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公开(公告)号：KR101678427B1
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：KR1020100111971
申请日：2010-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/76895 , H01L21/28518 , H01L21/31144 , H01L21/76897 , H01L21/823418 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L29/66545 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7848
Abstract: 반도체소자제조방법에서, 기판상의금속게이트구조물및 금속게이트구조물의측벽을커버하는제1 층간절연막상에제1 및제2 식각마스크들을순차적으로형성한다. 제1 식각마스크혹은제2 식각마스크에의해오버랩되지않는제1 층간절연막부분을제거하여기판상면을노출시키는개구를형성한다. 노출된기판상면에금속실리사이드패턴을형성한다. 개구의나머지부분을매립하는플러그를금속실리사이드패턴상에형성한다.
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公开(公告)号：KR1020120038210A
公开(公告)日：2012-04-23
申请号：KR1020100099843
申请日：2010-10-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0337 , G03F1/70 , G06F17/5081 , Y10S438/947 , H01L21/0274 , G03F7/2063
Abstract: PURPOSE: A method for forming a pattern, a reticle, and a recording medium with a pattern forming program are provided to form a target pattern with an interval below the minimum pitch for exposure by applying double patterning technology to the target pattern. CONSTITUTION: A sacrificial pattern is formed on an etched layer by using a first reticle including an initial pattern(S510). A spacer surrounds the sacrificial pattern(S520). The sacrificial pattern is removed(S530). A part of the space is removed by using a second reticle including a trimming pattern(S540).
Abstract translation: 目的：提供用于形成图案，掩模版和具有图案形成程序的记录介质的方法，以通过对目标图案应用双重图案化技术来形成具有低于用于曝光的最小间距的间隔的目标图案。 构成：通过使用包括初始图案的第一掩模版在蚀刻层上形成牺牲图案（S510）。 间隔物围绕牺牲图案（S520）。 消除牺牲图案（S530）。 通过使用包括修剪图案的第二掩模版来除去空间的一部分（S540）。
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公开(公告)号：KR100881184B1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：KR1020060126378
申请日：2006-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박동운
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 본 발명은 반도체 제조 방법 및 이를 이용한 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 DOF 성능과 관련한 마스크 패턴의 보조 피쳐를 효율적으로 배치하는 방법 및 이를 이용한 장치에 관한 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 마스크 패턴의 배치방법은 제1포커스 위치에서, 메인 피쳐(main feature) 상의 이미지 강도(image intensity)에 대한 보조 피쳐(assist feature)의 기여도를 구성하는 제1 기여함수를 구하는 제1 단계; 제2포커스 위치에서, 상기 메인 피쳐(main feature) 상의 이미지 강도(image intensity)에 대한 상기 보조 피쳐(assist feature)의 기여도를 구성하는 제2 기여함수를 구하는 제2 단계; 및 상기 제1 기여함수와 상기 제2 기여함수의 선형결합이 소정의 임계값 이상이 되는 조건에서 상기 보조 피쳐의 위치를 결정하는 제3 단계;를 포함한다.
본 발명에 의한 마스크 패턴의 배치방법 및 이를 이용한 장치에 따르면, DOF 성능을 향상시킬 수 있는 보조 피쳐의 배치를 적절하고 신속하게 결정할 수 있다.
메인 피쳐, 보조 피쳐, 마스크, 기여함수, DOF-
公开(公告)号：KR1020090004169A
公开(公告)日：2009-01-12
申请号：KR1020070068167
申请日：2007-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박동운
IPC: H01L21/027 , G03F9/00
Abstract: The method for arranging the mask pattern and apparatus using the same are provided to rapidly determine the arrangement of the proper assist feature about the shape of the main feature of mask and arrangement. The distribution comprising the contribution of the assist feature about the image intensity on the main feature of function is obtained(S10). The peripheral region of the arbitrary fixed region comprising the main feature is divided to the limited region(S33). The distribution of function stands opposite with the central value of the divided region is distributed. The location of the assist feature is determined by using the polygonal areas consisting of the identical representative values(S37).
