公开(公告)号：KR100578140B1

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：KR1020040080081

申请日：2004-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박동운

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70775 ,  G01B9/02021 ,  G01B9/02027 ,  G01B9/02061 ,  G01B2290/45

Abstract: 변위 측정을 위한 간섭계 시스템 및 이를 이용한 노광 장치를 제공한다. 이 간섭계는 광선을 발생시키는 광원, 광선을 기준 광선과 측정 광선으로 나누는 광분배기, 기준 광선의 진행 방향을 변경하기 위한 기준 거울, 측정 광선의 진행 방향을 변경하기 위한 변위 변환기 및 방향 변경된 기준 광선과 측정 광선을 측정하기 위한 검출기를 구비한다. 변위 변환기는 측정 광선의 진행 방향에 수직한 변위를 측정 광선의 경로 차이로 변환시키기 위해 투과형 격자 또는 반사형 격자를 이용한다.

公开(公告)号：KR101828492B1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：KR1020100099843

申请日：2010-10-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박동운 ,  이현종 ,  최시영 ,  배용국

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  G03F1/70 ,  G06F17/5081 ,  Y10S438/947

Abstract: 본발명의패턴형성방법은복수개의타겟패턴을정의하는단계와, 복수개의타겟패턴과접촉하며타겟패턴사이의영역과대응되는복수개의피치위반패턴을정의하는단계를포함하되, 복수개의피치위반패턴은타겟패턴과별개로복수개의타겟패턴사이에서인접한타켓패턴과전체적으로접촉하고, 복수개의피치위반패턴은서로분리되도록형성하는단계를포함한다. 본발명의패턴형성방법은복수개의피치위반패턴을제 1 영역및 제 1 영역과인접하는제 2 영역으로구분시킨후, 제 1 영역및 상기제 2 영역중에서하나를선택함으로써정의된초기패턴을형성하는단계와, 초기패턴을둘러싸는측벽을형성하는단계를포함하되, 측벽은타겟패턴과중첩되는제1 부분과타겟패턴과중첩되지않는제2 부분을포함하는단계와, 측벽의타겟패턴과중첩되지않는제2 부분에해당하는트리밍패턴을형성하는단계를포함한다.

Abstract translation: 但是构成本发明的方法，所述图案包括与限定多个目标图案的步骤;以及多个目标图案的接触限定了多个间距违规模式和对应于所述目标图案之间的区域中，多个间距违规模式的步骤 包括形成目标图案，以便相邻的多个所述目标图案的和一个整体，和多个间距违规模式之间的接触被彼此分开地从目标图案分离。 本发明的图案形成方法形成由随后由多个变桨违规模式，并且所述第一区域和所述第一区域相邻的第二区域分开定义的初始图案中，选择所述第一区域中的一个和所述第二区域 但步骤和，包围初始图案，其包括：形成侧壁，该侧壁的步骤，和一个目标图案和侧壁和不与所述第一部分和所述目标图案重叠的第二部分重叠的重叠与目标图案 并且形成对应于未形成的第二部分的修剪图案。

公开(公告)号：KR1020160015094A

公开(公告)日：2016-02-12

申请号：KR1020140097588

申请日：2014-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종수 ,  박동운 ,  박태회 ,  배용국 ,  오태환 ,  이창훈 ,  함부현

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/76816 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0207

Abstract: 기판상에하부층간절연층을형성하고, 상기하부층간절연층내에미러패턴을형성하고, 상기하부층간절연층및 상기미러패턴상에상부층간절연층을형성하고, 상기상부층간절연층상에상기미러패턴과수직으로정렬, 중첩하는어미자 패턴을형성하고, 상기어미자패턴상에희생층을형성하고, 및상기희생층상에아들자 패턴을형성하는것을포함하는오버레이마크를형성하는방법이설명된다.

Abstract translation: 形成覆盖标记的方法包括以下步骤：在基板上形成下层间绝缘层; 在下层间绝缘层中形成反射镜图案; 在下层间绝缘层和反射镜图案上形成上层间绝缘层; 形成与上层间绝缘层上的反射镜图案垂直对准并重叠的主刻度图案; 在主刻度图形上形成牺牲层; 并在牺牲层上形成游标刻度图案。

公开(公告)号：KR101317844B1

公开(公告)日：2013-10-11

申请号：KR1020070068167

申请日：2007-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박동운

IPC: H01L21/027 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 본 발명은 반도체 제조 방법 및 이를 이용한 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마스크 패턴의 보조 피쳐를 효율적으로 배치하는 방법 및 이를 이용한 장치에 관한 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 마스크 패턴의 배치방법은 메인 피쳐(main feature) 상의 이미지 강도(image intensity)에 대한 보조 피쳐(assist feature)의 기여도를 구성하는 함수 h(ξ-x)의 분포를 구하는 단계; 상기 메인 피쳐를 구성하는 임의의 소정영역의 주변을 유한한 영역으로 분할하고 상기 함수 h(ξ-x)의 분포를 상기 분할된 영역의 대표값 으로 각각 대치하여 이산화하는 단계; 상기 의 값이 동일한 영역으로 구성된 다각형 영역들을 이용하여 상기 보조 피쳐의 위치를 결정하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 의한 마스크 패턴의 배치방법 및 이를 이용한 장치에 따르면, 메인 피쳐의 형상 및 배치에 대해 적절한 보조 피쳐의 배치를 신속하게 결정할 수 있다.
메인 피쳐, 보조 피쳐, 마스크, 기여도, 이산화

