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公开(公告)号：KR100139599B1
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019940009594
申请日：1994-05-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 금속배선의 마이크로 보이드 및 힐락에 의한 금속배선의 단선을 방지하기 위해 금속배선의 표면 및 측면을 내열성 금속으로 캡핑(capping)하여 금속배선을 제조하였다.
또한 반도체 기판의 불순물 확산영역과 금속배선의 접촉부에서 발생하는 스파이킹, 실리콘 노듈을 방지하기 위해 내열성 금속으로서 확산방지막을 형성한 후 상기 확산방지막상에 표면 및 측면이 내열성 금속으로 캡핑된 금속배선을 형성하였다.
따라서, 본 발명의 금속배선은 일렉트로마이그레이션 및 스트레스마이그레이션에 의한 금속배선의 단선을 효과적으로 방지할 수 있어 금속배선의 신뢰성을 개선할 수 있다.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019940008883B1
公开(公告)日：1994-09-28
申请号：KR1019920005819
申请日：1992-04-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01C1/03
Abstract: The method includes the steps of forming an interlevel insulating layer on a semiconductor substrate on which a semiconductor device region is defined, forming a contact hole on the semiconductor device region, removing a native oxide layer formed on the exposed device region, sequentially forming a metal layer and a middle layer on the overall surface of the substrate, selectively removing the native oxide layer placed on the middle layer, the middle layer and the metal layer to form a contact hole, and forming a resistance layer on the overall surface of the substrate, thereby preventing the hillock formed on the metal layer during heat treatment from being grown.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成层间绝缘层，在其上限定半导体器件区域，在半导体器件区域上形成接触孔，去除暴露的器件区域上形成的自然氧化物层，依次形成金属 层和中间层，选择性地去除放置在中间层，中间层和金属层上的自然氧化物层，以形成接触孔，并在基板的整个表面上形成电阻层 从而防止在热处理期间在金属层上形成的小丘生长。
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公开(公告)号：KR1019950034515A
公开(公告)日：1995-12-28
申请号：KR1019940009594
申请日：1994-05-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 금속배선의 마이크로로 보이드 및 힐락에 의한 금속배선의 단선을 방지하기 위해 금속배선의 표면 및 측면을 내열성 금속으로 캡핑(capping)하여 금속배선을 제조하였다.
또한 반도체 기판의 불순물 확상영역과 금속배선의 접촉부에서 발생하는 스파이킹, 실리콘 노듈을 방지하기 위해 내열성 금속으로서 확산방지막을 형성한 후 상기 확상방지막상에 표면 및 측면이 내열성 금속으로 캡핑된 금속배선을 형성하였다.
따라서, 본 발명의 금속배선은 일렉트로마이그레이션 및 스트레스마이그레이션에 의한 금속배선의 단선을 효과적으로 방지할 수 있어 금속배선의 신뢰성을 개선할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019940005727B1
公开(公告)日：1994-06-23
申请号：KR1019910014613
申请日：1991-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
Abstract: The metalic layer for ohmic contact between a resistor layer and a metal layer becomes unnecessary by using the method so that process becomes simple. The method comprises the steps of: (A) forming an inter-layer insulating layer, a metal film layer and a potosensitive pattern layer sequentially on a substrate; (B) exposing the insulating layer by etching oxide metal layer and metal film layer using the photosensitive pattern layer; (C) removing the photo-sensitive layer and removing the oxide metal layer; (D) forming a resistor layer on an exposed insulating layer and metal layer and removing the resistor layer excepting the resistor and contact region; (E) executing heating process; and (F) forming a protective layer.
Abstract translation: 通过使用该方法，电阻层和金属层之间的欧姆接触的金属层变得不必要，使得工艺变得简单。 该方法包括以下步骤：（A）在衬底上依次形成层间绝缘层，金属膜层和感光图案层; （B）使用感光图案层通过蚀刻氧化物金属层和金属膜层来暴露绝缘层; （C）去除感光层并去除氧化物金属层; （D）在暴露的绝缘层和金属层上形成电阻层，除去电阻器和接触区域之外的电阻层; （E）执行加热过程; 和（F）形成保护层。
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