公开(公告)号：KR101112540B1

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：KR1020040085325

申请日：2004-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이창훈 ,  엄윤성 ,  창학선 ,  신경주 ,  김현욱 ,  정미혜

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/1393 ,  G02F2001/134345

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 분리되어 있는 용량성 보조 전극, 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 데이터선, 각각의 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있으며 드레인 전극을 가지는 박막 트랜지스터, 용량성 보조 전극과 중첩하며 용량성 보조 전극 상부에 위치하는 용량성 결합 전극, 드레인 전극과 용량성 결합 전극을 연결하며 데이터선을 중심으로 양쪽에 대칭적으로 배치되어 있는 연결부, 그리고 드레인 전극과 연결되어 있는 제1 화소 전극과 용량성 보조 전극과 연결되어 있는 제2 화소 전극을 포함하는 화소 전극를 포함한다.
용량성결합, 화소 전극, 결합전극, 얼룩, 대칭구조

公开(公告)号：KR1020080076162A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020070015715

申请日：2007-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정미혜

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78696

Abstract: A mask and a method of manufacturing array substrates using the same are provided to prevent deterioration of effective current driving capacity of a switching element having a micro structure from degrading by forming the switching element with a mask including a dummy portion. A mask comprises a source electrode pattern portion(210a), a drain electrode pattern portion(210b), a channel pattern portion(220), and a dummy portion(230b). The source electrode pattern portion corresponds with a source region of a switching element. The drain electrode pattern portion corresponds with a drain region of the switching element separated from the source region. The channel pattern portion is sandwiched between the source electrode pattern portion and drain electrode pattern portion, and corresponds with a channel region of the switching element. The dummy portion is disposed between the source electrode pattern portion and drain electrode pattern portion, and corresponds with an edge region of the channel pattern portion. The dummy portion can be a dot shape, which is located between the source electrode pattern portion and drain electrode pattern portion. The dummy portion can protrude towards the edge region from the drain electrode pattern portion, separating from the source electrode pattern portion.

Abstract translation: 提供掩模和使用其的阵列基板的制造方法，以通过用包括虚拟部分的掩模形成开关元件来防止具有微结构的开关元件的有效电流驱动能力的劣化降低。 掩模包括源极图案部分（210a），漏极图案部分（210b），沟道图案部分（220）和虚设部分（230b）。 源电极图案部分对应于开关元件的源极区域。 漏极图案部分对应于与源极区域分离的开关元件的漏极区域。 沟道图案部分夹在源电极图案部分和漏电极图案部分之间，并且与开关元件的沟道区域相对应。 虚设部分设置在源极图案部分和漏极图案部分之间，并且与沟道图案部分的边缘区域相对应。 虚拟部分可以是位于源电极图案部分和漏电极图案部分之间的点状。 虚设部分可以从漏电极图案部分朝向边缘区域突出，与源电极图案部分分离。

公开(公告)号：KR1020080004270A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：KR1020060063045

申请日：2006-07-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양성훈 ,  채종철 ,  김소운 ,  정미혜 ,  손지원 ,  박진원 ,  조선아

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/1362 ,  H01L29/786 ,  H01L51/56

Abstract: A method for fabricating a thin film transistor(TFT) array panel is provided to reduce a process cost by using the same mask as having been used in an organic film process, in a non-organic film process as it is. An insulation substrate, on which a gate line(22) including a gate electrode(26) and a storage electrode, and source and drain electrodes(65,66) insulated from the gate line(22), are formed. A protection layer is formed on the insulation substrate. A contact hole(76) exposing a portion of the drain electrode(66) is defined on the protection layer, and a photoresist pattern, including the first region of the first thickness and the second region of the second thickness, which overlaps with the storage electrode and is smaller than the first thickness is formed. The protection layer at the region where the contact hole(76) has been defined is removed to expose the drain electrode(66), and at the same time, the second region of the photoresist pattern and a lower protection layer are partially removed.

