公开(公告)号：KR100703987B1

公开(公告)日：2007-04-09

申请号：KR1020060044372

申请日：2006-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박원제 ,  박찬 ,  박영훈 ,  송재호 ,  홍종욱 ,  박거성

IPC: H01L27/146

Abstract: 마스크 수를 줄일 수 있는 이미지 센서의 제조 방법이 제공된다. 이미지 센서의 제조 방법은 수광 영역과 비수광 영역이 정의된 기판을 제공하고, 비수광 영역 상에 다수의 게이트를 형성하고, 수광 영역 내에 제1 도전형의 불순물을 이온 주입하여, PPD(Pinned Photo Diode) 제1 불순물 영역을 형성하고, 기판 전면에 다수의 게이트를 마스크로 이용하여 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 불순물을 제1 이온 주입하고, 다수의 게이트의 양 측벽에 스페이서를 형성하고, 기판 전면에 스페이서가 형성된 다수의 게이트를 마스크로 이용하여 제2 도전형의 불순물을 제2 이온 주입하여, 수광 영역의 표면에 PPD 제2 불순물 영역을 완성하는 것을 포함한다.
이미지 센서, 마스크, PPD, P형 불순물 영역

Abstract translation: 提供了一种能够减少掩模数量的图像传感器的制造方法。 的图像传感器的制造方法是一个光接收区域，并且设置规定的基板上的非光接收区域，并且不形成多个所述光接收区栅极，和接收区域注入的在光的第一导电类型的杂质离子，PPD（铰接光 并且使用多个栅极作为掩模来注入与第一导电类型不同的第二导电类型的第一杂质以在多个栅极的两个侧壁上形成间隔物， 并且其包括第二导电型第二离子注入使用多个栅极隔离物的杂质，形成作为掩模，以完成基板的整个表面上的光接收区域的表面上的PPD第二杂质区。

公开(公告)号：KR1020050118903A

公开(公告)日：2005-12-20

申请号：KR1020040044049

申请日：2004-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박원제

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/02161

Abstract: 이미지 센서 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 이미지 센서는 기판내에 형성된 포토다이오드, 버퍼 산화막, 블로킹막, 상부 산화막 및 투과 보강막을 구비한다. 버퍼 산화막은 포토다이오드를 덮고, 블로킹막은 버퍼 산화막 상에 배치되어 포토다이오드를 덮는다. 상부 산화막은 블로킹막을 덮는다. 투과 보강막은 상부 산화막과 버퍼 산화막 사이에 개재되어 포토다이오드를 덮는다. 투과 보강막은 블로킹막의 굴절률과, 버퍼 및 상부 산화막들 중에 선택된 적어도 하나의 굴절률 사이의 굴절률 값을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020140113098A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020130028044

申请日：2013-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박원제

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L51/44 ,  H01L27/28 ,  H01L31/02162 ,  H01L51/42 ,  Y02E10/549

Abstract: The present invention relates to an image sensor and a method of manufacturing the same. The image sensor according to one embodiment of the present invention includes a substrate which includes a pixel region and a peripheral region; an interlayer dielectric structure which has a first recess region in the pixel region and a second recess region arranged in the bottom of the first recess region; a color filter arranged in the second recess region; and an organic photoelectric layer arranged in the first recess region.

Abstract translation: 图像传感器及其制造方法技术领域本发明涉及图像传感器及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的图像传感器包括：衬底，其包括像素区域和周边区域; 在所述像素区域具有第一凹部区域和布置在所述第一凹部区域的底部的第二凹部区域的层间绝缘体结构体， 布置在所述第二凹部区域中的滤色器; 以及布置在第一凹部区域中的有机光电层。

公开(公告)号：KR1020090129092A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：KR1020080055187

申请日：2008-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박원제 ,  박영훈 ,  김의식 ,  성대철 ,  윤여주 ,  강보배

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603

Abstract: PURPOSE: A CMOS image sensor having preventing a crosstalk structure and a method for manufacturing the same ARE provided to prevent concentration of light from one pixel to adjacent pixel by expanding an element isolation region between the photo diodes into a lower part of a depletion region. CONSTITUTION: In a device, an N conductive semiconductor substrate(300) includes an APS array region and a peripheral circuit region. An epi layer(305) with a P-conductive type first impurity concentration on a semiconductor substrate. A well layer(310) having p-doped with a second concentration level is formed on the epi layer. A well layer having n-doped with a second concentration level on the epi-layer is contacted with the semiconductor. The well layer having n-doped with a second concentration level penetrates through the well layer having p-doped with a second concentration level. Element isolation films(335,340) has a first and second depth on the APS array region and a peripheral circuit region respectively.

