의 고집적화 효율을 향상시키고 입력신호의 인에이블 순서가 간단하여 고집적화에 용이하며 입력신호의 인에이블 시점이 고속으로 이루어져 그에 따른 고속의 출력동작이 이루어져 신뢰성 및 그 성능을 향상시킨다. 또한 저전원전압하에서도 고속의 출력동작을 가지게 하고, 출력단으로서의 래치회로의 접지전압단에 Quiet Vss를 사용하여 노이즈문제를 해결하여 64Mb, 256Mb등과 같이 초고집적 반도체 메모리 장치에 적합한 장점이 있다.

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