公开(公告)号：KR101872949B1

公开(公告)日：2018-07-02

申请号：KR1020110046420

申请日：2011-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오규환 ,  박두환 ,  정경민

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L29/861 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

Abstract: 상부전극없이상변화물질패턴과비트라인사이를접촉시킬수 있는상변화메모리장치및 이의제조방법에있어서, 상변화메모리장치는기판, 기판상에형성된수직셀 다이오드, 수직셀 다이오드상에형성된가열전극, 가열전극상에형성된상변화물질패턴, 상변화물질패턴상에형성된전도성패턴및 전도성패턴양측에형성된저지막패턴을포함하는상변화메모리셀 및전도성패턴상에형성된비트라인을포함한다. 전도성패턴에의해상부전극없이비트라인과상변화물질패턴을접촉되어상부전극과상변화물질패턴사이의미스얼라인문제가해소될수 있으며, 저지막패턴에의해미스얼라인의발생여부와상관없이상변화물질패턴의노출이방지되어휘발문제가억제될수 있다.

公开(公告)号：KR1020120065799A

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：KR1020100127107

申请日：2010-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영림 ,  이진일 ,  정경민 ,  정석우 ,  김창수

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/141 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1666

Abstract: PURPOSE: A method for forming a TiN thin film, a nonvolatile memory device, and a manufacturing method thereof are provided to easily control the thickness of a thin film by changing a cycle number of a Tin thin film forming process. CONSTITUTION: An insulation film pattern(120) including an opening unit(125) is formed on a substrate. A switching device is formed in the opening. A bottom electrode(147') comprising a TiN thin film is formed on the switching device. A variable resistive material pattern(150') is formed on the bottom electrode. A phase change material pattern(162) and a top electrode contact(164) are formed on the bottom electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成TiN薄膜的方法，非易失性存储器件及其制造方法，以通过改变锡​​薄膜形成工艺的循环次数来容易地控制薄膜的厚度。 构成：在基板上形成包括开口单元（125）的绝缘膜图案（120）。 开关装置形成在开口中。 在切换装置上形成包括TiN薄膜的底部电极（147'）。 在底部电极上形成可变电阻材料图案（150'）。 相位改变材料图案（162）和顶部电极接触（164）形成在底部电极上。