파일명 단축 장치 및 방법
    11.
    发明公开
    파일명 단축 장치 및 방법 无效
    缩短文件名称的方法和方法

    公开(公告)号:KR1020080047129A

    公开(公告)日:2008-05-28

    申请号:KR1020060117098

    申请日:2006-11-24

    Inventor: 안영준 최현석

    CPC classification number: G06F17/2276 G06F17/30123

    Abstract: A device and a method for shortening a filename are provided to enable a user to recognize the filename conveniently in a computing system by shortening and displaying the filename when the long filename is displayed. A filename analyzer(210) separates at least one word forming a filename from the filename by analyzing the filename and separates at least one basic word from the separated words. The basic word is previously determined by using the words frequently used for the filename. A storing part(220) stores a deleted word list including the words to be deleted in relation with the basic word and a remaining word list including the words to be kept in the relation with the basic word. A filename generator(230) filters the separated words by using the deleted and remaining word lists, and generates the short filename by using the filtered words. The filename analyzer analyzes the filename by using symbols for discriminating the words forming the filename.

    Abstract translation: 提供了一种用于缩短文件名的设备和方法,以使得用户能够通过在显示长文件名时缩短并显示文件名,在计算系统中方便地识别文件名。 文件分析器(210)通过分析文件名将至少一个形成文件名的文件名与文件名分开,并将至少一个基本词从分离的单词中分离出来。 先前通过使用常用于文件名的单词来确定基本单词。 存储部分(220)存储包括与基本词相关的要被删除的词的删除单词列表和包括与基本单词保持关系的单词的剩余单词列表。 文件名生成器(230)通过使用已删除和剩余的单词列表过滤分离的单词,并使用过滤的单词生成短文件名。 文件名分析器通过使用符号来分析文件名,以区分形成文件名的单词。

    방송 콘텐츠의 출력 시간을 단축하기 위한 디지털 방송 수신 장치 및 방법, 그리고 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체
    12.
    发明授权
    방송 콘텐츠의 출력 시간을 단축하기 위한 디지털 방송 수신 장치 및 방법, 그리고 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체 有权
    用于减少广播内容的输出时间的数字广播接收装置和方法及其计算机可读介质

    公开(公告)号:KR100813976B1

    公开(公告)日:2008-03-17

    申请号:KR1020060045113

    申请日:2006-05-19

    Inventor: 안영준 황철주

    CPC classification number: H04H20/26

    Abstract: 본 발명은 방송 콘텐츠의 출력 시간을 단축하기 위한 디지털 방송 수신 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 디지털 방송 수신 장치는, 디지털 방송 신호로부터 전송 스트림을 생성하는 전송 스트림 생성부; 전송 스트림을 버퍼링하는 전송 스트림 버퍼; 버퍼링된 전송 스트림을 신뢰할 수 있는지 결정하는 제어부; 제어부에 의해 버퍼링된 전송 스트림이 신뢰할 수 있는 것으로 결정된 경우 버퍼링된 전송 스트림으로부터 방송 콘텐츠를 해석하는데 필요한 해석 정보를 검색하고, 해석 정보에 기초하여 방송 콘텐츠를 검색하는 전송 스트림 처리부; 및 검색된 방송 콘텐츠를 처리하는 오디오 비디오 처리부를 포함한다. 본 발명에 따르면, 방송 콘텐츠를 신속하게 출력하여 사용자에게 제공할 수 있다.
    디지털 방송, DMB, DVB, 전송 스트림, 방송 콘텐츠

    방송 콘텐츠의 출력 시간을 단축하기 위한 디지털 방송 수신 장치 및 방법, 그리고 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체

    公开(公告)号:KR1020070111820A

    公开(公告)日:2007-11-22

    申请号:KR1020060045113

    申请日:2006-05-19

    Inventor: 안영준 황철주

    CPC classification number: H04H20/26

    Abstract: An apparatus and a method for receiving a digital broadcast to shorten an output time of broadcast contents are provided to search interpretation information for interpreting broadcast contents to be sequentially checked and the broadcast contents from a buffered transport stream. A transport stream generating unit(310) generates a transport stream from a digital broadcast signal. A transport stream buffer(320) buffers the transport stream. A controller(330) determines whether the buffered transport stream is reliable. When the buffered transport stream is reliable, a transport stream processing unit(340) searches interpretation information required for interpreting the broadcast contents from the buffered transport stream, and searches the broadcast contents based on the interpretation information. An audio/video processing unit(310) processes the searched broadcast contents.

