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11.发明授权
公开(公告)号：KR100362574B1
公开(公告)日：2002-11-29
申请号：KR1020010002711
申请日：2001-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04J13/20
Abstract: 2-1 개의확산팩터노드들이 m+1개의열에서트리형상으로배열되고, 최대확산팩터에대응하는열에있는제1확산팩터노드들을 2등분한제1 및제2 절반의제1확산팩터노드들을가지는한쌍의트리들로분할되는 OVSF코드를가지는이동통신시스템의데이터신호및 제어신호확산을위한제1 및제2직교부호를할당함을특징으로하는방법이, 한쌍의트리들의각각은제1확산팩터노드들다음에있는제2확산팩터노드들중 하나의노드의자-노드가되는 m+1번째열에있는확산팩터노드들의적어도일부의확산팩터노드들중 하나에대응하는직교부호를제어신호확산용제1직교부호로할당하는과정과, 제2확산팩터노드들중 하나의노드와직교성을유지하는나머지노드들중 하나의노드에대응하는제2직교부호를데이터신호확산을위해할당하는과정으로이루어져데이터신호및 제어신호확산을위한제1 및제2직교부호를할당한다.
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公开(公告)号：KR100275738B1
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019980032139
申请日：1998-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H05B33/04 , C23C16/44 , C23C16/45527 , C23C16/45561 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/31604 , H01L21/31691
Abstract: A thin film manufacturing method is provided. The method includes the step of chemically adsorbing a first reactant on a substrate by injecting the first reactant into a chamber in which the substrate is loaded. Physisorbed first reactant on the chemically adsorbed first reactant is removed by purging or pumping the chamber. After the first reactant is densely chemically adsorbed on the substrate by re-injecting the first reactant into the chamber, the physisorbed first reactant on the dense chemisorbed first reactant is removed by purging or pumping the chamber. A second reactant is chemically adsorbed onto the surface of the substrate by injecting the second reactant into the chamber. Physisorbed second reactant on the chemisorbed first reactant and the second reactant is removed by purging or pumping the chamber. A solid thin film is formed by chemical exchange through densely adsorbing the second reactant onto the substrate by re-injecting the second reactant into the chamber. According to the present invention, it is possible to obtain a precise stoichiometric thin film having a high film density, since the first reactant and the second reactant are densely adsorbed and the impurities are substantially removed by pumping or purging
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公开(公告)号：KR100269306B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019970036558
申请日：1997-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/10 , H01L27/105
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/28568 , H01L27/10852 , H01L28/55
Abstract: PURPOSE: IC circuit is provided to have a buffering layer made of a metal oxide layer which are stabilized by a low-temperature processing, and reduces a leakage current as well as improving a polarization characteristic of a capacitor. CONSTITUTION: A first metal layer pattern is formed on a semiconductor substrate(100), and is insulated from the substrate. A high dielectric layer pattern is formed on the first metal layer pattern. The second metal layer pattern is formed on the high dielectric layer pattern. A buffering layer(122) is formed on the first metal layer pattern, the high dielectric layer pattern and the second metal layer pattern by an atom layer deposition method, and is stabilized by a low-temperature processing below 600°C. An insulating layer is formed on the buffering layer.
