公开(公告)号：KR3009210850000S

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：KR3020170013973

申请日：2017-03-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 양민호 ,  박민규 ,  이상윤 ,  유현우

公开(公告)号：KR1020160139132A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：KR1020150073232

申请日：2015-05-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 나민욱 ,  전한경 ,  양민호 ,  전은비 ,  박정현 ,  황민경 ,  김건수

IPC: H04L12/58 ,  G06F3/048 ,  G06F3/01

CPC classification number: H04M1/72527 ,  H04M1/72552 ,  H04M1/72569

Abstract: 본발명의전자장치는, 외부전자장치와통신을수행하는동작, 상기통신에의한메시지에연관된상황정보를확인하는동작및 상기확인된상황정보를기반으로메시지표시영역의배경정보를제공하는동작을포함할수 있으며, 이로인해메시지통신에관련한사용자의흥미를유발할수 있다.

Abstract translation: 提供电子设备。 电子设备包括在显示器的显示屏幕上显示至少一个消息的操作，识别与至少一个消息相关的上下文信息的操作以及提供显示屏幕的消息显示区域的背景信息的操作 基于所识别的上下文信息。 因此，可以增强用户对消息通信的兴趣。

公开(公告)号：KR101203692B1

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：KR1020060015154

申请日：2006-02-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백호선 ,  장태훈 ,  성연준 ,  사공탄 ,  양민호

IPC: H01L21/20 ,  H01S3/0941

CPC classification number: C30B7/005 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265

Abstract: 본 발명은 펜데오 에피탁시 성장용 기판 및 그 형성 방법에 관한 것이다. 기판, 상기 기판 상에 제 1방향으로 형성된 다수의 펜데오 에피탁시 성장을 위한 패턴 영역; 및 상기 다수의 패턴 영역들과 접촉하며 상기 기판 상에 제 2방향으로 형성된 장벽층;을 포함하는 펜데오 에피탁시 성장용 기판을 제공한다. 따라서, 펜데오 에피탁시 공정에서 에어 갭의 존재에 의해 발생할 수 있는 오염 및 소자의 불량 현장을 방지하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020090013387A

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：KR1020070077457

申请日：2007-08-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재현 ,  양민호 ,  백현석 ,  박정훈 ,  최도연

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L28/57 ,  H01L23/3171 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/11502

Abstract: A ferroelectric memory device and manufacturing method thereof are provided to prevent the hydrogen(H) from penetrating into the capacitor and to prevent the characteristic deterioration of capacitor. The method of manufacturing the ferroelectric memory device comprises as follows. The ferroelectric film(220) is formed on the bottom electrode(210). The upper electrode(230) is formed on the ferroelectric film. The insulating layer(400) is formed to cover the capacitor(200). The insulating layer is partially eliminated to expose the upper electrode. The protective film for covers the insulating layer the exposed upper electrode is formed to prevent the hydrogen penetration. The assisted electrode layer including the first metal on the protective film is formed.

Abstract translation: 提供一种铁电存储器件及其制造方法，以防止氢（H）渗入电容器并防止电容器的特性劣化。 铁电存储器件的制造方法如下。 铁电体膜（220）形成在底部电极（210）上。 上电极（230）形成在铁电体膜上。 绝缘层（400）形成为覆盖电容器（200）。 绝缘层被部分地消除以暴露上电极。 用于覆盖绝缘层的保护膜形成暴露的上电极以防止氢穿透。 在保护膜上形成包含第一金属的辅助电极层。