    Abstract translation: 提供了一种用于接收数字广播以缩短广播内容的输出时间的装置和方法,用于从缓冲的传输流解码要顺序检查的广播内容和广播内容的搜索解释信息。 传输流生成单元(310)从数字广播信号生成传输流。 传输流缓冲器(320)缓冲传输流。 控制器(330)确定缓冲的传输流是否可靠。 当缓冲的传输流是可靠的时,传输流处理单元(340)从缓冲的传输流中搜索解释广播内容所需的解释信息,并根据解释信息搜索广播内容。 音频/视频处理单元(310)处理搜索到的广播内容。

    나노선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
    14.
    发明公开
    나노선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 有权
    用于形成纳米线的方法和使用其制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR1020060116918A

    公开(公告)日:2006-11-16

    申请号:KR1020050039444

    申请日:2005-05-11

    Abstract: A nano wire forming method and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provided to simplify manufacturing processes and to reduce fabrication costs by using a partial etching process on a bulk semiconductor substrate. A trench is formed by etching partially a semiconductor substrate. An insulating pattern for filling the trench and covering selectively first and second regions is formed on the resultant structure. An opening portion is formed on the resultant structure by etching the substrate using the insulating pattern as an etch mask. A spacer is formed at sidewalls of the opening portion and insulating pattern. An isotropic etching process is preformed on a bottom portion of the opening to expose partially the insulating pattern of the trench to the outside. At this time, a nano wire(124) for contacting the second region is formed on the resultant structure.

    Abstract translation: 提供一种纳米线形成方法和使用其的半导体器件的制造方法,以简化制造工艺并通过在体半导体衬底上使用局部蚀刻工艺来降低制造成本。 通过部分蚀刻半导体衬底形成沟槽。 在所得结构上形成用于填充沟槽并选择性地覆盖第一和第二区域的绝缘图案。 通过使用绝缘图案作为蚀刻掩模蚀刻基板,在所得结构上形成开口部分。 隔离件形成在开口部分的侧壁和绝缘图案上。 在开口的底部上进行各向同性蚀刻处理,以将沟槽的绝缘图案部分地暴露于外部。 此时,在所得结构上形成用于接触第二区域的纳米线(124)。

    3차원 시모스 전계효과 트랜지스터 및 그것을 제조하는 방법
    15.
    发明授权
    3차원 시모스 전계효과 트랜지스터 및 그것을 제조하는 방법 有权
    三维CMOS场效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR100576361B1

    公开(公告)日:2006-05-03

    申请号:KR1020040019754

    申请日:2004-03-23

    Abstract: 3차원 시모스(CMOS) 전계효과 트랜지스터 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 상기 3차원 시모스 전계효과 트랜지스터는 반도체기판을 구비한다. 상기 반도체기판은 엔모오스(NMOS) 활성영역 및 피모오스(PMOS) 활성영역을 갖는다. 한편, 상기 활성영역들 각각은 채널영역 및 상기 채널영역에 의해 이격된 소오스/드레인 영역들을 갖다. 이에 더하여, NMOS 게이트전극이 상기 NMOS 채널영역의 상부 및 양 측벽들을, PMOS 게이트전극이 상기 PMOS 채널영역의 상부 및 양 측벽들을 덮는다. 이때, 상기 NMOS 게이트전극 및 PMOS 게이트전극은 각각 N형 도우프트 폴리 실리콘 및 P형 도우프트 폴리 실리콘 물질이다. 상기 게이트 전극들과 상기 채널영역들 사이에 각각 게이트 절연막들이 개재된다. 상기 PMOS 게이트전극에 의해 덮히는 상기 채널영역의 양 측벽들의 높이가 상기 NMOS 게이트전극에 의해 덮히는 상기 채널영역의 양 측벽들의 높이와 다르다. 이에 따라, NMOS 전계효과 트랜지스터와 PMOS 전계효과 트랜지스터의 전류구동능력을 상호 독립적으로 최적화할 수 있는 3차원 CMOS 전계효과 트랜지스터를 제공한다.
    3차원 CMOS 전계효과 트랜지스터, 핀 전계효과 트랜지스터(FinFET)

    반도체소자의 제조방법들 및 그에 의해 제조된 반도체소자들
    16.
    发明公开
    반도체소자의 제조방법들 및 그에 의해 제조된 반도체소자들 有权
    制造半导体器件的方法及其制造的半导体器件