公开(公告)号：KR1020080054154A

公开(公告)日：2008-06-17

申请号：KR1020060126378

申请日：2006-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박동운

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/36 ,  G03F1/144

Abstract: A method of disposing mask patterns and an apparatus using the same are provided to improve the yield of a semiconductor device stably by determining disposition of assist features for improving DOF performance suitably and rapidly. At the first focus location, a first contribution function, which configures a contribution degree of an assist feature about image intensity on a main feature, is obtained(S10). At the second focus location, a second contribution function, which configures the assist feature about the image intensity on the main feature, is obtained(S20). A location of the assist feature is determined in the condition that a linear combination of the second assist function is greater than the predetermined critical value(S40).

Abstract translation: 提供一种设置掩模图案的方法和使用其的设备，以通过确定适当和快速地改善DOF性能的辅助特征的配置来稳定地提高半导体器件的产量。 在第一焦点位置处，获得第一贡献函数，其构成关于主要特征上的图像强度的辅助特征的贡献度（S10）。 在第二焦点位置处，获得配置关于主要特征上的图像强度的辅助特征的第二贡献函数（S20）。 在第二辅助功能的线性组合大于预定临界值的条件下确定辅助特征的位置（S40）。

公开(公告)号：KR100604944B1

公开(公告)日：2006-07-31

申请号：KR1020050057651

申请日：2005-06-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박동운 ,  우상균

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR1020060031175A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：KR1020040080081

申请日：2004-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박동운

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70775 ,  G01B9/02021 ,  G01B9/02027 ,  G01B9/02061 ,  G01B2290/45 ,  H01L21/67259 ,  H01L22/12

Abstract: 변위 측정을 위한 간섭계 시스템 및 이를 이용한 노광 장치를 제공한다. 이 간섭계는 광선을 발생시키는 광원, 광선을 기준 광선과 측정 광선으로 나누는 광분배기, 기준 광선의 진행 방향을 변경하기 위한 기준 거울, 측정 광선의 진행 방향을 변경하기 위한 변위 변환기 및 방향 변경된 기준 광선과 측정 광선을 측정하기 위한 검출기를 구비한다. 변위 변환기는 측정 광선의 진행 방향에 수직한 변위를 측정 광선의 경로 차이로 변환시키기 위해 투과형 격자 또는 반사형 격자를 이용한다.

公开(公告)号：KR1020020026995A

公开(公告)日：2002-04-13

申请号：KR1020000058123

申请日：2000-10-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황찬승 ,  박동운

IPC: H01L21/301

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device is provided to improve a stress absorbing capacity, by filling polyimide in a trench formed in a scribe line outside a main chip region so that the polyimide functions as a stress buffer layer in sawing the scribe line. CONSTITUTION: A metal pad(104a) is formed in the main chip region on a semiconductor substrate(100) having an insulation layer(102), and a tap pad(104b) is formed on the scribe line. The first passivation layer(106) is formed on the resultant structure. A photoresist layer pattern is formed on the first passivation layer so that the surface of the metal pad and tag pad and the scribe line outside the main chip region between the metal pad and the tag pad are partially exposed. The first passivation layer and the insulation layer are selectively etched to expose the surface of the metal pad and tag pad by using the photoresist layer pattern while a trench of a predetermined depth is formed between the metal pad and the tag pad. The photoresist layer pattern is removed. The second passivation layer(110) is formed on the first passivation layer including the trench to expose the respective surfaces of the metal pad and the tag pad so that the second passivation layer filled in the trench functions as an insulation slit for stress buffer.

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，通过在形成在主芯片区域外的划线中形成的沟槽中填充聚酰亚胺来提高应力吸收能力，使得聚酰亚胺在切割划线时起到应力缓冲层的作用。 构成：在具有绝缘层（102）的半导体衬底（100）上的主芯片区域中形成金属焊盘（104a），并且在刻划线上形成分接垫（104b）。 在所得结构上形成第一钝化层（106）。 在第一钝化层上形成光致抗蚀剂层图案，使得金属焊盘和标签焊盘的表面以及在金属焊盘和标签焊盘之间的主芯片区域之外的划线部分地露出。 选择性地蚀刻第一钝化层和绝缘层，以通过使用光致抗蚀剂层图案来暴露金属焊盘和标签焊盘的表面，同时在金属焊盘和标签焊盘之间形成预定深度的沟槽。 去除光致抗蚀剂层图案。 第二钝化层（110）形成在包括沟槽的第一钝化层上，以露出金属焊盘和标签焊盘的相应表面，使得填充在沟槽中的第二钝化层用作应力缓冲器的绝缘狭缝。