公开(公告)号：KR100154765B1

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019940035626

申请日：1994-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이주형 ,  이주범 ,  이재형

IPC: H01L29/786

Abstract: 이 발명은 에지 시닝 형상을 없앤 이중게이트 절연막 및 그 형성방법에 관한 것으로, 저온 화학기상증착 산화막을 증착후 열산화함으로써, 에지 시닝 현상을 완전히 해결하고, 홈을 줄이며, 후기열산화 공정시 화학기상증착 산화막 덴시피케이션(Densification) 및 디하이드로제네이션(Dehydrogenation) 효과가 있어 전기적 특성 및 절연 특성에서도 열산화막도 동일한 결과를 얻을 수 있는 에지 시닝 형상을 없앤 이중게이트 절연막 및 그 형성방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019980012102A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960029376

申请日：1996-07-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재형

IPC: H01L21/324

公开(公告)号：KR1019970012701A

公开(公告)日：1997-03-29

申请号：KR1019950026270

申请日：1995-08-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재형 ,  임형규

IPC: G11C11/34

Abstract: 본 발명은 워드라인 순차제어 반도체메모리장치에 관한 것으로서, 특히 외부 제어클럭에 응답하여 리프레쉬 모드신호를 발생하는 클럭제어부 ; 클럭제어부의 리프레쉬 모드신호에 응답하여 인에이블신호를 발생하는 리프레쉬 로직부 ; 리프레쉬 로직부의 인에이블신호에 응답하여 로우어드레스 스트로브신호의 액티베이션기간마다 순차적으로 n개의 로우어드레스신호를 발생하는 리프레쉬 카운터부 ; 리프레쉬 카운터부의 로우어드레스신호에 응답하여 n개의 로우어드레스신호를 발생하는 로우어드레스 버퍼 ; 및 로우어드레스 버퍼의 n개으 어드레스신호를 디코딩하여 디코딩된 워드라인을 순차적으로 인에이블시키는 2n개의 워드라인 드라이버들을 포함하는 로우디코더를 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 리프레쉬모드에서 선택되는 워드라인이 시퀀셜하게 증가하므로 피크전류의 증가를 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970008337A

公开(公告)日：1997-02-24

申请号：KR1019950023174

申请日：1995-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재형 ,  나기정 ,  홍정의 ,  정병홍

IPC: H01L21/228

Abstract: 반도체 장치의 웰 형성방법에 대해 기재되어 있다. 이는 제1도전형 웰이 형성될 영역에 제1도전형의 불순물을 주입하는 제1공정, 영역의 표면에 웰 산화막을 형성하는 제2공정, 결과물 전면에 절연막을 형성하는 제3공정, 절연막이 형성되어 있는 결과물 전면에 제2도전형의 불순물을 주입하는 제4공정 및 드라이브-인 공정을 실시하여 제1 및 제2도전형의 웰을 형성하는 제5공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 웰의 표면 농도 및 저항이 변화하는 것을 방지하였다.

公开(公告)号：KR1019960002369A

公开(公告)日：1996-01-26

申请号：KR1019940012847

申请日：1994-06-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재형 ,  석용식

IPC: G11C29/00

Abstract: 본 발명은 다수의 메모리 셀과, 상기 메모리 셀의 각각에 연결되는 워드라인과, 상기 워드라인을 선택하기 위한 로우 디코더를 가지는 반도체 메모리 장치의 결함 셀을 감지하기 위한 번-인 테스트 회로에 있어서, 상기 워드라인에 접속하고 상기 로우 디코더로부터 출력되는 로우 디코딩 신호에 제어되며 소정의 방전 경로를 통하여 승압전압을 입력하고 상기 워드라인을 구동하기 위한 워드라인 승압전압을 입력하는 워드라인드라이버와, 상기 워드라인 방전경로에 접속하며, 번-인 인에이블 신호 및 상기 승압전압을 입력하는 제어부를 구비하여, 노멀 모드시 상기 워드라인 승압전압에 의해 상기 워드라인이 인에이블되며, 번-인 모드시 상기 방전 경로를 통하여 상기 승압전압과 같거나 상기 승압전압보다 더 높은 전압 레벨의 번-인 전압을 상기 워 라인에 인가함을 특징으로 한다. 본 발명에 의하여 워드라인의 구조에 상관없이 웨이퍼 상태에서 번-인 테스트를 수행하여 결함 셀을 스크린할 수 있을 뿐만 아니라 리페어 이전에 결함 셀을 스크린하여 전체적인 비용의 절감 및 수율을 향상할 수 있고, 노멀 모드시 풀 다운 용도로 사용하는 트랜지스터를 이용하여 워드라인을 풀업하여 레이 아웃 면적을 작게 할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019950010284B1

公开(公告)日：1995-09-12

申请号：KR1019920004474

申请日：1992-03-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재형

IPC: H01L27/04

CPC classification number: G05F3/247 ,  G05F3/245

Abstract: a reference current generating arrangement; a reference voltage generating arragement for generating a reference voltage being equal to the product of the reference current and the resistance value of a resistor arrangement; a current mirror circuit for supplying a cirrent being proportional to the reference current to the reference voltage; and a resistor arrangement formed so that a MOS diode and one of the reference voltage controlled MOS transistors are connected in series, and connected between the output of the reference voltage generating arrangement and ground. The circuit is not sensitive to temperature fluctuation or variations in the manufacturing process.

