公开(公告)号：KR1020160015094A

公开(公告)日：2016-02-12

申请号：KR1020140097588

申请日：2014-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종수 ,  박동운 ,  박태회 ,  배용국 ,  오태환 ,  이창훈 ,  함부현

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/76816 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0207

Abstract: 기판상에하부층간절연층을형성하고, 상기하부층간절연층내에미러패턴을형성하고, 상기하부층간절연층및 상기미러패턴상에상부층간절연층을형성하고, 상기상부층간절연층상에상기미러패턴과수직으로정렬, 중첩하는어미자 패턴을형성하고, 상기어미자패턴상에희생층을형성하고, 및상기희생층상에아들자 패턴을형성하는것을포함하는오버레이마크를형성하는방법이설명된다.

Abstract translation: 形成覆盖标记的方法包括以下步骤：在基板上形成下层间绝缘层; 在下层间绝缘层中形成反射镜图案; 在下层间绝缘层和反射镜图案上形成上层间绝缘层; 形成与上层间绝缘层上的反射镜图案垂直对准并重叠的主刻度图案; 在主刻度图形上形成牺牲层; 并在牺牲层上形成游标刻度图案。

公开(公告)号：KR1020120010860A

公开(公告)日：2012-02-06

申请号：KR1020100072484

申请日：2010-07-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이형래 ,  강율 ,  윤경환 ,  김형희 ,  한소라 ,  박태회

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L27/10891 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/2041

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to efficiently eliminate a residue with a simple and cheap process by eliminating the residue like scum remaining on a substrate through wet processing using acid diffusion. CONSTITUTION: A resist pattern(30P) is formed on a partial area of a substrate(10). A descum solution(50) including a acid source is touched with an outcome on which the resist pattern is formed. A resist residue(30S) remaining on the substrate surface is dissolved by using acid which is obtained from the acid source in the descum solution. A dissolved residue and the descum solution are removed from the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，通过使用酸扩散通过湿法处理消除残留在基底上的残留物，通过简单且便宜的方法有效地消除残留物。 构成：在衬底（10）的部分区域上形成抗蚀剂图案（30P）。 触摸包含酸源的除垢溶液（50），形成抗蚀剂图案的结果。 通过使用从除去溶液中的酸源获得的酸溶解残留在基材表面上的抗蚀剂残余物（30S）。 从底物中除去溶解的残留物和除去溶液。

公开(公告)号：KR101675458B1

公开(公告)日：2016-11-14

申请号：KR1020100072484

申请日：2010-07-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이형래 ,  강율 ,  윤경환 ,  김형희 ,  한소라 ,  박태회

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L27/10891 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606

Abstract: 산의확산을이용하는반도체소자의제조방법을개시한다. 기판상의일부영역에레지스트패턴을형성한다. 레지스트패턴이형성된결과물에산 소스를포함하는디스컴용액을접촉시킨다. 디스컴용액내에서산 소스로부터얻어지는산을이용하여기판표면에잔류하는레지스트잔류물을분해시킨다. 분해된잔류물및 디스컴용액을기판으로부터제거한다.