Abstract translation: 目的：提供IC电路以具有通过低温处理稳定的金属氧化物层制成的缓冲层，并且减小漏电流以及提高电容器的极化特性。 构成：在半导体衬底（100）上形成第一金属层图案，并与衬底绝缘。 在第一金属层图案上形成高介电层图案。 第二金属层图案形成在高介电层图案上。 通过原子层沉积法在第一金属层图案，高介电层图案和第二金属层图案上形成缓冲层（122），并通过低于600℃的低温处理而稳定。 在缓冲层上形成绝缘层。
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14.发明公开
公开(公告)号：KR1020000023526A
公开(公告)日：2000-04-25
申请号：KR1019990041731
申请日：1999-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04J13/12
CPC classification number: H04J13/102 , H04B1/707 , H04J13/0022 , H04J13/0048 , H04J13/12
Abstract: PURPOSE: An apparatus is provided to generate a spread sequence capable of reducing the ratio of a maximum power to an average power without the performance degradation of bit error rate in a code division multiple access(CDMA) communication system. CONSTITUTION: A method to generate spread sequence for spread spectrum comprises a process of performing phi/2-DPSK varying the phase by plus or minus phi/2 from a random initial phase, and a process of performing QPSK(Quadrature Phase Shifting Keying) where the same value is output from the prior output or both codes vary or the phase varies by plus or minus phi/2. An apparatus generating spread code comprises: a PN generator generating PNi and PNq sequence; an orthogonal code generator generating a first and a second orthogonal code; and a spread code generator generating a spread code Ci and Cq.
Abstract translation: 目的：提供一种装置，用于产生能够在码分多址（CDMA）通信系统中降低最大功率与平均功率之比而不降低比特错误率的性能的扩展序列。 构成：生成扩频扩展序列的方法包括执行从随机初始相位改变相位加或减phi / 2的相位的phi / 2-DPSK的处理，以及执行QPSK（正交相移键控）的处理，其中 从先前的输出输出相同的值，或者两个代码都会变化，或者相位是加减去phi / 2。 产生扩展码的装置包括：产生PNi和PNq序列的PN发生器; 产生第一和第二正交码的正交码发生器; 以及生成扩展码Ci和Cq的扩展码发生器。
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公开(公告)号：KR1019990087851A
公开(公告)日：1999-12-27
申请号：KR1019990002311
申请日：1999-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/707
CPC classification number: H04L1/0041 , H03M13/23 , H03M13/635 , H04J13/10 , H04J13/16 , H04L1/0059 , H04L1/0068 , H04L1/0071
Abstract: 부호분할다중접속이동통신시스템에서특정캐리어의채널이완전히오프가되더라도성능열화가가능한한적게하는멀티캐리어시스템의채널부호화장치및 그방법과, 상기채널부호화장치를다이렉트스프레딩(Direct Spreading) 방식을사용하는시스템에서도우수한성능을가지는장치및 방법을제공한다. 상기멀티캐리어시스템에서의심볼분배방법은채널부호화기를구성하는다중구성부호기들의출력심볼을정해진규칙에따라분배하여각각의멀티캐리어채널로전송하고, 채널부호화기의구성부호기들은특정구성부호기출력이전송채널에서완전히오프가되더라도전체채널부호화기의성능열화를최소화시킨다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990074809A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：KR1019980008641