Abstract translation: 参考电流产生装置; 用于产生等于参考电流与电阻器装置的电阻值的乘积的参考电压的参考电压产生控制; 电流镜电路，用于将与参考电流成比例的电流提供给参考电压; 以及形成为使得MOS二极管和参考电压控制MOS晶体管中的一个串联连接并连接在基准电压发生装置的输出与地之间的电阻器组件。 该电路对温度波动或制造过程的变化不敏感。

公开(公告)号：KR1019930017168A

公开(公告)日：1993-08-30

申请号：KR1019920000095

申请日：1992-01-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재형

IPC: H01L27/10

Abstract: 본 발명에 따른 트리플웰 구조에서는, 제1바이어스가 인가되는 제1도전형의 기판과, 상기 기판내에 형성되고 제2바이어스가 인가되는 제2도전형의 웰과, 상기 제2도전형의 웰과, 상기 제2도전형의 웰내에 형성되고 제3바이어스가 인가되며 서로 이격된 제1 및 제2의 제1도전형의 웰을 구비하고, 상기 제1 및 제2의 제1도전형의 웰이 각각 제2도전형의 모오스트랜지스터를 가진다. 상기 제1바이어스는 접지전압이고, 상기 제2바이어스는 전원전압이며, 상기 제3바이어스는 소정레벨의 음전압이다. 상기 제1의 제1도전형웰내에 형성된 모오스트랜지스터는 메모리셀의 패스트랜지스터이고, 상기 제2의 제1도전형 웰내에 형성된 모오스트랜지스터는 주변회로에서 사용되는 트랜지스터이다.

公开(公告)号：KR1019930006952A

公开(公告)日：1993-04-22

申请号：KR1019910015839

申请日：1991-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남석우 ,  이재형 ,  김원주

IPC: H01L27/112

公开(公告)号：KR1020160131889A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：KR1020160047759

申请日：2016-04-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권대철 ,  김종한 ,  이재형

IPC: H04B7/08 ,  H04B17/327 ,  H04J11/00

Abstract: 복수의안테나를구비하는무선단말의통신프로세서 (CP: communication processor)에서의셀 탐색을위한장치및 방법을제안한다. 상기복수의안테나중 하나는적어도하나의제2 안테나 (secondary antenna) 중에서적어도하나의구동여부와, 레이크수신기에서핑거의할당여부를고려하여선택될수 있다. 상기복수의안테나는제1 안테나 (primary antenna)와적어도하나의제2 안테나를포함할수 있다. 상기셀 탐색은상기선택한안테나를통해수행될수 있다.

公开(公告)号：KR1020070021559A

公开(公告)日：2007-02-23

申请号：KR1020050075913

申请日：2005-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박인수 ,  이재형

IPC: G06F1/04

CPC classification number: G06F1/04 ,  G06F1/10 ,  H03K5/1565

Abstract: 본 발명은 클럭 신호 드라이버 및 이를 구비하는 클럭 신호 제공 회로를 공개한다. 그 클럭 신호 드라이버는 클럭 신호 및 상보 클럭 신호를 수신하고, 클럭 신호는 버퍼링하고 상보 클럭 신호의 위상을 반전한 후, 버퍼링된 클럭 신호와 반전된 상보 클럭 신호의 위상을 합성하여 내부 클럭 신호를 생성하는 내부 클럭 드라이버부와, 클럭 신호 및 상보 클럭 신호를 수신하고, 클럭 신호의 위상을 반전하고, 상보 클럭 신호는 버퍼링한 후, 반전된 클럭 신호와 버퍼링된 상보 클럭 신호의 위상을 합성하여 상보 내부 클럭 신호를 생성하는 상보 내부 클럭 드라이버부를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 50%의 듀티 싸이클을 가지는 클럭 신호가 클럭 전송 라인쌍을 거치면서 왜곡된 듀티 싸이클을 가지게 되더라도 클럭 신호 드라이버가 클럭 신호쌍의 듀티 싸이클이 다시 50%가 되도록 보정하여 준다. 이에 메모리 장치가 타이밍 마진을 안정적으로 확보할 수 있도록 한다.