저항 소자를 갖는 반도체 장치 및 그 형성방법
    11.
    发明公开
    저항 소자를 갖는 반도체 장치 및 그 형성방법 有权
    具有电阻器的半导体器件及其形成方法

    公开(公告)号:KR1020090020329A

    公开(公告)日:2009-02-26

    申请号:KR1020070085013

    申请日:2007-08-23

    Abstract: A semiconductor device and a formation method are provided to reduce the gate resistance enough by not forming a metal silicide layer on the resistance pattern comprising the resistance unit. A semiconductor substrate(101) comprises an element isolation region and an active area(103) restricted by the element isolation region. A resistance pattern is formed on the element isolation region. A gate pattern has a metallic layer(127) on the active area. The resistance pattern has the lower surface lower than the surface of semiconductor substrate of the active area. The resistance pattern is comprised of a material layer(119) not including the metallic layer. The gate pattern comprises a charge trapping layer, a control gate pattern(128), and a dielectric layer between the control gate pattern and the charge trapping layer.

    Abstract translation: 提供半导体器件和形成方法,以通过在包括电阻单元的电阻图案上不形成金属硅化物层来足够地减小栅极电阻。 半导体衬底(101)包括元件隔离区和由元件隔离区限制的有源区(103)。 在元件隔离区域上形成电阻图案。 栅极图案在有源区域上具有金属层(127)。 电阻图案具有比有源区的半导体衬底的表面低的表面。 电阻图案由不包括金属层的材料层(119)组成。 栅极图案包括电荷俘获层,控制栅极图案(128)以及控制栅极图案和电荷俘获层之间的介电层。

    해쉬 주소를 이용한 통신 장치 및 방법
    12.
    发明公开
    해쉬 주소를 이용한 통신 장치 및 방법 失效
    使用HASH地址进行通信的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020070008247A

    公开(公告)日:2007-01-17

    申请号:KR1020050063328

    申请日:2005-07-13

    CPC classification number: H04L12/28 H04W88/00

    Abstract: A communication apparatus using a hash address and a method thereof are provided to give the hash address, generated through a predetermined hash function, to each station and transceive information and data frames of the stations by using the given hash address, thereby reducing the waste of a wireless network bandwidth. A communication apparatus using a has address comprises the followings: a receiver(230) for receiving a frame including a destination hardware address; a hash address generator(220) for generating a hash address by using the destination hardware address and a pre-stored hardware address of a mesh point; a searcher(240) for searching a hardware address of the mesh point corresponding to the generated hash address; and a transmitter(250) for transmitting the frame to the searched hardware address of the mesh point.

    Abstract translation: 提供使用散列地址的通信装置及其方法,以通过使用给定的散列地址给每个站给出通过预定的散列函数生成的散列地址和收发站的信息和数据帧,从而减少浪费 无线网络带宽。 使用具有地址的通信装置包括:接收器(230),用于接收包括目的地硬件地址的帧; 用于通过使用所述目的地硬件地址和网格点的预先存储的硬件地址来产生散列地址的散列地址生成器(220) 搜索器(240),用于搜索对应于所生成的散列地址的网格点的硬件地址; 以及用于将帧发送到所搜索的网点的硬件地址的发射机(250)。

    플로팅 게이트를 갖는 비휘발성 기억 소자 및 그 형성 방법
    13.
    发明授权
    플로팅 게이트를 갖는 비휘발성 기억 소자 및 그 형성 방법 失效
    具有浮动门的非易失性存储器件及其形成方法

    公开(公告)号:KR100669346B1

    公开(公告)日:2007-01-16

    申请号:KR1020050107907

    申请日:2005-11-11

    Abstract: A nonvolatile memory device and its forming method are provided to reduce a parasitic capacitance by decreasing an overlapped area between adjacent floating gates using an improved floating gate structure with a flat plate portion and a pair of wall portions. A cell isolation layer(112') for defining an active region of a cell region is formed on a substrate(100). A floating gate(124a) is formed on the cell active region. The floating gate is composed of a lower floating gate(104a) and an upper floating gate(122a). A tunnel dielectric pattern is interposed between the floating gate and the cell active region. A control gate electrode(135a) is formed on the floating gate. A blocking dielectric pattern(127a) is interposed between the control gate electrode and the floating gate. The upper floating gate includes a flat plate portion and a pair of wall portions on the flat plate portion.

