公开(公告)号：KR100809322B1

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：KR1020060003604

申请日：2006-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재호 ,  박찬 ,  박영훈 ,  정상일 ,  박거성 ,  홍종욱 ,  김은수 ,  김푸라 ,  이원정 ,  성대철 ,  박원제 ,  박진형

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689

Abstract: 이미지 래그를 개선시킬 수 있는 이미지 센서 제조 방법 및 이에 따른 이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서 제조 방법은 반도체 기판 상에 게이트 절연막 및 제 1 도전형 불순물이 도핑된 게이트 도전막을 형성하고, 게이트 절연막 및 게이트 도전막을 패터닝하여 트랜스퍼 게이트 패턴을 형성하고, 트랜스퍼 게이트 패턴 일측의 반도체 기판 내에 제 1 도전형 포토다이오드와 제 1 도전형 포토다이오드 표면에 제 2 도전형 포토다이오드를, 트랜스퍼 게이트 패턴 타측의 반도체 기판 내에 제 1 도전형 플로팅 확산 영역을 형성하여 트랜스퍼 게이트 전극을 완성하는 것을 포함한다.
이미지 래그, 트랜스퍼 게이트 전극, 농도

公开(公告)号：KR1020070075160A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：KR1020060003604

申请日：2006-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재호 ,  박찬 ,  박영훈 ,  정상일 ,  박거성 ,  홍종욱 ,  김은수 ,  김푸라 ,  이원정 ,  성대철 ,  박원제 ,  박진형

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689

Abstract: A method for fabricating an image sensor is provided to reduce a potential barrier generated by an impurity density difference between regions in a transfer gate pattern by forming an image sensor after impurities of a first conductivity type are implanted into a transfer gate pattern. A gate insulation layer and a gate conductive layer doped with impurities of a first conductivity type are formed on a semiconductor substrate(102). The gate insulation layer and the gate conductive layer are patterned to form a transfer gate pattern. A photodiode of the first conductivity type is formed at one side of the transfer gate pattern and a photodiode of a second conductivity type is formed on the photodiode of the first conductivity type. A floating diffusion region of the first conductivity type is formed in the substrate at the other side of the transfer gate pattern to complete a transfer gate electrode. In forming a gate conductive layer, the impurities of the first conductivity type can be doped at a dosage that can invert the impurities in the photodiode of the second conductivity type.

Abstract translation: 提供一种用于制造图像传感器的方法，用于通过在将第一导电类型的杂质注入传输栅极图案之后形成图像传感器来减小由传输栅极图案中的区域之间的杂质浓度差产生的势垒。 在半导体衬底（102）上形成栅极绝缘层和掺杂有第一导电类型的杂质的栅极导电层。 栅极绝缘层和栅极导电层被图案化以形成传输栅极图案。 第一导电类型的光电二极管形成在传输栅极图案的一侧，并且在第一导电类型的光电二极管上形成第二导电类型的光电二极管。 在传输栅极图案的另一侧的基板中形成第一导电类型的浮动扩散区域，以完成传输栅电极。 在形成栅极导电层时，可以以能够反转第二导电类型的光电二极管中的杂质的剂量来掺杂第一导电类型的杂质。

公开(公告)号：KR100703987B1

公开(公告)日：2007-04-09

申请号：KR1020060044372

申请日：2006-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박원제 ,  박찬 ,  박영훈 ,  송재호 ,  홍종욱 ,  박거성

IPC: H01L27/146

Abstract: 마스크 수를 줄일 수 있는 이미지 센서의 제조 방법이 제공된다. 이미지 센서의 제조 방법은 수광 영역과 비수광 영역이 정의된 기판을 제공하고, 비수광 영역 상에 다수의 게이트를 형성하고, 수광 영역 내에 제1 도전형의 불순물을 이온 주입하여, PPD(Pinned Photo Diode) 제1 불순물 영역을 형성하고, 기판 전면에 다수의 게이트를 마스크로 이용하여 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 불순물을 제1 이온 주입하고, 다수의 게이트의 양 측벽에 스페이서를 형성하고, 기판 전면에 스페이서가 형성된 다수의 게이트를 마스크로 이용하여 제2 도전형의 불순물을 제2 이온 주입하여, 수광 영역의 표면에 PPD 제2 불순물 영역을 완성하는 것을 포함한다.
이미지 센서, 마스크, PPD, P형 불순물 영역

Abstract translation: 提供了一种能够减少掩模数量的图像传感器的制造方法。 的图像传感器的制造方法是一个光接收区域，并且设置规定的基板上的非光接收区域，并且不形成多个所述光接收区栅极，和接收区域注入的在光的第一导电类型的杂质离子，PPD（铰接光 并且使用多个栅极作为掩模来注入与第一导电类型不同的第二导电类型的第一杂质以在多个栅极的两个侧壁上形成间隔物， 并且其包括第二导电型第二离子注入使用多个栅极隔离物的杂质，形成作为掩模，以完成基板的整个表面上的光接收区域的表面上的PPD第二杂质区。