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公开(公告)号：KR1020110009982A
公开(公告)日：2011-01-31
申请号：KR1020090067466
申请日：2009-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823437 , H01L21/823475
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve the total performance of a semiconductor device by improving the electrical properties of wires. CONSTITUTION: A first wire(525a) comprises a first silicon wire region and a first metal wire region. A second wire comprises a second silicon wire region and a second metal wire region. The silicon wire region(510b) is located at the same level as the first silicon wire region and has specific resistivity less than the first silicon wire region.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过改善电线的电性能来改善半导体器件的总体性能。 构成：第一线（525a）包括第一硅线区域和第一金属线区域。 第二导线包括第二硅线区域和第二金属线区域。 硅线区域（510b）位于与第一硅线区域相同的电平，并具有小于第一硅线区域的电阻率。
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公开(公告)号：KR1020080109279A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：KR1020070057411
申请日：2007-06-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L27/10876 , H01L27/10894 , H01L21/76243
Abstract: A semiconductor device and a method for forming the same are provided to increase the reliability of the recess channel transistors including buried insulating layer patterns by controlling the body effect using the controllable bias. A semiconductor device comprises the active pattern(130), the field insulating film patterns(148,152), the buried insulating layer pattern(146), the gate structures(162,172) and the impurity regions. An active patterns are equipped on the substrate(100). Field insulating film patterns are equipped between active patterns. The buried insulating layer patterns are extended to the horizontal direction from both sides of the field insulating film lower part of pattern. The gate structures are equipped on the active patterns. The impurity regions are distanced to the vertical direction from buried insulating layer patterns. The impurity regions are equipped in the active pattern surface area in order to be adjacent to the gate structure.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其形成方法，以通过使用可控偏压来控制身体效应来增加包括掩埋绝缘层图案的凹槽通道晶体管的可靠性。 半导体器件包括有源图案（130），场绝缘膜图案（148,152），掩埋绝缘层图案（146），栅极结构（162,172）和杂质区域。 在基板（100）上装有活动图案。 活性图案之间装有场绝缘膜图案。 掩埋绝缘层图案从图案的场绝缘膜下部的两侧向水平方向延伸。 门结构配备有活动模式。 杂质区域与埋置的绝缘层图案相距离垂直方向。 杂质区域配置在有源图案表面区域中，以便与栅极结构相邻。
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公开(公告)号：KR1020080037140A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：KR1020060103789
申请日：2006-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L29/41791 , H01L29/66795 , H01L2029/7858
Abstract: A semiconductor device including a fin FET transistor and a method for manufacturing the same is provided to reduce contact resistance and GIDL, and manufacture the semiconductor device by performing a simple process. A semiconductor device including a fin FET transistor comprises a silicon substrate(100), an active pattern(116), a device isolation pattern(120), a gate electrode(132), an impurity region, an interlayer dielectric(136), and a contact plug(140). The silicon substrate includes a projection portion. The active pattern is provided on the projection portion of the silicon substrate. The device isolation pattern includes an opening exposing a sidewall of the active pattern. The gate electrode is provided in the opening and the exposed active pattern. The impurity regions are formed at an active pattern and both sides of the gate electrode. The interlayer dielectric covers the active pattern and the gate electrode. The contact plug penetrates the interlayer dielectric and the active pattern of both sides of the gate electrode, and contacts the impurity regions.
Abstract translation: 提供包括鳍式FET晶体管及其制造方法的半导体器件以降低接触电阻和GIDL，并且通过执行简单的工艺来制造半导体器件。 包括鳍式FET晶体管的半导体器件包括硅衬底（100），有源图案（116），器件隔离图案（120），栅极电极（132），杂质区域，层间电介质（136）和 触点插头（140）。 硅衬底包括突出部分。 有源图案设置在硅衬底的突出部分上。 器件隔离图案包括暴露有源图案的侧壁的开口。 栅电极设置在开口和暴露的有源图案中。 杂质区域形成为栅电极的活性图案和两侧。 层间电介质覆盖有源图案和栅电极。 接触插塞穿过层间电介质和栅电极两侧的有源图案，并与杂质区接触。
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公开(公告)号：KR1020060083752A
公开(公告)日：2006-07-21
申请号：KR1020050004679
申请日：2005-01-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W76/19 , H04M3/42 , H04M3/42059 , H04M3/42102 , H04M3/48 , H04M2201/18 , H04M2207/18 , H04W8/06
Abstract: Disclosed is a method for improving a communication success rate in a simultaneous call trial between subscribers in a mobile communication system. The method includes receiving by a second subscriber network an IAM message from a first subscriber network when a first subscriber tries a call to a second subscriber; determining by the second subscriber network whether the second subscriber has requested a termination to the first subscriber, after receiving the IAM; aborting by the second subscriber network an originating call trial of the second subscriber when the second subscriber has requested the termination; trying by the second subscriber network a page to the second subscriber after aborting the originating call trial; and setting a call between the first subscriber and the second subscriber by the first subscriber network and the second subscriber network, after succeeding in paging the second subscriber.