    Abstract translation: 提供一种非易失性存储器件及其形成方法,通过使用具有平板部分和一对壁部分的改进的浮动栅极结构减小相邻浮动栅极之间的重叠区域来减小寄生电容。 用于限定电池区域的有源区的电池隔离层(112')形成在衬底(100)上。 浮动栅极(124a)形成在电池活性区域上。 浮栅由下浮置栅极(104a)和上浮栅(122a)构成。 在浮动栅极和电池有源区之间插入隧道电介质图案。 在浮栅上形成控制栅电极(135a)。 阻挡电介质图案(127a)插入在控制栅极电极和浮动栅极之间。 上浮动门包括平板部分和平板部分上的一对壁部分。

    모바일 애드 혹 네트워크 환경에서의 멀티캐스트 라우팅방법
    14.
    发明授权
    모바일 애드 혹 네트워크 환경에서의 멀티캐스트 라우팅방법 有权
    多媒体路由系统和移动广播网络环境的方法

    公开(公告)号:KR100664953B1

    公开(公告)日:2007-01-04

    申请号:KR1020050093099

    申请日:2005-10-04

    Inventor: 신진현

    Abstract: A multicast routing method in a mobile Ad-hoc network environment is provided to reduce the overhead for a control packet in case a source node transmits data through a multicast method in a mobile Ad-hoc network environment. In case that a source node has data to be transmitted to destination nodes, a control packet for data transmission is forwarded to the destination nodes from the source node according to a predetermined method. In this case, the control packet is transferred through a flooding method or a 1-hop broadcast method. Information for the nodes on the path, through which the control packet is transferred, is formed in a tree structure. The source node transmits the data to the destination nodes by using the formed tree structure.

    Abstract translation: 提供移动Ad-hoc网络环境中的组播路由方法,用于在源节点通过移动Ad-hoc网络环境中的多播方法传输数据的情况下减少控制分组的开销。 在源节点具有要发送到目的地节点的数据的情况下,根据预定方法将用于数据传输的控制分组从源节点转发到目的地节点。 在这种情况下,控制分组通过洪泛方式或1跳广播方式传送。 通过树状结构形成传输控制包的路径上的节点的信息。 源节点通过使用形成的树结构将数据发送到目的节点。

    무선 네트워크 장치 및 이를 이용한 통신 방법
    15.
    发明授权
    무선 네트워크 장치 및 이를 이용한 통신 방법 失效
    无线网络设备和使用无线网络设备的通信方式

    公开(公告)号:KR100621590B1

    公开(公告)日:2006-09-19

    申请号:KR1020040082922

    申请日:2004-10-16

    CPC classification number: H04W8/26 H04L29/12207 H04L45/122 H04L61/20 H04W36/14

    Abstract: 본 발명은 무선 네트워크 장치 및 이를 이용한 통신 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 무선 네트워크 사이에 용이한 핸드 오프가 이루어질 수 있도록 하는 무선 네트워크 장치 및 이를 이용한 통신 방법에 관한 것이다.
    본 발명의 실시예에 따른 무선 네트워크 장치는, 소정의 무선 네트워크 내에서 사용할 주소를 생성하는 주소 생성부와, 상기 무선 네트워크의 라우터 정보를 설정하는 라우터 정보 설정부와, 상기 라우터 정보에 따라 상기 주소 생성부 및 라우터 정보 설정부의 동작을 제어하고, 상기 라우터 정보에 해당하는 무선 네트워크로의 핸드 오프를 수행하는 제어부를 포함한다.
    IPv6, 핸드 오프

    애드 혹 네트워크에서의 데이터 전송 방법 및 장치
    16.
    发明公开
    애드 혹 네트워크에서의 데이터 전송 방법 및 장치 失效
    用于在公共网络中传输数据的方法和装置

    公开(公告)号:KR1020060005834A

    公开(公告)日:2006-01-18

    申请号:KR1020040054813

    申请日:2004-07-14

    Inventor: 신진현

    CPC classification number: H04L47/27 H04L47/283 H04W28/10 H04W84/18

    Abstract: 본 발명은 애드 혹 네트워크 에서의 데이터 전송 방법 및 장치에 관한 것이다.
    본 발명의 실시예에 따른 애드 혹 네트워크에서의 데이터 전송 방법은 매 응답 패킷 수신시 마다 순간 대역폭 값들을 계산하는 단계와, 계산된 순간 대역폭 값들의 개수가 소정의 임계 개수 이상인 경우 순간 대역폭 값들을 사용하여 시간에 따른 사용 가능 대역폭을 예측할 수 있는 추세 방정식을 구하는 단계, 및 추세 방정식을 통해 예측되는 대역폭에 따라 혼잡 윈도우의 크기를 조절하여 데이터를 전송하는 단계를 포함한다.
    본 발명에 따르면 사용 가능한 대역폭을 예측함으로써 네트워크 자원의 사용 효율을 높일 수 있다.
    혼잡 윈도우, 데이터 전송률, RTT, 대역폭