    公开(公告)号:KR1020050103810A

    公开(公告)日:2005-11-01

    申请号:KR1020040029118

    申请日:2004-04-27

    Abstract: 서로 다른 기하학적 구조를 갖는 트랜지스터들을 구비하는 반도체소자의 제조방법들 및 그에 의해 제조된 반도체소자들을 제공한다. 셀 영역과 주변회로 영역을 분리하여 순차적으로 트랜지스터들을 제조할 수 있으므로, 상기 셀 영역에는 고집적화에 적합한 핀 전계효과 트랜지스터 또는 리세스 채널 트랜지스터를 형성하고, 상기 주변회로 영역에는 여러 가지 특성에 적합한 형태의 트랜지스터들을 제조할 수 있다. 이 제조방법은, 반도체기판 상에 소자분리막을 형성하여 셀 활성영역 및 주변 활성영역을 한정한다. 이어서, 상기 셀 영역에 핀 또는 리세스 채널 전계효과 트랜지스터의 게이트를 형성한다. 상기 셀 영역을 덮는 셀 게이트보호막을 형성한다. 다음, 상기 주변회로 영역에 평판형 전계효과 트랜지스터의 게이트를 형성한다. 이때, 주변 게이트절연막은 주변회로의 여러 가지 특성에 적합하도록 셀 게이트절연막과 다른 두께 및 다른 성막물질로 제작할 수 있다.

    반도체 장치 및 이의 형성 방법
    17.
    发明公开
    반도체 장치 및 이의 형성 방법 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020050078729A

    公开(公告)日:2005-08-08

    申请号:KR1020040006524

    申请日:2004-02-02

    CPC classification number: H01L29/7851 H01L29/66818 Y10S257/90

    Abstract: FIN형 MOSFET이 개시되어 있다. 기판의 소자 형성 영역에서 게이트 형성 부위에 제1 액티브 영역을 구비한다. 기판의 소자 분리 영역에서 게이트 형성 부위에, 상기 제1 액티브 영역보다 낮은 단차를 갖는 제1 필드 영역을 구비한다. 상기 소자 형성 영역에서 게이트 형성 부위 이외의 부위에 제2 액티브 영역을 구비한다. 상기 소자 분리 영역에서 상기 게이트 형성 부위 이외의 부위에 상기 제2 액티브 영역과 실질적으로 동일 단차를 갖는 제2 필드 영역을 구비한다. 그리고, 상기 제1 액티브 영역 및 제1 필드 영역 상에 게이트 구조물이 형성되어 있다. 상기 FIN형 MOSFET은 쇼트 채널 효과 및 정션 커패시터가 감소되는 효과가 있다.

    홀드-온 전환시 전자 기기의 부가 기능을 자동 수행하는방법 및 장치
    20.
    发明公开
    홀드-온 전환시 전자 기기의 부가 기능을 자동 수행하는방법 및 장치 有权
    电子设备切换到保持状态时执行附加功能的方法和方法

    公开(公告)号:KR1020080051758A

    公开(公告)日:2008-06-11

    申请号:KR1020060123374

    申请日:2006-12-06

    Inventor: 박정훈 안영준

    CPC classification number: G06F1/3203

    Abstract: A device and a method for performing additional functions of an electronic device automatically in a hold-on state are provided to perform the desired additional function of a user automatically even though a hold key is switched into the hold-on state by checking a user's intention switched into the hold-on state. A storing part(13) stores a table including a condition for performing additional functions of an electronic device(10). A controller(15) performs the additional function automatically if the condition is satisfied when a hold key of the electronic device is switched into a hold-on state. The table includes a state of the electronic device and the additional function corresponding to the state. The controller automatically performs the additional function corresponding to the state when the current state of the electronic device is identical with one of the states stored in the table.

    Abstract translation: 提供用于在保持状态下自动执行电子设备的附加功能的设备和方法,以便即使通过检查用户的意图将保持键切换到保持状态来自动执行用户的期望的附加功能 切换到保持状态。 存储部件(13)存储包括用于执行电子设备(10)的附加功能的条件的表格。 如果在将电子设备的保持键切换为保持状态时满足条件,则控制器(15)自动执行附加功能。 该表包括电子设备的状态和对应于状态的附加功能。 当电子设备的当前状态与存储在表中的状态之一相同时,控制器自动执行与状态相对应的附加功能。

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