Abstract:
A device and a method for shortening a filename are provided to enable a user to recognize the filename conveniently in a computing system by shortening and displaying the filename when the long filename is displayed. A filename analyzer(210) separates at least one word forming a filename from the filename by analyzing the filename and separates at least one basic word from the separated words. The basic word is previously determined by using the words frequently used for the filename. A storing part(220) stores a deleted word list including the words to be deleted in relation with the basic word and a remaining word list including the words to be kept in the relation with the basic word. A filename generator(230) filters the separated words by using the deleted and remaining word lists, and generates the short filename by using the filtered words. The filename analyzer analyzes the filename by using symbols for discriminating the words forming the filename.
Abstract:
본 발명은 방송 콘텐츠의 출력 시간을 단축하기 위한 디지털 방송 수신 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 디지털 방송 수신 장치는, 디지털 방송 신호로부터 전송 스트림을 생성하는 전송 스트림 생성부; 전송 스트림을 버퍼링하는 전송 스트림 버퍼; 버퍼링된 전송 스트림을 신뢰할 수 있는지 결정하는 제어부; 제어부에 의해 버퍼링된 전송 스트림이 신뢰할 수 있는 것으로 결정된 경우 버퍼링된 전송 스트림으로부터 방송 콘텐츠를 해석하는데 필요한 해석 정보를 검색하고, 해석 정보에 기초하여 방송 콘텐츠를 검색하는 전송 스트림 처리부; 및 검색된 방송 콘텐츠를 처리하는 오디오 비디오 처리부를 포함한다. 본 발명에 따르면, 방송 콘텐츠를 신속하게 출력하여 사용자에게 제공할 수 있다. 디지털 방송, DMB, DVB, 전송 스트림, 방송 콘텐츠
Abstract:
An apparatus and a method for receiving a digital broadcast to shorten an output time of broadcast contents are provided to search interpretation information for interpreting broadcast contents to be sequentially checked and the broadcast contents from a buffered transport stream. A transport stream generating unit(310) generates a transport stream from a digital broadcast signal. A transport stream buffer(320) buffers the transport stream. A controller(330) determines whether the buffered transport stream is reliable. When the buffered transport stream is reliable, a transport stream processing unit(340) searches interpretation information required for interpreting the broadcast contents from the buffered transport stream, and searches the broadcast contents based on the interpretation information. An audio/video processing unit(310) processes the searched broadcast contents.
Abstract:
A nano wire forming method and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provided to simplify manufacturing processes and to reduce fabrication costs by using a partial etching process on a bulk semiconductor substrate. A trench is formed by etching partially a semiconductor substrate. An insulating pattern for filling the trench and covering selectively first and second regions is formed on the resultant structure. An opening portion is formed on the resultant structure by etching the substrate using the insulating pattern as an etch mask. A spacer is formed at sidewalls of the opening portion and insulating pattern. An isotropic etching process is preformed on a bottom portion of the opening to expose partially the insulating pattern of the trench to the outside. At this time, a nano wire(124) for contacting the second region is formed on the resultant structure.
Abstract:
3차원 시모스(CMOS) 전계효과 트랜지스터 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 상기 3차원 시모스 전계효과 트랜지스터는 반도체기판을 구비한다. 상기 반도체기판은 엔모오스(NMOS) 활성영역 및 피모오스(PMOS) 활성영역을 갖는다. 한편, 상기 활성영역들 각각은 채널영역 및 상기 채널영역에 의해 이격된 소오스/드레인 영역들을 갖다. 이에 더하여, NMOS 게이트전극이 상기 NMOS 채널영역의 상부 및 양 측벽들을, PMOS 게이트전극이 상기 PMOS 채널영역의 상부 및 양 측벽들을 덮는다. 이때, 상기 NMOS 게이트전극 및 PMOS 게이트전극은 각각 N형 도우프트 폴리 실리콘 및 P형 도우프트 폴리 실리콘 물질이다. 상기 게이트 전극들과 상기 채널영역들 사이에 각각 게이트 절연막들이 개재된다. 상기 PMOS 게이트전극에 의해 덮히는 상기 채널영역의 양 측벽들의 높이가 상기 NMOS 게이트전극에 의해 덮히는 상기 채널영역의 양 측벽들의 높이와 다르다. 이에 따라, NMOS 전계효과 트랜지스터와 PMOS 전계효과 트랜지스터의 전류구동능력을 상호 독립적으로 최적화할 수 있는 3차원 CMOS 전계효과 트랜지스터를 제공한다. 3차원 CMOS 전계효과 트랜지스터, 핀 전계효과 트랜지스터(FinFET)
Abstract:
서로 다른 기하학적 구조를 갖는 트랜지스터들을 구비하는 반도체소자의 제조방법들 및 그에 의해 제조된 반도체소자들을 제공한다. 셀 영역과 주변회로 영역을 분리하여 순차적으로 트랜지스터들을 제조할 수 있으므로, 상기 셀 영역에는 고집적화에 적합한 핀 전계효과 트랜지스터 또는 리세스 채널 트랜지스터를 형성하고, 상기 주변회로 영역에는 여러 가지 특성에 적합한 형태의 트랜지스터들을 제조할 수 있다. 이 제조방법은, 반도체기판 상에 소자분리막을 형성하여 셀 활성영역 및 주변 활성영역을 한정한다. 이어서, 상기 셀 영역에 핀 또는 리세스 채널 전계효과 트랜지스터의 게이트를 형성한다. 상기 셀 영역을 덮는 셀 게이트보호막을 형성한다. 다음, 상기 주변회로 영역에 평판형 전계효과 트랜지스터의 게이트를 형성한다. 이때, 주변 게이트절연막은 주변회로의 여러 가지 특성에 적합하도록 셀 게이트절연막과 다른 두께 및 다른 성막물질로 제작할 수 있다.
Abstract:
FIN형 MOSFET이 개시되어 있다. 기판의 소자 형성 영역에서 게이트 형성 부위에 제1 액티브 영역을 구비한다. 기판의 소자 분리 영역에서 게이트 형성 부위에, 상기 제1 액티브 영역보다 낮은 단차를 갖는 제1 필드 영역을 구비한다. 상기 소자 형성 영역에서 게이트 형성 부위 이외의 부위에 제2 액티브 영역을 구비한다. 상기 소자 분리 영역에서 상기 게이트 형성 부위 이외의 부위에 상기 제2 액티브 영역과 실질적으로 동일 단차를 갖는 제2 필드 영역을 구비한다. 그리고, 상기 제1 액티브 영역 및 제1 필드 영역 상에 게이트 구조물이 형성되어 있다. 상기 FIN형 MOSFET은 쇼트 채널 효과 및 정션 커패시터가 감소되는 효과가 있다.
Abstract:
A device and a method for performing additional functions of an electronic device automatically in a hold-on state are provided to perform the desired additional function of a user automatically even though a hold key is switched into the hold-on state by checking a user's intention switched into the hold-on state. A storing part(13) stores a table including a condition for performing additional functions of an electronic device(10). A controller(15) performs the additional function automatically if the condition is satisfied when a hold key of the electronic device is switched into a hold-on state. The table includes a state of the electronic device and the additional function corresponding to the state. The controller automatically performs the additional function corresponding to the state when the current state of the electronic device is identical with one of the states stored in the table.