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公开(公告)号：WO2013024913A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2011/006012
申请日：2011-08-17
CPC classification number: F21K9/56 , F21K9/64 , F21V9/30 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L33/507 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 발광장치에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은, 청색광을 방출하는 청색 발광소자 및 자외선 광을 방출하는 자외선 발광소자를 구비하는 복수의 발광소자 및 상기 복수의 발광소자에서 방출된 광의 경로 상에 배치되며, 상기 복수의 발광소자에서 방출된 광의 파장을 변환하도록 형광체를 구비하되, 상기 청색 발광소자에 대응하는 제1 영역에는 상기 청색광에 의하여 여기되며 상기 청색광과 혼합되어 백색광이 얻어질 수 있는 색의 형광체가 구비되고, 상기 자외선 발광소자에 대응하는 제2 영역에는 적어도 청색 형광체가 구비되는 파장변환부를 포함하는 발광장치를 제공한다. 본 발명에서 제안하는 발광장치를 사용할 경우, 하나의 모듈 내에 광원 및 형광체의 조합을 적절히 채용함으로써 발광 효율이 향상됨과 더불어 고 연색성을 갖는 백색광을 얻을 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种发光装置。 根据本发明的一个方面，发光器件包括：多个发光器件，包括发射蓝光的蓝色发光器件和发射紫外光的UV发光器件; 以及布置在从所述多个发光器件发射的光的路径中的波长转换部分，并且设置有用于转换从所述多个发光器件发射的光的波长的荧光物质，其中由所述多个发光器件激发和混合的荧光物质 在对应于蓝色发光器件的第一区域上布置有获得白光的蓝色光，并且至少一个蓝色荧光物质被布置在与UV发光器件对应的第二区域上。 当使用根据本发明的发光装置时，可以适当地采用一个模块内的光源和荧光物质的组合以获得改进的发光效率和具有高显色指数的白光。
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公开(公告)号：KR1020130066221A
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：KR1020110132956
申请日：2011-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76892 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05171 , H01L2224/05568 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13012 , H01L2224/13016 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a bump is provided to reduce manufacturing costs by changing the shape of the bump without changing the shape of an electrode pad. CONSTITUTION: A bump is formed on an electrode pad comprised in a semiconductor device. The shape of the bump is controlled by reflowing the semiconductor device with the bump under an oxygen atmosphere. The electrode pad includes a first electrode layer(141) and a second electrode layer(142). The first electrode layer is formed on the semiconductor device, and is made of chrome. The second electrode layer is formed on the first electrode layer, and is made of more than one metal among gold, silver, platinum and palladium.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造凸块的方法，以通过改变凸块的形状而不改变电极垫的形状来降低制造成本。 构成：在包括在半导体器件中的电极焊盘上形成凸点。 通过在氧气氛下用凸块回流半导体器件来控制凸块的形状。 电极焊盘包括第一电极层（141）和第二电极层（142）。 第一电极层形成在半导体器件上，并由铬制成。 第二电极层形成在第一电极层上，由金，银，铂和钯中的多种金属制成。
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公开(公告)号：KR100773555B1
公开(公告)日：2007-11-06
申请号：KR1020060068410
申请日：2006-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02647 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02469 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02551 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02645
Abstract: A semiconductor substrate having low defects and a manufacturing method thereof are provided to improve a light output property of a light emitting device formed on a semiconductor device by lowering defect density. A first semiconductor layer(12) is made of Group III-V semiconductor material, of which an amorphous region(12b) and a crystalline region(12a) are formed on an upper surface. A second semiconductor layer(20) is formed on the first semiconductor layer, and is grown from the crystalline region. The second semiconductor layer has a vertical growth region(20a) grown from the crystalline region and a lateral growth region(20b) grown laterally from the vertical growth region.
Abstract translation: 提供具有低缺陷的半导体衬底及其制造方法，以通过降低缺陷密度来改善形成在半导体器件上的发光器件的光输出特性。 第一半导体层（12）由III-V族半导体材料制成，在上表面上形成非晶区域（12b）和结晶区域（12a）。 第二半导体层（20）形成在第一半导体层上，并从结晶区域生长。 第二半导体层具有从结晶区域生长的垂直生长区域（20a）和从垂直生长区域横向生长的横向生长区域（20b）。
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公开(公告)号：KR1020050017685A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：KR1020030053889
申请日：2003-08-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S3/0941 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y20/00 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S2301/173
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device having a super lattice structure semiconductor layer and its fabrication method are provided to reduce series resistance without reducing optical confinement. CONSTITUTION: The semiconductor device includes a super lattice structure semiconductor layer stacked with the first material layer(581) and the second material layer(582) in turn. A number of holes(581a,582a) are formed in each of the first and the second material layer, and each hole of the corresponding material layer is filled with a material of other adjacent material layer. The super lattice structure is a p-type semiconductor layer, and has a structure of GaN/AlGaN.
Abstract translation: 目的：提供具有超晶格结构半导体层的半导体器件及其制造方法，以减少串联电阻而不减少光学限制。 构成：半导体器件包括依次与第一材料层（581）和第二材料层（582）堆叠的超晶格结构半导体层。 在第一和第二材料层的每一个中形成有多个孔（581a，582a），并且相应材料层的每个孔都填充有相邻材料层的材料。 超晶格结构是p型半导体层，并且具有GaN / AlGaN的结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120110867A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：KR1020110029029
申请日：2011-03-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to simplify a process by forming electrode materials to pass through insulating materials. CONSTITUTION: A compound semiconductor structure(120) includes a first N-type compound semiconductor layer(123), an active layer(122) and a P-type semiconductor layer(121). A P-type electrode layer(150) is formed on the upper side of the P-type compound semiconductor layer. The P-type electrode layer is electrically connected to the P-type compound semiconductor layer. A plurality of insulating walls(131,132) is arranged on both sides of the compound semiconductor structure. A plurality of N-type electrode layer(141,142) is formed to pass through the plurality of insulting walls.