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公开(公告)号：KR1020060042501A
公开(公告)日：2006-05-15
申请号：KR1020040091095
申请日：2004-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박종만
IPC: H04B7/26
CPC classification number: G04R20/14 , G04G5/002 , H04B7/2681 , H04W56/00
Abstract: 본 발명은 비동기식 이동통신 시스템에서 시간 정보를 제공하는 방법에 있어서, 이동단말기로부터 위치등록 요구에 따라 상기 이동단말기의 위치이동을 파악하여 위치 등록을 수행하는 과정과, 상기 이동단말기의 위치이동에 따라 상기 이동단말기의 시간정보 전송 여부를 결정하는 과정과, 상기 이동단말기에 시간정보를 전송하도록 결정되면 상기 시간정보에 대응된 스트링 메시지를 생성하여 전송하는 과정을 포함한다. 따라서 본 발명은 비동기식 이동통신 시스템에서 스트링 메시지를 이용하여 대륙간 이동, 국가간 이동, 큰 도시간 이동 시 이동단말기에게 시간정보를 제공함으로써 위치이동으로 인한 시차 없이 정확한 시간을 유지할 수 있도록 하는 효과가 있다.
비동기식 이동통신 시스템, 이동단말, 방문위치등록기, 시간정보, 스트링 메시지, USSD 스트링 메시지Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于在异步移动通信系统中提供的时间信息，根据从该移动终端的位置登记请求，并通过与所述移动终端的移动标识移动终端的位置移动，根据一个执行位置登记的过程 的是否发送所述移动终端的所述时间信息和所述确定，如果确定发送的时间信息发送到移动终端包括发送，以产生相应于时间信息的字符串消息的步骤。 因此，本发明具有通过使用从异步移动通信系统中的字符串消息大城市终端之间的移动期间提供时间信息发送到移动以保持洲际运动，越野运动，准确的时间，而不引起位置移动的时间差的影响 。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020030061976A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：KR1020020002140
申请日：2002-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박종만
IPC: G06F17/28
Abstract: PURPOSE: A communication system offering an Internet document matched with a language of a web browser transmitting a communication request signal is provided to enable a user not to set the language in order to display the Internet document displayed in an initially set language as the desired language. CONSTITUTION: A communication part(160) communicates with an external communication terminal(400) through the Internet network(300). An Internet document storing part(244) stores the Internet document to the terminal(400) connected to the Internet network(300) through the communication part(160). A controlling part(246) makes a language searching module to the terminal(400) if an access request signal for the Internet document stored in the Internet document storing part(160) is received from the terminal(400). As the terminal(400) searches the language of the web browser through the language searching module, the controlling part(246) transmits the Internet document matched with the language information of the web browser to the terminal(400) through the communication part(160).
Abstract translation: 目的：提供一种提供与发送通信请求信号的网络浏览器的语言相匹配的因特网文档的通信系统，以使得用户不能设置语言，以便以最初设定的语言显示出所显示的因特网文档作为所需语言 。 构成：通信部（160）通过互联网（300）与外部通信终端（400）进行通信。 互联网文件存储部分（244）通过通信部分（160）将互联网文档存储到连接到互联网（300）的终端（400）。 如果从终端（400）接收到存储在因特网文档存储部分（160）中的因特网文档的访问请求信号，则控制部分（246）向终端（400）制作语言搜索模块。 当终端（400）通过语言搜索模块搜索网络浏览器的语言时，控制部分（246）通过通信部分（160）将与web浏览器的语言信息匹配的因特网文档发送到终端（400） ）。
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公开(公告)号：KR101780021B1
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：KR1020100101468
申请日：2010-10-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 소정의디바이스가자신의인터넷연결을공유하여다른디바이스에제공하거나, 다른디바이스의인터넷연결을공유하여이용하기위해자동으로네트워크인터페이스를설정하는방법및 장치가개시된다.
Abstract translation: 公开了一种用于自动设置网络接口以允许给定设备将其互联网连接共享给另一设备或共享另一设备的互联网连接的方法和设备。
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公开(公告)号：KR1020110103626A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：KR1020100022785
申请日：2010-03-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F17/30775
Abstract: 본 발명은 휴대용 단말기의 멀티미디어 재생 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 휴대용 단말기에서 재생하는 멀티미디어 데이터의 메타 정보를 오디오 데이터 정보로 변환하여 상기 멀티미디어 데이터의 재생과 동시에 상기 메타 정보를 재생하기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 재생하고자 하는 멀티미디어 데이터의 메타 정보를 획득하는 메타 정보 분석부와, 상기 메타 정보 분석부에 의해 획득된 메타정보를 오디오 데이터 형식으로 변환하는 오디오 데이터 생성부와, 상기 오디오 데이터 변환부에 의해 오디오 형식으로 변환된 메타 정보와 멀티미디어 데이터를 재생하는 메타 정보 제공부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100828030B1
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：KR1020060103789
申请日：2006-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L29/41791 , H01L29/66795 , H01L2029/7858
Abstract: 핀 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법에서, 반도체 소자는 돌출부를 갖는 실리콘 기판과, 상기 돌출된 부위의 실리콘 기판 상에 구비되고, 내부에 절연막 패턴들을 포함하는 액티브 패턴과, 상기 액티브 패턴 사이의 공간을 부분적으로 매립하고, 상기 절연막 패턴 사이에 위치하는 액티브 패턴의 측벽을 노출시키는 개구를 포함하는 소자 분리막 패턴과, 상기 개구 내부 및 상기 노출된 액티브 패턴 상부에 구비되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 양측의 액티브 패턴에 형성되는 불순물 영역과, 상기 액티브 패턴 및 게이트 전극을 덮는 층간 절연막 및 상기 게이트 전극 양측의 층간 절연막 및 액티브 패턴을 관통하고 상기 불순물 영역과 접속하는 콘택 플러그를 포함한다. 상기 반도체 소자에 포함된 핀 전계 효과 트랜지스터는 전기적 특성이 매우 우수하다.
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