Abstract translation: 提供用于布置掩模图案的方法和使用其的装置，以快速确定关于掩模和布置的主要特征的形状的适当辅助特征的布置。 获得包括关于功能的主要特征上的图像强度的辅助特征的贡献的分布（S10）。 包含主要特征的任意固定区域的外围区域被划分为有限区域（S33）。 功能分布与分割区域的中心值分布相反。 通过使用由相同代表值组成的多边形区域来确定辅助特征的位置（S37）。
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公开(公告)号：KR1020080054155A
公开(公告)日：2008-06-17
申请号：KR1020060126379
申请日：2006-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박동운
IPC: H01L21/027
Abstract: A method for disposing mask patterns and an apparatus using the same are provided to determine quickly a suitable location of an assist feature about a configuration and disposition of a main feature. As a first step, an h-function is obtained, which configures a contribution degree of an assist feature about image intensity of a main feature(S20). As a second step, a location of the assist feature is determined by using the h-function(S40). As a third step, the size of the assist feature is decreased if a side-lobe phenomenon printing the assist feature on a wafer is generated(S50). As a fourth step, an optical proximity correction is applied to the main feature so as to realize the predetermined critical dimension(S60). As a fifth step, a mask rule check process is applied to improve the performance of the mask after the second step(S70).
Abstract translation: 提供了一种用于布置掩模图案的方法和使用其的设备，以快速确定关于主要特征的配置和布置的辅助特征的合适位置。 作为第一步骤，获得h功能，其配置关于主要特征的图像强度的辅助特征的贡献度（S20）。 作为第二步骤，通过使用h功能来确定辅助特征的位置（S40）。 作为第三步骤，如果产生在晶片上打印辅助特征的旁瓣现象，则辅助特征的尺寸减小（S50）。 作为第四步骤，将光学邻近校正应用于主要特征以实现预定的临界尺寸（S60）。 作为第五步骤，应用掩模规则检查处理来改善第二步骤后的掩码的性能（S70）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100874913B1
公开(公告)日：2008-12-19
申请号：KR1020060126379
申请日：2006-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박동운
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 본 발명은 반도체 제조 방법 및 이를 이용한 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마스크 패턴의 보조 피쳐를 효율적으로 배치하는 방법 및 이를 이용한 장치에 관한 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 마스크 패턴의 배치방법은 메인 피쳐(main feature) 상의 이미지 강도(image intensity)에 대한 보조 피쳐(assist feature)의 기여도를 구성하는 h 함수를 구하는 제1 단계; 및 상기 h 함수를 이용하여 상기 보조 피쳐의 위치를 결정하는 제2 단계;를 포함한다.
본 발명에 의한 마스크 패턴의 배치방법 및 이를 이용한 장치에 따르면, 메인 피쳐의 형상 및 배치에 대해 적절한 보조 피쳐의 배치를 신속하게 결정할 수 있다.
메인 피쳐, 보조 피쳐, 마스크, 기여도, 사이드 로브Abstract translation: 本发明涉及到的涉及一种方法，并使用相同的，更具体的半导体制造装置，向掩模图案的次要特征有效部署和使用其的设备的方法。
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公开(公告)号：KR1020040013779A
公开(公告)日：2004-02-14
申请号：KR1020020046848
申请日：2002-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
Abstract: PURPOSE: A capacitor bottom electrode and a forming method thereof are provided to increase the capacitance by increasing the height of the capacitor bottom electrode having the narrow width. CONSTITUTION: The first insulating layer(125) is formed on a substrate(100). An opening portion is formed by etching a predetermined region of the first insulating layer(125). A polysilicon layer is formed on a side and a bottom of the opening portion. The second insulating layer(140) is formed by burying the opening portion. The polysilicon layer is exposed by etching partially the first and the second insulating layer(125,140). The width of the exposed polysilicon layer is reduced by etching a side of the exposed polysilicon layer.