Abstract translation: 目的：提供发光器件及其制造方法，以通过形成通过绝缘材料的电极材料来简化工艺。 构成：化合物半导体结构（120）包括第一N型化合物半导体层（123），有源层（122）和P型半导体层（121）。 P型电极层（150）形成在P型化合物半导体层的上侧。 P型电极层与P型化合物半导体层电连接。 多个绝缘壁（131,132）布置在化合物半导体结构的两侧。 多个N型电极层（141,142）形成为穿过多个绝缘壁。
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公开(公告)号：KR1020120091839A
公开(公告)日：2012-08-20
申请号：KR1020110011877
申请日：2011-02-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/36 , H01L33/62 , H01L2224/16245 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A flip chip light emitting device package and a manufacturing method thereof are provided to simplify a soldering process and an underfill process by simultaneously soldering a solder paste and hardening an adhesive tape layer in a reflow process. CONSTITUTION: A package substrate(110) includes a cavity(111) exposing a circuit pattern(114,115). A solder layer(120a,120b) is formed on the circuit pattern exposed through the cavity. An adhesive tape layer(130) is formed on a chip mounting unit(113). A light emitting device(140) includes a junction target area and a plurality of electrode pads(141,142). A fluorescent layer(150) is coated on a light emission surface including the side of the light emitting device.
Abstract translation: 目的：提供一种倒装芯片发光器件封装及其制造方法，以通过同时焊接焊膏并在回流工艺中硬化粘合带层来简化焊接工艺和底部填充工艺。 构成：封装衬底（110）包括暴露电路图案（114,115）的腔（111）。 在通过空腔暴露的电路图案上形成焊料层（120a，120b）。 胶片层（130）形成在芯片安装单元（113）上。 发光器件（140）包括结合目标区域和多个电极焊盘（141,142）。 荧光层（150）被涂覆在包括发光器件的侧面的发光表面上。
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公开(公告)号：KR1020120006283A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：KR1020100066927
申请日：2010-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/62 , H01L21/78 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/50 , H01L33/58
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to arrange a micro lens array on the surface of a lens, thereby improving light extraction efficiency. CONSTITUTION: A light emitting structure(101) is arranged on a substrate(102). A light-transmissive polymer layer(105), a light conversion layer(106), and a lens(107) are arranged on the light emitting structure. A first terminal part(103a) is arranged in the lower surface of the substrate. A second terminal part(103b) is extended along a lateral surface of the substrate from the upper surface of the light emitting structure. An insulator(104) is arranged between the second terminal part, the light emitting structure, and the lateral surface of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，以将微透镜阵列布置在透镜的表面上，从而提高光提取效率。 构成：发光结构（101）布置在基板（102）上。 透光聚合物层（105），光转换层（106）和透镜（107）布置在发光结构上。 第一端子部（103a）布置在基板的下表面中。 第二端子部分（103b）从发光结构的上表面沿着衬底的侧表面延伸。 绝缘体（104）布置在第二端子部分，发光结构和基板的侧表面之间。
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公开(公告)号：KR1020110102631A
公开(公告)日：2011-09-19
申请号：KR1020100021733
申请日：2010-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F21V5/007 , F21V9/40 , H01L33/502
Abstract: 본 발명은 발광장치에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은, 청색광을 방출하는 청색 발광소자 및 자외선 광을 방출하는 자외선 발광소자를 구비하는 복수의 발광소자 및 상기 복수의 발광소자에서 방출된 광의 경로 상에 배치되며, 상기 복수의 발광소자에서 방출된 광의 파장을 변환하도록 형광체를 구비하되, 상기 청색 발광소자에 대응하는 제1 영역에는 상기 청색광에 의하여 여기되며 상기 청색광과 혼합되어 백색광이 얻어질 수 있는 색의 형광체가 구비되고, 상기 자외선 발광소자에 대응하는 제2 영역에는 적어도 청색 형광체가 구비되는 파장변환부를 포함하는 발광장치를 제공한다.
본 발명에서 제안하는 발광장치를 사용할 경우, 하나의 모듈 내에 광원 및 형광체의 조합을 적절히 채용함으로써 발광 효율이 향상됨과 더불어 고 연색성을 갖는 백색광을 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR101784417B1
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020100066927
申请日：2010-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은발광디바이스및 그제조방법에관한것으로서, 본발명의일 측면은, 기판과, 상기기판상에배치되며, 제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층이적층된구조를구비하는발광구조물과, 상기발광구조물상에배치된렌즈및 상기제1 및제2 도전형반도체층과각각전기적으로연결된제1 및제2 단자부를포함하며, 상기제1 및제2 단자부중 적어도하나는상기발광구조물의상면으로부터상기발광구조물및 상기기판의측면을따라연장된구조를갖는것을특징으로하는발광디바이스를제공한다.
Abstract translation: 发光器件及其制造方法技术领域本发明涉及一种发光器件及其制造方法，更具体地，涉及一种发光器件及其制造方法， 并且第一和第二端子部分分别电连接到第一和第二导电类型半导体层，并且第一和第二端子部分中的至少一个电连接到发光结构 以及从结构的顶表面沿着发光结构的侧表面和衬底延伸的结构。
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