-
公开(公告)号：KR20210032204A
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020190113682A
申请日：2019-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04M1/724 , H02J7/0048 , G06T11/001 , G06T11/60 , H02J7/0047 , G06T2210/62 , H04M2201/34 , H04M2201/36 , H04M2201/38
Abstract: 다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치는 배터리, 디스플레이, 적어도 하나의 프로세서, 및 메모리를 포함하며, 상기 메모리는, 실행 시에, 상기 적어도 하나의 프로세서가, 충전 개시 이벤트 검출 시, 상기 배터리에 대한 충전 방식 및 상기 디스플레이의 상태를 식별하고, 상기 충전 방식이 제1 충전 방식일 경우, 상기 디스플레이의 상태에 기반하여 그래픽 객체를 상기 제1 충전 방식을 나타내는 제1 표시 방식으로 상기 디스플레이 상에 표시하고, 상기 충전 방식이 제2 충전 방식일 경우, 상기 디스플레이의 상태에 기반하여 상기 그래픽 객체를 상기 제2 충전 방식을 나타내는 제2 표시 방식으로 상기 디스플레이 상에 표시하도록 하는 인스트럭션들을 저장할 수 있다. 다른 실시 예가 가능하다.
-
公开(公告)号：WO2023085593A1
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：PCT/KR2022/014314
申请日：2022-09-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 안테나 모듈, 상기 안테나 모듈을 통해 기지국과 신호를 송수신하는 제1 통신 모듈, 및 상기 제1 통신 모듈과 전기적으로 연결되는 프로세서를 포함할 수 있다. 상기 프로세서는 상기 기지국으로부터 수신된 웨이크 업 신호 설정 정보를 기초로 웨이크 업 신호의 수신 타이밍을 확인하고, 상기 기지국의 송신 빔들 중 하나와 상기 전자 장치의 수신 빔들 중 하나를 빔 페어로 선택하며, 상기 수신 타이밍이 도래하기 전의 SSB 버스트 주기에서 상기 선택된 빔 페어의 수신 빔을 이용하여 상기 선택된 빔 페어의 송신 빔의 수신 세기를 측정하고, 상기 선택된 빔 페어의 송신 빔의 SSB를 통해 적어도 하나의 RF 소자를 포함하는 동기화 루프를 안정화시키고, 상기 수신 타이밍에서 상기 기지국으로부터 전송된 웨이크 업 신호를 검출하고, 상기 측정된 수신 세기 및 상기 웨이크 업 신호의 수신 세기를 기초로 빔 서치 동작을 수행할지 여부를 결정할 수 있다.
-
公开(公告)号：WO2023013904A1
公开(公告)日：2023-02-09
申请号：PCT/KR2022/010011
申请日：2022-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N21/431 , H04N21/443 , H04N21/485
Abstract: 실시 예들은 디스플레이에 표시되는 화면 제어 방법 및 장치에 관한 것이다. 일 실시 예에 따른 전자 장치의 디스플레이에 표시되는 화면 제어 방법은 디스플레이에 표시되는 분할 화면의 레이아웃에 기초하여, 분할 화면 내 트리거 영역을 확인하는 동작, 분할 화면의 상위 레이어에 표시되는 팝업 윈도우 내 핸들 영역을 제어하는 제1 입력에 기초하여, 트리거 영역의 적어도 일부가 팝업 윈도우에 의해 오버레이됨을 감지하는 동작, 팝업 윈도우에 의해 오버레이된 트리거 영역의 위치 및 핸들 영역과 레이아웃의 디바이더의 상대적 위치 중 적어도 하나에 기초하여, 분할 화면의 레이아웃을 변경하는 동작 및 변경된 분할 화면의 레이아웃에 기초하여, 분할 화면 내 팝업 윈도우가 위치할 영역을 표시하는 동작을 포함할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020080058019A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：KR1020060132039
申请日：2006-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/42332 , Y10T428/259 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/4234 , H01L29/66825 , H01L29/66833
Abstract: A non-volatile memory device having an Al-doped charge trap layer and a method of fabricating the same are provided to prevent or reduce a tunneling layer from being damaged by silicon diffusion because a silicon rich oxide layer may be annealed in an incomplete oxidation condition. A non-volatile memory device having an Al-doped charge trap layer includes: a substrate(20) having a source(24) and a drain(22); a tunneling layer(30) on the substrate contacting the source and the drain; a charge trap layer(40) having a plurality of silicon nano dots(42) that trap charges and a silicon oxide layer(44) that covers the silicon nano dots on the tunneling layer; a blocking layer(50) formed on the charge trap layer; and a gate electrode(52) formed on the blocking layer, wherein the charge trap layer is doped with aluminum.
