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公开(公告)号：KR100325665B1
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：KR1019990023692
申请日：1999-06-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 본발명은게이트또는소스/드레인전극제조시에 6A족금속막을식각하는식각액(etchant)에관한것으로서, 게이트또는소스/드레인전극이이중막인경우제 2 금속막인하부금속막에대한식각액으로 Ce(NH)(NO)(x,y>0)과 HClO, 첨가제(additive)로써 CHCOOH를사용하여, 하부금속막에대한식각비를향상시킬수 있고상부금속막으로사용된 Al-Nd 합금막등을식각한후 포토레지스트를스트립한후 하부금속막을식각할수 있는식각액을제공하는것이다.
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公开(公告)号：KR1019970053131A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950062039
申请日：1995-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유정식
IPC: H01L21/304
Abstract: 이 발명은 회전건조중 외부에서 유입되는 공기 대신에 질소가스를 강제 유입시키는 회전건조 장치에 관한 것이다.
이 발명의 구성은, 질소라인을 통해 유입되는 질소가스를 분사하기 위한 분사구; 분사구에 의해 분사된 질소가스를 여과하는 필터; 필터를 통과한 질소가스에 의해 건조되는 웨이퍼; 웨이퍼를 회전시켜 건조시키는 회전축; 필터에 의해 유입된 질소가스를 배출하기 위한 배출구로 이루어진다.
이 발명의 효과는, 건조공정중 공기의 유입을 차단하고, 질소가스를 강제 유입시켜 얼룩 불량을 방지함으로써, 건조불량을 줄이며, 후공정에서 공정불량을 개선시킨 회전건조 장치를 제공할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020120023260A
公开(公告)日：2012-03-13
申请号：KR1020100085511
申请日：2010-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/0557 , H01L2224/056 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05657 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/06181 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48235 , H01L2224/4909 , H01L2224/4911 , H01L2224/49175 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/1443 , H01L2924/15182 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to connect a second semiconductor chip and a printed circuit board with a conductive line which has impedance close to zero, thereby improving signal integrity of the semiconductor device. CONSTITUTION: A first semiconductor chip(100) is mounted on a printed circuit board(200). A circuit structure(70) within the first semiconductor chip is electrically connected to the printed circuit board through a first external terminal(80a). A second semiconductor chip(150) is laminated on a first surface(1) of the first semiconductor chip. A first bonding wire(160) is connected between the second semiconductor chip and a conductive line(60). A second bonding wire(170) is connected between the conductive line and the printed circuit board.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，用于将第二半导体芯片和印刷电路板与阻抗接近零的导线连接，从而提高半导体器件的信号完整性。 构成：第一半导体芯片（100）安装在印刷电路板（200）上。 第一半导体芯片内的电路结构（70）通过第一外部端子（80a）与印刷电路板电连接。 在第一半导体芯片的第一表面（1）上层叠第二半导体芯片（150）。 第一接合线（160）连接在第二半导体芯片和导线（60）之间。 第二接合线（170）连接在导线和印刷电路板之间。
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公开(公告)号：KR1020150134696A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：KR1020140061783
申请日：2014-05-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유정식
IPC: H01L25/065 , H01L27/108 , H01L23/48
CPC classification number: H05K1/181 , G06F1/1626 , H01L23/642 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73253 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2225/1094 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K1/0231 , H05K1/0262 , H05K1/115 , H05K2201/10015 , H05K2201/10734 , Y02P70/611
Abstract: 본발명의하나의실시형태에따른컴패니언집적회로(companion integrated circuit)는애플리케이션프로세서(application processor)로안정적으로전압을공급하기위한디커플링캐패시터(decoupling capacitor), 상기애플리케이션프로세서와데이터통신을하는적어도하나의보조반도체장치(auxiliary semiconductor device) 그리고상기디커플링캐패시터와상기적어도하나의보조반도체장치를포함하는멀티칩패키지(multi-chip package)를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的配套集成电路包括用于向应用处理器稳定地提供电压的去耦电容器，与应用处理器执行数据通信的至少一个辅助半导体器件，以及包括解耦的多芯片封装 电容器和至少一个辅助半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070008856A
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：KR1020050062709
申请日：2005-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: G02F1/1303 , H01L21/67017
Abstract: A chamber cooling device and a deposition apparatus for a flat display device including the same are provided to uniformly and quickly cool a chamber when a heated chamber is to be cooled in order to clean or repair it. A deposition apparatus includes a chamber, a chamber lead, and a chamber cooling device cooling the chamber or the chamber lead. The chamber cooling device has at least one cooling unit(210) consisting of a body(212) with a fluid passage(216) through which a coolant flows, and a fastening member(218) for fastening the body to the chamber. The fluid passages of the cooling member are connected to each other by a coupling pipe(220). The coupling pipe extends in the fluid passage, and has a valve for adjusting a flow of the coolant.