Abstract translation: 提供一种用于制造薄膜晶体管（TFT）阵列面板的方法，通过在非有机薄膜处理中使用与有机薄膜处理中使用的相同的掩模来降低工艺成本。 形成绝缘基板，在该绝缘基板上形成有栅极电极（26）和存储电极的栅极线（22）以及与栅极线（22）绝缘的源极和漏极（65,66）。 在绝缘基板上形成保护层。 在保护层上限定暴露出漏电极（66）的一部分的接触孔（76），并且包括第一厚度的第一区域和第二厚度的第二区域的光刻胶图案与储存器 并且小于形成第一厚度。 已经限定了接触孔（76）的区域处的保护层被去除，以露出漏电极（66），同时部分去除光致抗蚀剂图案的第二区域和下保护层。

公开(公告)号：KR1020070060256A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020050119410

申请日：2005-12-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최낙초 ,  정미혜 ,  손지원 ,  변호연 ,  조선아 ,  조식영

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/1343 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123

Abstract: An LCD(Liquid Crystal Display) is provided to increase an aperture ratio while securing diagonal visibility and horizontal visibility by forming a liquid crystal layer including a first region where liquid crystal molecules lie in parallel with a gate line, and a second region where liquid crystal molecules lie in parallel with a data line. A plurality of gate lines(121) are formed on a substrate. A plurality of data lines(171) cross the gate lines. A plurality of pixel electrodes(191) are formed in a matrix form on the substrate, each has a first side in parallel with the gate line, and a second side shorter than the first side and neighboring the first side. A common electrode faces the pixel electrodes. A liquid crystal layer is placed between the pixel electrode and the common electrode, and includes liquid crystal molecules. The liquid crystal layer includes a first region where the liquid crystal molecules lie in parallel with the gate lines, and a second region where the liquid crystal molecules lie in parallel with the data lines.

Abstract translation: 提供LCD（液晶显示器）以通过形成包括液晶分子与栅极线平行的第一区域的液晶层来确保对角线可见度和水平可见度来增加开口率，以及第二区域，其中液晶 分子与数据线平行。 多个栅极线（121）形成在基板上。 多条数据线（171）与栅极线交叉。 多个像素电极（191）以矩阵形式形成在基板上，每个具有与栅极线平行的第一侧，以及比第一侧短且与第一侧相邻的第二侧。 公共电极面对像素电极。 液晶层位于像素电极和公共电极之间，并且包括液晶分子。 液晶层包括液晶分子与栅极线平行的第一区域和液晶分子与数据线平行的第二区域。

公开(公告)号：KR1020060047183A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050031940

申请日：2005-04-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최낙초 ,  정미혜 ,  유두환

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134309 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2201/121

Abstract: 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 절연 기판 위에 형성되어 있으며 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 덮고 있으며 복수의 돌출부를 가지는 보호막, 그리고 보호막 위에 형성되어 있으며 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 돌출부를 따라 굴곡된 부분을 가지는 화소 전극을 포함한다.
절개부, 공통전극, 돌출부, 박막트랜지스터, 도메인

公开(公告)号：KR1020060047023A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020040092605

申请日：2004-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정미혜

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136213

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것으로 유기 절연막의 상부 및 하부에 드레인 전극과 연결된 화소 전극을 각각 형성함으로써, 도메인 별로 액정에 인가되는 전압을 조절할 수 있다. 이로 인하여 측면 시인성이 개선되며, 별도의 메탈로 화소 전극간 용량성 결합을 형성할 필요가 없어서 개구율이 저하되지 않고, 공정이 간단한 유기막 공정을 이용하여 형성되므로 제작 공정이 단순해진다.
유기 절연막, 도메인, 절개부, VA, 화소 전극, 공통 전극

公开(公告)号：KR1020060036243A

公开(公告)日：2006-04-28

申请号：KR1020040085325

申请日：2004-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이창훈 ,  엄윤성 ,  창학선 ,  신경주 ,  김현욱 ,  정미혜

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/1393 ,  G02F2001/134345

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 분리되어 있는 용량성 보조 전극, 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 데이터선, 각각의 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있으며 드레인 전극을 가지는 박막 트랜지스터, 용량성 보조 전극과 중첩하며 용량성 보조 전극 상부에 위치하는 용량성 결합 전극, 드레인 전극과 용량성 결합 전극을 연결하며 데이터선을 중심으로 양쪽에 대칭적으로 배치되어 있는 연결부, 그리고 드레인 전극과 연결되어 있는 제1 화소 전극과 용량성 보조 전극과 연결되어 있는 제2 화소 전극을 포함하는 화소 전극를 포함한다.
용량성결합, 화소 전극, 결합전극, 얼룩, 대칭구조

Abstract translation: 根据本发明面板的一个实施方式的薄膜晶体管是绝缘基板，栅极线的绝缘能力，并分离所述栅极线和形成在基板圣辅助电极，所述数据线交叉的绝缘栅极线，每条栅极线和数据线与 它被连接，并连接所述电容耦合电极，漏电极和电容耦合电极重叠的薄膜晶体管，和一个辅助电容电极具有位于所述辅助电容电极上部和左右两侧对称的数据线的漏极电极 并且像素电极包括连接到漏电极的第一像素电极和连接到电容辅助电极的第二像素电极。

