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公开(公告)号：KR1019980015750A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035188
申请日：1996-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: 소자분리 방법이 개시되어 있다. 이 방법은 반도체기판의 소정영역을 식각하여 일정깊이를 갖는 트렌치 영역을 형성하는 단계와, 상기 결과물 전면에 트렌치 영역을 채우는 HSQ막(hydrogen silsesquioxane)을 형성하는 단계와, 상기 HSQ막을 열처리하는 단계와, 상기 열처리된 HSQ막이 형성된 결과물의 트렌치 영역 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 플로우시키는 단계와, 상기 트렌치 영역 사이의 반도체기판이 노출될 때까지 상기 플로우된 포토레지스트 패턴 및 그 아래의 열처리된 HSQ막을 연속적으로 식각하여 상기 트렌치 영역을 채우는 소자분리막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 반도체기판 전체에 걸쳐서 균일한 두께를 갖지면서 막질이 우수한 소자분리막을 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090025862A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：KR1020070091019
申请日：2007-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0416 , G06F1/1643 , G06F3/0354
Abstract: A portable terminal for preventing the malfunction of the touch input and a method thereof by controlling the interruption of the operation if the touch input time is within a basic input time are provided to improve the reliability due to preventing malfunction of the touch pad. A portable terminal comprises a touch pad(270), a memory(260) and a controller(280). The touch pad is touched and inputted by a user. The memory stores the basic time which is set up in order to recognize the key input of the touch pad clearly. According to the set up base time, the controller determines to exist the key input of the touch pad.
Abstract translation: 提供了一种用于防止触摸输入故障的便携式终端及其方法，其中，如果触摸输入时间在基本输入时间内，则通过控制操作的中断来提高由于防止触摸板的故障导致的可靠性。 便携式终端包括触摸板（270），存储器（260）和控制器（280）。 触摸板被用户触摸并输入。 存储器存储设置的基本时间，以便清楚地识别触摸板的键输入。 根据设定的基准时间，控制器确定存在触摸板的键输入。
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公开(公告)号：KR100505625B1
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：KR1019990003227
申请日：1999-02-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명의 반도체 소자는 하부 도전막이 형성되어 있는 반도체 기판 상에 상기 하부 도전막을 노출하는 비아홀을 갖고 상기 비아홀에 인접하여 에어갭을 갖는 층간절연막과, 상기 층간 절연막 상에 형성된 식각저지막과, 상기 비아홀의 양측벽 및 식각저지막 상에 형성된 라이너층과, 상기 비아홀의 바닥 및 상기 라이너층 상에 형성된 배리어 금속막과, 상기 배리어 금속막 상에 상기 비아홀을 매립하도록 형성된 상부 도전막을 포함한다. 상기 층간 절연막은 SOG막으로 구성할 수 있고, 상기 라이너층은 산화막으로 구성할 수 있다. 본 발명의 반도체 소자는 기계적 강도가 낮은 에어갭이 층간 절연막의 일부에만 형성되어 있어서 고집적시 구조적으로 안정되며, 이와 아울러서 유전율이 낮은 층간 절연막으로 SOG막을 채용하여 RC 지연 문제를 개선시킬 수 있고, 신호 전달 속도를 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100301066B1
公开(公告)日：2001-11-01
申请号：KR1019990033650
申请日：1999-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/322
CPC classification number: H01J37/32 , H01J37/075
Abstract: 본발명은비금속도전물질로이루어진음극판을갖는전자빔조사장비에관하여개시한다. 본발명은상부가개구된챔버와, 챔버의개구부를덮는음극판과, 챔버의바닥에설치된서셉터와, 음극판아래에설치된그리드판과, 그리드판아래에설치된가스주입링을구비한다. 음극판은챔버와전기적으로절연되고, 그리드판은챔버및 음극판과전기적으로절연된다. 또한, 음극판은비금속도전물질(non-metal conductive material)만으로이루어진단일음극판(single cathode plate)이거나, 적어도챔버의바닥을향하는하부표면이비금속도전물질로이루어진 2중음극판(double cathode plate)일수도있다. 이에따라, 음극판및 그리드판에적절한전압을인가하여음극판으로부터전자들을방출시킬때, 음극판으로부터금속원자들이함께방출되는현상을방지할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000019171A
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：KR1019980037145
申请日：1998-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for forming metal wire using photosensitive polymer is provided to prevent a phenomenon which a damage is provided to a polymer layer by not using a photoresist pattern as an etching mask. CONSTITUTION: A polymer layer(3) is formed on a semiconductor substrate(1). An adhesive layer (5) is formed on the polymer layer(3). The polymer layer(3) is performed as a layer insulating film and is a material film having a low dielectric constant than a silicon oxidation film. The adhesive layer(5) is a material film for preventing a phenomenon which a damage is provided to the polymer layer(3). A photosensitive polymer film(7) is formed on the adhesive layer(5). A mask layer pattern(9a) is used as an etching mask. A metal film pattern(13) is formed for filling a contact hole(H) and a hole(G).
