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公开(公告)号：KR1020160013763A
公开(公告)日：2016-02-05
申请号：KR1020140096015
申请日：2014-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0033 , G11C13/0035 , G11C16/10 , G11C2013/0092
Abstract: 본개시는복수의제1 신호라인들과복수의제2 신호라인들이교차하는영역들에각각배치된복수의메모리셀들을포함하는메모리장치의동작방법으로서, 상기복수의메모리셀들중 선택된메모리셀에순차적으로인가되는복수의펄스들각각이프로그램루프의횟수에따라변경되도록, 상기복수의펄스들을결정하는단계; 및상기복수의펄스들의변경에대응하여, 상기복수의메모리셀들중 비선택된메모리셀들에연결되는비 선택된제1 및제2 신호라인들에각각인가되는제1 및제2 인히빗(inhibit) 전압들중 적어도하나의전압레벨이상기프로그램루프의횟수에따라변경되도록, 상기제1 및제2 인히빗전압들중 적어도하나를결정하는단계를포함하는방법을개시한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种操作存储器件的方法，该存储器件包括多个存储单元，分别布置在多个第一信号线和多个第二信号线彼此交叉的区域中。 该方法包括以下步骤：确定多个脉冲，使得依次施加到多个存储器单元中的所选存储单元的多个脉冲中的每一个根据执行程序循环的次数而改变 ; 以及确定第一和第二禁止电压中的至少一个，使得第一和第二禁止电压中的至少一个的电压电平分别施加到连接到多个存储单元中的未选择的存储单元的未选择的第一和第二信号线 根据多个脉冲的变化，根据执行程序循环的次数而改变。
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公开(公告)号：KR1020160002205A
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：KR1020140081220
申请日：2014-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C13/0002 , G11C13/0023 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2213/71
Abstract: 저항성메모리장치및 저항성메모리장치의동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른저항성메모리장치의동작방법은, 기록커맨드를수신하는단계와, N 개의타일들을포함하는제1 그룹에대해, 상기기록커맨드에응답하여일부의타일에대한셋(Set) 기록및 나머지타일에대한리셋(Reset) 기록을포함하는제1 동시기록동작을수행하는단계및 상기제1 그룹에대해, 상기기록커맨드에응답하여상기일부의타일에대한리셋(Reset) 기록및 상기나머지타일에대한셋(Set) 기록을포함하는제2 동시기록동작을수행하는단계를구비하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种电阻式存储器件及其操作方法。 电阻式存储器件的操作方法包括以下步骤：接收写入命令; 响应写入命令，对包括N个瓦片的第一组执行包括瓦片的一部分的设置写入和剩余瓦片的第一并发写入操作; 以及响应于所述写命令，对所述第一组执行包括所述片的所述部分的复位写入和对于所述第一组上的剩余片的集合写入的第二并发写操作。
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公开(公告)号：KR1020150144175A
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：KR1020140072970
申请日：2014-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C7/06 , G11C11/1673 , G11C11/56 , G11C11/5607 , G11C11/5614 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C2013/0054 , G11C2213/71
Abstract: 본개시는적어도 2 비트이상의데이터를저장하는메모리셀을포함하는메모리장치의독출방법으로서, 상기메모리셀의저항레벨이임계저항레벨이하인지판단하는단계, 상기저항레벨이상기임계저항레벨이하인경우, 상기저항레벨에반비례하는제1 인자를기초로하여상기데이터를독출하는단계, 및상기저항레벨이상기임계저항레벨보다큰 경우, 상기저항레벨에비례하는제2 인자를기초로하여상기데이터를독출하는단계를포함하는방법을개시한다.
Abstract translation: 公开了一种用于读取包括用于存储高于2位的数据的存储单元的存储器件的方法。 该方法包括：确定存储单元的电阻电平是否低于临界电阻水平的步骤; 如果电阻水平低于临界电阻水平，则基于与电阻水平成反比的第一因子读出数据的步骤; 以及如果电阻水平高于临界电阻水平，则基于与电阻水平成比例的第二因子读出数据的步骤。
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公开(公告)号：KR1020150126177A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：KR1020140053449
申请日：2014-05-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박현국
CPC classification number: G11C5/06 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C11/165 , G11C11/1655 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/4094 , G11C11/4097 , G11C11/4099 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0021 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0092 , G11C2213/71
Abstract: 동작전류가감소된메모리장치가제공된다. 상기메모리장치는제1 메모리셀과전기적으로연결된제1 로컬비트라인; 상기제1 로컬비트라인과전기적으로연결된제1 글로벌비트라인; 제2 메모리셀과전기적으로연결된제2 로컬비트라인; 및상기제2 로컬비트라인과전기적으로연결된제2 글로벌비트라인을포함하고, 상기제1 글로벌비트라인에전하를제1 충전하고, 상기제1 글로벌비트라인과상기제2 글로벌비트라인은상기제1 충전된전하를공유하고, 상기제2 글로벌비트라인에상기전하를제2 충전하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供具有降低的工作电流的存储器件。 存储器件包括电连接到第一存储器单元的第一局部位线; 电连接到第一局部位线的第一全局位线; 电连接到第二存储单元的第二局部位线; 以及电连接到第二局部位线的第二全局位线。 第一个全局位线由第一个充电过程充电。 第一个全局位线和第二个全局位线共享由第一个充电过程产生的电荷。 第二个全局位线通过第二个充电过程对这些充电进行充电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102219293B1
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：KR1020140096016
申请日：2014-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본개시는복수의제1 신호라인들과복수의제2 신호라인들이교차하는영역들에각각배치된복수의메모리셀들을포함하는메모리장치의동작방법으로서, 상기복수의메모리셀들중 선택된제1 신호라인에공통적으로연결되는선택된메모리셀들을복수의셀 영역들로분할하는단계; 및상기복수의셀 영역들에대해각각대응되는서로다른복수의독출기준들을이용하여, 상기복수의셀 영역들각각에대한독출동작들을독립적으로수행하는단계를포함한다.
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