申请日：1998-03-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명의 박막 제조 방법은 기판이 로딩된 챔버를 소정 온도와 압력으로 유지한 후 상기 챔버에 제1 반응물을 주입하여 상기 기판 상에 화학흡착시키는 단계를 포함한다. 그리고, 상기 화학흡착된 제1 반응물이 형성된 기판을 포함하는 챔버에 불활성 가스로 1차 퍼지하여 상기 화학흡착된 제1 반응물과 상기 화학흡착된 제1 반응물 상에 물리 흡착된 제1 반응물을 남긴다. 상기 화학흡착 및 물리 흡착된 제1 반응물이 형성된 기판을 포함하는 챔버에 제2 반응물을 주입 및 반응시켜 박막을 형성한다. 상기 박막이 형성된 챔버에 불활성 가스로 2차 퍼지한다. 상기 기판 상에 제1 반응물을 화학흡착시키는 단계부터 상기 챔버에 불활성 가스를 2차 퍼지하는 단계를 순차적으로 반복 수행하여 상기 흡착된 반응물의 양을 적절히 조절함으로써 원하는 박막 두께를 얻을 수 있다. 상기 박막의 예로는 산화 알루미늄막을 들 수 있으며, 이때, 제1 반응물 및 제2 반응물은 각각 트리 메틸 알루미늄(Al(CH
3 )
3 ) 및 수증기(H
2 O)를 이용할 수 있다. 본 발명의 박막 제조 방법에 의하면, 기판 상에 형성되는 사이클당 박막의 두께를 결정 구조상의 최밀 충진면의 주기적인 거리에 일치시킴으로써 박막의 특성을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990062428A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019980022577
申请日：1998-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 원자층증착(atomic layer deposition) 공정을 사용하는 도전층 형성방법을 개시한다. 본 발명은 금속을 함유하는 전구체 및 환원가스를 반응시키어 반도체기판 상에 희생금속원자층을 형성하고, 희생금속원자층과 반응을 잘하는 금속할로겐화합물(metal halide) 가스를 사용하여 반도체기판 상에 금속할로겐화합물 가스로부터 분해된 금속원자가 침적된 금속원자층을 형성하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명은 금속원자층 상에 실리콘 소스가스를 사용하여 실리콘원자층을 추가로 형성함으로써 금속원자층과 실리콘층을 서로 교대로 적층시킨다. 이로써, 본 발명은 반도체 기판 상에 단차도포성이 우수한 금속층 또는 금속실리사이드층을 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019990018185A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970041303
申请日：1997-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박창수
IPC: H01L27/04
Abstract: 본 발명은 강유전체막 형성시 발생되는 금속 배리어막의 산화를 최소화하는 캐패시터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 형성된 층간절연막과, 상기 층간절연막을 뚫고 상기 반도체 기판과 전기적으로 접속되도록 형성되어 있되, 그 표면이 상기 층간절연막의 상부 표면과 나란한 도전막층과, 상기 도전막층 상에 형성된 캐패시터 하부전극과, 상기 도전막층과 캐패시터 하부전극 사이에 삽입된 금속 배리어막과, 상기 금속 배리어막의 양측벽에 형성된 얇은 절연막과, 상기 캐패시터 하부전극을 포함하여 상기 층간절연막 상에 형성된 캐패시터 유전체막과, 상기 캐패시터 유전체막 상에 형성된 캐패시터 상부전극을 포함한다. 이때, 상기 캐패시터 하부전극은, 상기 금속 배리어막 상에 형성된 제1 금속막과, 상기 제1 금속막의 상부 및 양측벽에 형성된 얇은 금속 실시사이드막과, 상기 얇은 금속 실리사이드막 상에 형성되어 있되, 상기 금속 배리어막의 양측벽을 덮도록 형성된 제2 금속막을 포함한다. 이와 같은 반도체 장치 및 그의 제조 방법에 의해서, 금속 배리어막의 노출 부위에 내산화성막을 선택적으로 형성하여 산화 및 박리 현상을 최소화할 수 있고, 따라서 캐패시터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100144913B1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019950004381
申请日：1995-03-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박창수
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76876 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76862 , H01L21/76865 , H01L21/76879
Abstract: 신규한 반도체장치의 금속배선층 형성방법이 개시되어 있다. 그 위에 절연막이 형성되어 있는 반도체기판 상에 금속 배선 및 콘택홀이 형성될 부위를 정의한 다음, 결과물 상에 장벽층을 형성한다. 장벽층이 형성된 결과물 전면에 전자사이클로트론공명(ECR) 식각 및 SiH
4 플라즈마 처리를 연속으로 실시한다. 화학기상증착(CVD) 방법으로 금속배선 및 콘택홀 부위의 내부에만 알루미늄을 증착한 다음, 절연막의 표면에 존재하는 물질층들을 식각한다. ECR 식각에 의해 금속배선 및 콘택홀 부위의 측벽 표면을 매끄럽게함과 동시에 알루미늄의 핵생성 및 성장이 균일하고 빠르게 일어나도록 하고, SiH
4 플라즈마 처리에 의해 금속배선 부위 및 콘택홀 부위의 내부에만 CVD 알루미늄을 성장시킬 수 있다. -
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