公开(公告)号：KR1020060006530A

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：KR1020040055606

申请日：2004-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유두환 ,  정미혜 ,  박인호

IPC: G02F1/1343

Abstract: 본 발명은 액정표시장치에 관한 것이다. 본 발명의 액정표시장치는 박막트랜지스터 기판, 상기 박막트랜지스터 기판에 대향하는 절연 기판, 상기 박막트랜지스터 기판 및 상기 절연 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하며, 상기 박막트랜지스터 기판은 기판 소재와, 상기 기판 소재 상에 형성되어 있는 보호막과, 상기 보호막 상부에 형성되어 있는 상기 화소전극층을 포함하며, 상기 화소전극층은, 상기 보호막과 상기 화소전극층의 사이에 제1유기막이 형성되어 있는 제1화소영역과, 상기 화소전극층의 상부에 제2유기막이 형성되어 있는 제2화소영역으로 나누어지는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 개구율 감소 없이 측면 시인성이 개선된 액정표시장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020060004316A

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：KR1020040053395

申请日：2004-07-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 엄윤성 ,  유재진 ,  이창훈 ,  정미혜

IPC: G02F1/1343

Abstract: 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 게이트 절연막을 통해 절연되어 교차하고 있는 데이터선, 상기 게이트선과 데이터선을 이용하여 형성되는 반도체 스위칭 소자, 상기 데이터선 위에 형성된 보호층 및 유기 절연막, 상기 게이트선과 데이터선의 교차를 통하여 정의되는 각 화소 영역이 있는 액정 표시 장치에 있어서, 각 화소 영역에 분할된 제1 화소 전극과 제2 화소 전극이 있고, 제1 화소 전극은 상기 데이터선과 직접 연결되어 있고, 제2 화소 전극은 제1 화소 전극과 용량성으로 결합되어 있으며, 상기 용량성 결합을 위해 제2 화소 전극은 상기 유기 절연막이 오픈된 부분을 통해서 상기 보호막을 사이에 두고 데이터선과 오버랩 되어 있다. 이렇게 하면 개구율을 유지하면서도 휘도 및 측면 시인성이 향상된 액정 표시 장치를 얻을 수 있다.
액정표시장치, 수직배향, 절개부, 결합전극, 시인성

公开(公告)号：KR1020060003609A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：KR1020040052565

申请日：2004-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 엄윤성 ,  유재진 ,  이창훈 ,  정미혜

IPC: G02F1/1343

Abstract: 절연 기판 위에 게이트선 및 유지 전극을 포함하는 유지 전극선이 형성되어 있고, 이들을 덮는 게이트 절연막 상부에는 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 데이터선 및 드레인 전극과 유지 전극과 중첩하는 결합 전극이 형성되어 있다. 이들을 덮는 보호막 상부에는 게이트선과 데이터선이 교차하여 정의하는 각 화소 영역마다 드레인 전극 및 결합 전극과 연결되어 있는 제1 화소 전극과 결합 전극과 중첩되어 제1 화소 전극에 용량성으로 결합되어 있는 제2 화소 전극이 형성되어 있다. 이때, 보호막은 질화 규소의 제1 절연막과 유기 물질의 제2 절연막을 포함하는데, 제2 화소 전극과 결합 전극이 중첩하는 부분에서 제2 절연막 일부가 제거되어 제2 화소 전극과 결합 전극은 제1 절연막만을 사이에 두고 중첩하여 결합 용량을 형성한다.
액정표시장치, 수직배향, 절개부, 결합전극, 결합용량

Abstract translation: 分离和维持电极线形成在包括栅极线和在基板上的维持电极，接合电极被形成为覆盖其栅极绝缘膜，所述上绝缘栅极线和重叠的所述数据线和所述漏电极和维持电极交叉。 栅极线和数据线的这些被覆保护上部越过与所述耦合电极和所述第一像素电极，其每一个连接到所述漏电极和限定电容耦合到所述第一像素电极的接合电极，所述第二像素区域重叠 像素电极形成。 此时，该保护膜包括第一绝缘膜的第二绝缘膜和氮化硅的有机材料，所述第二像素电极和耦合电极是重叠的部分的第二绝缘膜在耦合到所述第二像素电极的一部分被去除的电极是第一 仅将绝缘膜插入其间以形成耦合电容。