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公开(公告)号：KR100154767B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019940021147
申请日：1994-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판 상에 패드산화막, 필드산화막, 게이트전극 및 활성영역이 형성되어 있는 반도체 소자를 외부와 전기적으로 연결시키기 위한 접촉창 및 장벽금속을 이용한 전극 배선을 형성하는 방법이다. 먼저, 게이트 전극 하부를 제외한 활성 영역 상부의 패드 산화막을 제거하고, 전면에 티타늄, 텅스텐, 몰리브덴, 백금, 납, 탄탈륨, 코발트, 크롬 및 니켈로 이루어진 일군의 금속에서 하나 이상의 금속으로 장벽 금속층을 증착한다. 장벽 금속층 위에 질화 금속막을 증착한 후, 질화 금속막 및 장벽 금속층을 사진 식각하여 활성 영역 상부에 위치한 부분만 남긴다. 전면에 절연 산화막 및 층간절연막을 차례로 적층하고 식각하여 접촉창을 형성한 다음, 접촉창을 통하여 질화 금속막과 직접 접촉하는 전극 배선을 형성한다. 이와 같이 함으로써, 장벽 금속과 확산 영역간의 접촉 면적을 크게 하여 접촉 저항을 감소시키며, 활성 영역 상부에 장벽 금속층을 미리 형성시킴으로써 접촉창 형성시 플라즈마 식각으로 인한 확산 영역의 손상을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100146264B1
公开(公告)日：1998-11-02
申请号：KR1019940007693
申请日：1994-04-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/82
Abstract: 본 발명은 금속배선의 퓨즈링크 형성방법에 관한 것으로, 규정된 전류펄스에서 1회에 금속배선이 단선되도록 배선의 소정영역을 식각하여 얇은 두께를 갖도록 퓨즈영역을 형성하는 것이다.
이는 절연막상에 금속배선을 형성하는 단계, 상기 금속배선의 소정영역을 배선의 다른 부분보다 얇은 두께를 갖도록 식각하는 단계, 상기 금속배선의 소정부위에 패드부위를 형성하는 단계로 이루어진다.-
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公开(公告)号：KR1019930006901A
公开(公告)日：1993-04-22
申请号：KR1019910015763
申请日：1991-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/535
Abstract: 반도체장치의 다층 금속배선에서 하부 금속배선의 힐록방지를 위해 캡금속층 대신 산화규소막 또는 질화규소막 등의 절연층을 하부 금속배선 상부에 rf 스퍼터링 방법으로 형성한 후 열처리한다. 따라서 캡금속층을 형성하지 않으므로 식각공정이 간단하고 후속 접촉수 형성공정시 저주파(460KHz) rf 식각방법으로도 접촉구의 내벽에 Ti 중합체등의 불순물이 생성되지 않아 접촉구의 매몰을 효과적으로 행할 수 있다. 또한 이 발명은 통상의 저주파 rf 식각방법으로 금소배선간의 전기적 접촉을 위한 접촉구를 형성하므로 식각공정에 따른 금속배선 및 충간절연막 표면의 손상르 적게줄수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019930022398A
公开(公告)日：1993-11-24
申请号：KR1019920005819
申请日：1992-04-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01C1/03
Abstract: 소자영역이 형성된 반도체 기판상에 층간 절연막을 형성하고 소자영역 부분의 절연막을 식각한 후 금속층과 중간막을 형성한다. 저항이 형성될 부분과 금속배선이외의 금속층과 중간막을 선택적으로 중간막위의 자연산화막을 제거한다. 저항막을 형성하고 저항영역을 제외하고는 중간막위의 저항막을 모두 식각한다. 따라서, 중간막위의 자연산화막 제거에 적용되는 RF 스퍼터링시 소자영역의 노출을 방지할 수있어 소자특성의 변화를 방지할 수 있고, 저항막과 중간막의 접촉불량의 방지할 수 있다. 그리고 저항막을 식각할때 중간막의 보호로 금속막의 불량을 예방할 수 있다. 또한 금속층위에 형성된 중간막으로 인해 열처리시 형성되는 힐락(Hillock)성장을 억제하여 금속배선 불량을 방지한다.
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公开(公告)号：KR1019930001821B1
公开(公告)日：1993-03-13
申请号：KR1019900006550
申请日：1990-05-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04M1/26
Abstract: The telephone for miniaturization and decreasing the effect of external noise comprises: an off-hook signal oscillator (1000), which is connected to the first switch and the rectifier (100), oscillating the control signal converting the on-hook dialing integrated circuit into the off-hook state; a pulse input section (600) outputting the pulse according to the switching of on-hook switch; a controller (700) controlling the pulse input sect. by combining the control signal corresponding to the driving of transistor; a controller (800) controlling the means for supplying the power source; a controller (900) outputting the hooking signal, which initialize the on-hook dialing integrated circuit.
Abstract translation: 用于小型化和降低外部噪声的影响的电话包括：连接到第一开关和整流器（100）的摘机信号振荡器（1000），将转接挂机拨号集成电路的控制信号振荡成 摘机状态; 根据挂机开关的切换输出脉冲的脉冲输入部（600）; 控制器（700），控制脉冲输入部分。 通过组合对应于晶体管驱动的控制信号; 控制器（800），控制用于供应电源的装置; 输出挂机信号的控制器（900），其初始化挂机拨号集成电路。
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