Abstract translation: 目的：提供电容器底部电极及其形成方法，以通过增加具有窄宽度的电容器底部电极的高度来增加电容。 构成：第一绝缘层（125）形成在基板（100）上。 通过蚀刻第一绝缘层（125）的预定区域形成开口部分。 在开口部分的一侧和底部形成多晶硅层。 第二绝缘层（140）通过埋入开口部而形成。 通过部分蚀刻第一和第二绝缘层（125,140）来暴露多晶硅层。 通过蚀刻暴露的多晶硅层的一侧来减小暴露的多晶硅层的宽度。
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公开(公告)号：KR1020060054894A
公开(公告)日：2006-05-23
申请号：KR1020040093738
申请日：2004-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박동운
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03B27/52 , G03F9/7026 , G03F9/7088 , G03F7/7085
Abstract: An auto focus system includes a stage on which a substrate is mounted, light sources that irradiate the substrate with a plurality of focus beams directed towards the substrate at different angles, sensors that detect the focus beams reflected from the substrate, and a controller that determines the relative location of a surface of the substrate according to the locations at which the focus beams are detected by the sensors and positions the substrate accordingly. To this end, the controller performs calculations that are free from the influence of variations in the refractive index of the medium through which the focus beams propagate to the surface of the substrate. Therefore, the autofocus process is carried out with a high degree of precision.
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公开(公告)号：KR1020120050624A
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：KR1020100111971
申请日：2010-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/76895 , H01L21/28518 , H01L21/31144 , H01L21/76897 , H01L21/823418 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L29/66545 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7848
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a semiconductor device is provided to effectively form an opening part for forming a metal silicide pattern and a plug using first and second etching masks. CONSTITUTION: A metal gate structure(200) is formed on a substrate. A first etching mask(212) and a second etching mask(232) are successively formed on a first interlayer insulating film. An opening part for exposing the upper surface of the substrate is formed by eliminating a part of the first interlayer insulating film. A metal silicide pattern is formed on the upper surface of the exposed substrate. A plug for filling a remaining part of the opening part is formed on the metal silicide pattern.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件的制造方法，以有效地形成用于使用第一和第二蚀刻掩模形成金属硅化物图案和插头的开口部分。 构成：在基板上形成金属栅极结构（200）。 第一蚀刻掩模（212）和第二蚀刻掩模（232）依次形成在第一层间绝缘膜上。 通过去除第一层间绝缘膜的一部分来形成用于暴露衬底的上表面的开口部分。 在暴露的基板的上表面上形成金属硅化物图案。 用于填充开口部分的剩余部分的插头形成在金属硅化物图案上。
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公开(公告)号：KR100593751B1
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：KR1020040093738
申请日：2004-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박동운
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03B27/52 , G03F9/7026 , G03F9/7088
Abstract: 본 발명은 오토 포커스 시스템, 오토 포커스 방법 및 이를 이용한 노광장치에 관한 것으로, 본 발명의 따른 오토 포커스 시스템은 기판이 안착되는 스테이지와, 이 기판에 두개의 포커스 빔을 서로 다른 각도로 조사하는 두개의 측정 광원과, 기판에서 반사된 두개의 포커스 빔들을 검출하는 두개의 감지센서와 이 감지센서에서 감지된 포커스 빔들의 측정값에 따라 기판의 변동 위치를 연산 처리하여 기판의 포커스를 제어하는 제어수단으로 구비하고, 이때의 연산은 포커스 빔의 굴절률의 변화요소를 제거하여 연산할 수 있도록 함으로써 포커스 빔이 진행하는 매질에서 굴절률 변화가 있더라도 정확한 포커스가 이루어지도록 한다.
Abstract translation: 一种自动聚焦系统包括其上安装有基板的台，利用以不同角度指向基板的多个聚焦光束照射基板的光源，检测从基板反射的聚焦光束的传感器以及确定 根据由传感器检测聚焦光束的位置确定基板表面的相对位置，并相应地定位基板。 为此，控制器执行不受聚焦光束传播到基板表面的介质的折射率变化的影响的计算。 因此，自动对焦过程高度精确。
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