Abstract translation: 目的：防止串扰结构的CMOS图像传感器和用于制造相同ARE的方法，用于通过将光电二极管之间的元件隔离区域扩展到耗尽区域的下部来防止从一个像素到相邻像素的光浓度。 构成：在器件中，N导电半导体衬底（300）包括APS阵列区域和外围电路区域。 在半导体衬底上具有P导电型第一杂质浓度的外延层（305）。 在外延层上形成具有p掺杂第二浓度水平的阱层（310）。 在外延层上具有第二浓度水平n掺杂的阱层与半导体接触。 具有第二浓度水平的n掺杂的阱层穿透具有第二浓度水平的p掺杂的阱层。 元件隔离膜（335,340）分别在APS阵列区域和外围电路区域上具有第一和第二深度。

公开(公告)号：KR100809322B1

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：KR1020060003604

申请日：2006-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재호 ,  박찬 ,  박영훈 ,  정상일 ,  박거성 ,  홍종욱 ,  김은수 ,  김푸라 ,  이원정 ,  성대철 ,  박원제 ,  박진형

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689

Abstract: 이미지 래그를 개선시킬 수 있는 이미지 센서 제조 방법 및 이에 따른 이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서 제조 방법은 반도체 기판 상에 게이트 절연막 및 제 1 도전형 불순물이 도핑된 게이트 도전막을 형성하고, 게이트 절연막 및 게이트 도전막을 패터닝하여 트랜스퍼 게이트 패턴을 형성하고, 트랜스퍼 게이트 패턴 일측의 반도체 기판 내에 제 1 도전형 포토다이오드와 제 1 도전형 포토다이오드 표면에 제 2 도전형 포토다이오드를, 트랜스퍼 게이트 패턴 타측의 반도체 기판 내에 제 1 도전형 플로팅 확산 영역을 형성하여 트랜스퍼 게이트 전극을 완성하는 것을 포함한다.
이미지 래그, 트랜스퍼 게이트 전극, 농도

公开(公告)号：KR100772891B1

公开(公告)日：2007-11-05

申请号：KR1020050093103

申请日：2005-10-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영훈 ,  송재호 ,  박원제 ,  박진형 ,  배정훈 ,  박정호

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 이미지 센서(image sensor)가 제공된다. 이미지 센서는 액티브 픽셀 센서 영역이 정의된 기판, 액티브 픽셀 센서 영역 내에 형성된 다수의 제1 도전형의 포토다이오드들, 및 액티브 픽셀 센서 영역 내에 제1 도전형의 포토다이오드들을 제외한 영역에 형성되고, 양전압과 전기적으로 연결된 제1 도전형의 제1 깊은 웰을 포함한다.
이미지 센서, 깊은 웰, 드레인, 크로스토크

公开(公告)号：KR100719338B1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：KR1020040044049

申请日：2004-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박원제

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/02161

Abstract: 이미지 센서 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 이미지 센서는 기판내에 형성된 포토다이오드, 버퍼 산화막, 블로킹막, 상부 산화막 및 투과 보강막을 구비한다. 버퍼 산화막은 포토다이오드를 덮고, 블로킹막은 버퍼 산화막 상에 배치되어 포토다이오드를 덮는다. 상부 산화막은 블로킹막을 덮는다. 투과 보강막은 상부 산화막과 버퍼 산화막 사이에 개재되어 포토다이오드를 덮는다. 투과 보강막은 블로킹막의 굴절률과, 버퍼 및 상부 산화막들 중에 선택된 적어도 하나의 굴절률 사이의 굴절률 값을 갖는다.

公开(公告)号：KR100660549B1

公开(公告)日：2006-12-22

申请号：KR1020050063392

申请日：2005-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박원제

IPC: H01L27/146

Abstract: An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to improve the performance of the image sensor itself by reducing a dark current using at least one or more transistors with different LDD(Lightly Doped Drain) widths. An image sensor includes a photo-detecting element and a plurality of transistors. The plurality of transistors are connected to the photo-detecting element. Each transistor is composed of a gate and first and second doped regions at both sides of the gate. The first and the second doped regions are composed of a lightly doped portion and a heavily doped portion, respectively. At least one or more transistors have predetermined lightly doped portions(910c,920a) with different widths from each other. A source follower gate or a reset gate are formed between lightly doped portions.

Abstract translation: 提供一种图像传感器及其制造方法，通过使用至少一个或多个具有不同LDD（轻掺杂漏极）宽度的晶体管来减小暗电流来提高图像传感器本身的性能。 图像传感器包括光电检测元件和多个晶体管。 多个晶体管连接到光电检测元件。 每个晶体管由栅极两侧的第一和第二掺杂区域组成。 第一掺杂区和第二掺杂区分别由轻掺杂部分和重掺杂部分组成。 至少一个或多个晶体管具有彼此具有不同宽度的预定轻掺杂部分（910c，920a）。 源极跟随器栅极或复位栅极形成在轻掺杂部分之间。

公开(公告)号：KR102083550B1

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：KR1020130028044

申请日：2013-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박원제

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

公开(公告)号：KR1020090022507A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020070087898

申请日：2007-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정호 ,  정상일 ,  김의식 ,  박원제

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L29/42368

Abstract: An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to transfer the electrons of photoelectric transforming portion to the charge-detecting portion by unifying the transition speed of the electrons. An image sensor comprises a semiconductor substrate(101), a photoelectron transform portion, a charge transport unit(130), and an electric charge detection part. The photoelectron transform portion, the charge transport unit and the electric charge detection part are arranged along the one-way of the semiconductor substrate. The charge transport unit has a gate insulating layer(134) and a gate electrode(136) which successively are integrated on the semiconductor substrate.

Abstract translation: 提供一种图像传感器及其制造方法，通过统一电子的转变速度将光电变换部分的电子传递到电荷检测部分。 图像传感器包括半导体衬底（101），光电子变换部分，电荷传输单元（130）和电荷检测部分。 光电子变换部，电荷输送部和电荷检测部沿着半导体基板的单向配置。 电荷输送单元具有依次集成在半导体基板上的栅极绝缘层（134）和栅电极（136）。