Abstract translation: 提供了一种室内冷却装置和用于包括该冷却装置的平板显示装置的沉积装置，以便在要冷却加热室以便清洁或修理时均匀且快速地冷却室。 沉积设备包括室，室引线和冷却室或室引线的室冷却装置。 腔室冷却装置具有至少一个冷却单元（210），该冷却单元由具有冷却剂流过的流体通道（216）的主体（212）和用于将主体紧固到腔室的紧固构件（218）组成。 冷却构件的流体通道通过联接管（220）彼此连接。 联接管在流体通道中延伸，并且具有用于调节冷却剂流动的阀。
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公开(公告)号：KR100670063B1
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020000038604
申请日：2000-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C23F1/16
Abstract: 본 발명은 크롬 에칭 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (a) 세륨 암모늄 나이트레이트(ceric ammonium nitrate) 8 내지 12 중량%, (b) 과염소산(perchloric acid) 9 내지 13 중량%, (c) 포름산(formic acid) 0.9 내지 1.1 중량% 및 (d) 나머지 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 크롬 에칭 조성물과 크롬 에칭 조성물을 이용하여 게이트 또는 소스/드레인 배선을 식각하는 방법에 있어서, 상기 크롬 에칭 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정 디스플레이 소자 게이트 또는 소스/드레인 배선 식각방법에 관한 것이다.
본 발명의 에칭 조성물을 사용하여 박막 트랜지스터 액정 디스플레이 소자 게이트 또는 소스/드레인 배선을 식각할 경우 종래의 식각방법에 비하여 공정을 크게 단순화 할 수 있다.
에칭, 에쳔트, 세륨, 과염소산, 포름산-
公开(公告)号：KR1020050082747A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：KR1020040011304
申请日：2004-02-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/13
Abstract: 플라즈마 가공 장치에서, 외부로부터 로딩된 기판을 가공하는 가공 챔버 내에는 하부전극과 상부전극이 구비된다. 하부전극은 다수의 하부전극셀로 이루어져 로딩된 기판을 지지한다. 하부전극은 다수의 하부전극셀 단위로 분리 가능하다. 상부전극은 하부전극과 마주하여 플라즈마 가스를 발생한다. 따라서, 하부전극의 소정 부분이 손상될 경우 다수의 하부전극셀 중 손상된 부분에 대응하는 어느 하나의 하부전극셀 만을 교체하거나 재가공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100325666B1
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：KR1019990023693
申请日：1999-06-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 본발명은게이트또는소스/드레인전극의패턴제조방법에관한것으로서, 게이트또는소스/드레인전극이이중막인경우제 2 금속막인하부금속막에대한식각액으로 Ce(NH)(NO)과 HClO, 첨가제(additive)로써 CHCOOH를사용하여, 하부금속막에대한식각비를향상시킬수 있고상부금속막으로사용된 Al-Nd 합금막을식각한후 포토레지스트를스트립한후 하부금속막을식각할수 있으므로공정의단순화를달성할수 있는게이트또는소스/드레인전극의패턴제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR100203398B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960028236
申请日：1996-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 약품처리된 웨이퍼의 세정공정에 사용된 세정액을 회수하여 재사용하는 반도체 세정 장치에 관한 것으로, 약품처리된 웨이퍼의 세정공정이 수행되는 세정조와, 상기 세정조로부터 배수된 세정액을 배수하는 세정액폐수라인과, 상기 세정액폐수라인상에 설치되어 상기 세정액폐수라인을 개폐시키는 제1 조절밸브와, 상기 세정액폐수라인으로부터 분기되어 상기 세정조로부터 배수된 세정액을 회수하는 세정액회수라인과, 상기 세정액회수라인상에 설치되어 상기 세정액회수라인을 개폐시키는 제2 조절밸브와, 상기 세정조내에 설치되어 세정공정에 사용된 세정액의 성분을 측정하는 센서와 상기 제1 및 제2 조절
밸브와 상기 센서의 사이에 연결되어 상기 센서로부터 세정액 성분 측정치를 전송받고, 이 성분 측정치와 이미 설정된 설정치를 비교하여 상기 제1 및 제2 조절밸브의 개폐를 제어하는 콘트롤러를 포함하여 상기 웨이퍼의 세정에 사용된 세정액을 회수하는 것을 포함한다.
이와같은 장치에 의해서, 종래의 반도체 세정 장치에서는 1차 세정액을 재사용하지 못하고 폐수 처리하였던 것을, 자동 검출장치와 분류 기준값에의한 제어장치 및 세정액의 자동분류장치를 사용하여 1차 세정액을 회수하여 사용할 수 있게 되었다. 따라서 화학물질를 포함한 폐수의 감소, 세정액의 재 사용 등으로 비용감소의 효과를 거둘 수 있다.
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