    얕은 트렌치 소자분리구조를 가지는 플래시 메모리 소자및 그제조방법
    17.
    发明授权
    얕은 트렌치 소자분리구조를 가지는 플래시 메모리 소자및 그제조방법 有权
    具有浅层隔离结构的闪存存储器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR100487532B1

    公开(公告)日:2005-05-03

    申请号:KR1020020044637

    申请日:2002-07-29

    CPC classification number: H01L27/11521 H01L27/115

    Abstract: 얕은 트렌치 소자분리구조를 가지는 플래시 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 이 소자는, 반도체 기판과, 반도체 기판에 형성된 복수개의 나란한 트렌치들과, 트렌치 내에 채워진 소자분리 패턴을 가진다. 소자분리패턴은 상부가 반도체 기판의 상부면으로 부터 돌출되고, 돌출된 상부는 경사진 측벽을 갖는다. 소자분리패턴의 상부면의 폭은 트렌치의 상부 폭보다 좁다. 경사진 측벽을 갖는 돌출된 소자분리패턴을 형성하는 방법은 반도체 기판 상에 서로 평행한 하드마스크 패턴 및 이들 사이의 기판에 트렌치를 형성한다. 트렌치의 내부 및 트렌치 양측에 인접한 하드마스크 패턴 사이의 영역에 채워진 절연막패턴을 형성하고, 하드마스크 패턴을 제거하여 반도체 기판의 상부면으로부터 돌출된 절연막 패턴의 상부 측벽을 노출시킨다. 절연막 패턴을 등방성 식각하여 반도체 기판의 상부면으로 부터 돌출된 상부를 갖는 소자분리 패턴을 형성한다. 소자분리 패턴의 상부면의 폭은 상기 트렌치의 상부 폭보다 좁게 형성한다.

    트렌치 소자분리막을 갖는 반도체소자 형성방법
    18.
    发明授权
    트렌치 소자분리막을 갖는 반도체소자 형성방법 失效
    形成具有沟槽器件隔离层的半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR100476934B1

    公开(公告)日:2005-03-16

    申请号:KR1020020061720

    申请日:2002-10-10

    Inventor: 신진현 윤재선

    CPC classification number: H01L21/76224

    Abstract: 트렌치 소자분리막을 갖는 반도체소자의 형성방법을 제공한다. 이 방법은 반도체기판에 버퍼절연막 및 하드마스크막을 차례로 형성하는 단계를 구비한다. 하드마스크막 및 버퍼절연막을 연속적으로 패터닝하여 반도체기판의 소정영역을 노출시키는 개구부를 형성한다. 노출된 반도체기판을 선택적으로 식각하여 트렌치를 형성하고, 트렌치 내에 상부 측벽에 홈을 갖는 하부 소자분리막을 형성한다. 하부 소자분리막 상에 홈 및 트렌치를 채우는 상부 소자분리막을 형성하고, 하드마스크막 및 버퍼절연막을 반도체기판이 노출될때가지 식각하여 제거한다. 이때, 홈은 반도체기판의 표면으로 부터 소정의 깊이를 갖는다.

    비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법

    公开(公告)号:KR1019990060607A

    公开(公告)日:1999-07-26

    申请号:KR1019970080849

    申请日:1997-12-31

    Inventor: 신진현 이상진

    Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는, 고전압 및 저전압 트랜지스터 영역의 게이트 절연막의 두께의 차이를 이용하여 저전압 트랜지스터 영역에 고농도의 n-이온영역을 형성함으로써 사진공정과 열처리 공정이 추가되지 않는다. 또한 저전압 및 고전압 트랜지스터 영역의 게이트 절연막의 식각량을 모두 저전압 트랜지스터의 게이트 절연막의 두께로 일치시켜 에치백시 필드 절연막의 손실을 최소화하여 필드 분리의 특성을 개선시킨다. 또한, 저전압 트랜지스터의 게이트 절연막 형성시 이미 소정의 게이트 절연막이 형성되어 있는 고전압 트랜지스터에 동시에 형성시킨 후, 이온주입공정을 실시함으로써 게이트 절연막을 두께를 두껍게 하지 않고도 높은 수준의 GIBV 및 펀치스루 특성을 향상시킬 수 있는 고전압 트랜지스터를 제조할 수 있다.

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