Abstract translation: 提供具有Al掺杂电荷陷阱层的非易失性存储器件及其制造方法，以防止或减少隧道层不被硅扩散损坏，因为富氧氧化物层可以在不完全氧化条件下退火 。 具有Al掺杂电荷陷阱层的非易失性存储器件包括：具有源极（24）和漏极（22）的衬底（20）; 所述衬底上的隧道层（30）接触所述源极和所述漏极; 具有捕获电荷的多个硅纳米点（42）的电荷陷阱层（40）和覆盖隧道层上的硅纳米点的氧化硅层（44）; 形成在所述电荷陷阱层上的阻挡层（50） 以及形成在所述阻挡层上的栅极（52），其中所述电荷陷阱层掺杂有铝。
-
公开(公告)号：KR1020100006967A
公开(公告)日：2010-01-22
申请号：KR1020080067347
申请日：2008-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/75 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/87
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a ferroelectric memory device is provided to prevent a metal oxide of an additional upper electrode from being reduced to a metal with the reaction with the metal of the hard mask and the metal by removing the hard mask as an etch mask of the additional upper electrode. CONSTITUTION: A first interlayer insulation film(150) is formed. A contact hole for the upper exposure of the ferroelectric capacitor is formed by etching the first interlayer insulation film. An additional upper electrode layer is formed and is filled in the contact hole. A hard mask is formed on the additional upper electrode layer. An additional upper electrode(160a) is formed by etching the additional upper electrode layer. The hard mask is used as an etching mask. The hard mask is removed on the additional upper electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造铁电存储器件的方法，以通过去除硬掩模作为蚀刻掩模来防止附加上电极的金属氧化物与硬掩模和金属的金属反应而被还原成金属 的附加上电极。 构成：形成第一层间绝缘膜（150）。 通过蚀刻第一层间绝缘膜来形成用于强电介质电容器的上部曝光的接触孔。 形成附加的上电极层并填充在接触孔中。 在另外的上电极层上形成硬掩模。 通过蚀刻另外的上电极层来形成附加的上电极（160a）。 硬掩模用作蚀刻掩模。 在附加的上电极上去除硬掩模。
-
Patent Agency Ranking
-
-
公开(公告)号：KR1020070082382A
公开(公告)日：2007-08-21
申请号：KR1020060015154
申请日：2006-02-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20 , H01S3/0941
CPC classification number: C30B7/005 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265
Abstract: A PENDEO epitaxial growth substrate and a forming method thereof are provided to improve the reliability and to enhance the throughput by preventing the generation of contamination due to an air gap using a barrier layer capable of blocking a predetermined path for solution. A PENDEO epitaxial growth substrate includes a substrate(30), a plurality of pattern regions and one or more barrier layers. The plurality of pattern regions(31a,31b) are formed on the substrate in a first direction. The barrier layers(33) are used for contacting the pattern region. The barrier layers are formed on the substrate in a second direction. The first and second directions are orthogonal to each other. The substrate is made of one selected from a group consisting of sapphire, silicon carbide, silicon or ZnO.
Abstract translation: 提供了一种PENDEO外延生长衬底及其形成方法，以通过防止使用能够阻挡预定路径的阻挡层产生由气隙导致的污染而产生污染的可靠性和提高吞吐量。 PENDEO外延生长衬底包括衬底（30），多个图案区域和一个或多个势垒层。 多个图案区域（31a，31b）沿第一方向形成在基板上。 阻挡层（33）用于与图案区域接触。 阻挡层在第二方向上形成在基板上。 第一和第二方向彼此正交。 衬底由选自由蓝宝石，碳化硅，硅或ZnO组成的组中的一种制成。
-
公开(公告)号：KR100846507B1
公开(公告)日：2008-07-17
申请号：KR1020060132039
申请日：2006-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/42332 , Y10T428/259
Abstract: 알루미늄이 도핑된 전하트랩층을 구비한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 비휘발성 메모리 소자는: 표면에 이격된 소스영역 및 드레인영역이 형성된 기판; 상기 기판 상에서, 상기 소스 및 드레인과 접촉되게 형성된 터널막; 상기 터널막 상에서 전하를 트랩하는 실리콘 나노도트들과 상기 나노도트들을 덮는 실리콘 산화물층을 구비하는 전하트랩층; 상기 전하트랩층 상에 형성된 블로킹막; 및 상기 블로킹막 상에 형성된 게이트전극;을 구비하며, 상기 전하트랩층은 Al 이 도핑된 것을 특징으로 한다.
-
公开(公告)号：KR1020060068453A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：KR1020040107149
申请日：2004-12-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45563 , C23C16/4401 , H01L21/67017
Abstract: 본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 내부 튜브, 이의 둘레를 감싸는 외부 튜브, 그리고 상기 내부 튜브와 상기 외부튜브를 지지하는 플랜지를 가지는 챔버를 포함한다. 공정 진행시 상기 내부 튜브 내에는 복수의 기판들을 수납하는 보트가 배치된다. 공정가스는 가스 도입관을 통해 상기 챔버 내로 도입된다. 상기 가스 도입관을 통해 도입된 공정가스는 링 형상으로 보트를 감싸도록 설치된 가스 공급부재를 통해 상기 내부튜브 내로 분사된다. 상기 가스 공급부재는 상기 내부 튜브의 안쪽을 향해 복수의 방향에서 공정가스를 분사한다.
화학 기상 증착, 보트, 모터, 가스 공급부재, 링
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.018 seconds)