Abstract translation: 目的：提供使用光敏聚合物形成金属线的方法，以防止通过不使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模而对聚合物层产生损伤的现象。 构成：在半导体衬底（1）上形成聚合物层（3）。 在聚合物层（3）上形成粘合剂层（5）。 聚合物层（3）作为层绝缘膜进行，并且是具有低于硅氧化膜的介电常数的材料膜。 粘合剂层（5）是用于防止向聚合物层（3）提供损伤的现象的材料膜。 在粘合剂层（5）上形成感光性高分子膜（7）。 掩模层图案（9a）用作蚀刻掩模。 形成用于填充接触孔（H）和孔（G）的金属膜图案（13）。
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公开(公告)号：KR1019980026874A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960045440
申请日：1996-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 금속배선을 형성하는 방법에 관해 개시한다. 기판 이나 기판상에 형성된 물질층상에 형성되는 금속배선사이에 의도적으로 보이드를 형성하여 금속배선사이를 저유전 절연체로 채운다.
이에 따라 금속배선과 그 사이의 절연체로 구성되는 기생 커패시터가 형성되더라도 그 정전용량은 매우 작으므로 실제 반도체장치의 동작에는 거의 영향을 미치지 않게 할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980024163A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019970040245
申请日：1997-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: 막질이 단단하면서 비어저항 열화를 방지하는 SOG층 큐어링 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 절연막 제조방법을 개시한다. 본 발명에 의하면, 반도체장치의 ILD층, IMD층, 또는 패시베이션층으로 사용되는 것으로서, 금속 배선 간의 절연작용과 평탄화작용을 하는 SOG의 큐어링 방법에 있어서, 큐어링할 SOG층이 구비된 기판을 진공챔버를 구비한 전자빔 조사장치 내의 타겟 평판 위에 장착하는 단계; 및 상기 SOG층을 소정시간 동안 상온 내지 500℃에서 전자빔으로 조사하여 큐어링하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 SOG층 큐어링 방법이 제공된다. 본 발명의 절연막 제조방법에 의하면, 반도체장치의 ILD층, IMD층, 또는 패시베이션층으로 사용되는 것으로서, 금속 배선 간의 절연작용과 평탄화작용을 하는 SOG층의 제조방법에 있어서, 소정의 패턴이 형성된 하지막 상에 SOG층을 코우팅하는 단계; 및 상기 SOG층을 소정시간동안 상온 내지 500℃에서 전자빔으로 조사하여 큐어링하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 SOG층 제조방법이 제공되어진다.
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公开(公告)号：KR1019980016837A
公开(公告)日：1998-06-05
申请号：KR1019960036531
申请日：1996-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/52
Abstract: 반도체 장치의 다층 배선 형성 방법이 개시되었다. 본 발명은 반도체 기판 상부에 형성된 하부 구조물의 소정 영역 상에 하부 도전층 패턴을 형성하는 단계; 상기 하부 도전층 패턴이 형성된 기판 전면에 층간 절연막을 형성하고 이를 패터닝하여 비아 홀이 형성된 층간 절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 비아 홀을 채우는 층간 도전층 패턴을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 패턴을 소정 두께만큼 에치 백하여 변형된 층간 절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 변형된 층간 절연막 패턴이 형성된 기판 전면에 평탄화층을 형성한 후 상기 도출된 층간 도전층 패턴의 표면이 노출되도록 상기 평탄화층을 에치 백하여 평탄화층 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 평탄화층 패턴이 형성된 기판 전면에 상부 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층 배선 형성 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면 비아 홀 형성시에 생기는 비휘발성 부산물에 의한 상부 및 하부 도전층의 접속 불량을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970063732A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019960004467
申请日：1996-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 반도체 메모리 소자의 커패시터 형성방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 트랜지스터의 소오스와 연결되는 도전층을 형성하는 단계, 도전층 표면에 실리카 스페이서 단일층을 코팅하는 단계, 실리카 스페이서 단일층의 틈을 이용하여 도전층을 식각함으로써 스토리지 전극을 형성하는 단계, 스토리지 전극 표면에 유전체막을 형성하는 단계 및 유전체막 표면에 폴레이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 메모리 소자의 커패시턴스를 향상시킬 수 있다.
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