公开(公告)号：KR1020000050580A

公开(公告)日：2000-08-05

申请号：KR1019990000561

申请日：1999-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정용화

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A wafer rotating device is to improve a uniformity of etching and increase a yield by rotating a wafer repeatedly in clockwise or anti-clockwise direction during etch process. CONSTITUTION: A wafer rotating device for producing a semiconductor comprises: a chamber(20) inside of which is maintained in vacuum and in which a shield(22) is placed; a table(26) being arranged ratably in the chamber and having a fixing member(24) for fixing a wafer thereon; a rotating gear(30) arranged under the table for rotating it; a motor(32) for rotating the rotating gear in forward or backward direction; a driving gear(34) being engaged with the rotating gear for transmitting a rotating force from the rotating gear; a sensor for detecting a reference position(36) and a sensor for detecting a limit position(38) for controlling a rotating angle of the gear; and a seal member(28) arranged between the table and the rotating gear to maintain a vacuum state.

Abstract translation: 目的：晶片旋转装置是通过在蚀刻过程中顺时针或逆时针方向重复旋转晶片来提高蚀刻的均匀性并提高产量。 构成：用于制造半导体的晶片旋转装置包括：室（20），其内部保持真空并且其中放置有屏蔽件（22）; 桌子（26）可靠地布置在所述腔室中并且具有用于在其上固定晶片的固定构件（24） 旋转齿轮（30），布置在所述工作台下方以使其旋转; 用于使所述旋转齿轮向前或向后旋转的马达（32）; 驱动齿轮（34）与所述旋转齿轮接合以传递来自所述旋转齿轮的旋转力; 用于检测参考位置的传感器（36）和用于检测用于控制齿轮的旋转角度的极限位置（38）的传感器; 以及布置在工作台和旋转齿轮之间以保持真空状态的密封构件（28）。

公开(公告)号：KR1019990069597A

公开(公告)日：1999-09-06

申请号：KR1019980003974

申请日：1998-02-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김원우 ,  정용화 ,  박정호 ,  박종석

IPC: H01L21/324

Abstract: 열처리 설비의 내부에 적어도 2 이상의 적층 챔버를 형성하여 설치 면적의 감소와 설비 가동 효율을 증대시킨 반도체 열처리 설비가 개시되고 있다.
본 발명에 의하면, 열처리 설비의 내부에 일정 간격 이격되어 적어도 2 이상이 설치되어 있는 열처리 챔버, 복수개의 열처리 챔버에 열처리될 웨이퍼를 웨이퍼 카세트로부터 로딩/언로딩하는 로봇 암과, 복수개의 열처리 챔버중 열처리가 먼저 종료된 어느 하나의 열처리 챔버로 로딩될 웨이퍼를 프레 로딩하고 있는 프레 로딩 스테이션과, 열처리 챔버에서 처리된 웨이퍼를 냉각하는 스테이션을 포함하는 복합 스테이션과, 열처리 챔버에서 열처리를 최초 수행할 때 열처리 시험용 더미 웨이퍼가 로딩되는 더미 스테이션을 구비한 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970052048A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950059310

申请日：1995-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정용화 ,  김진복

IPC: H01L21/203

Abstract: 본 발명은 알루미늄막 등의 배선막을 웨이퍼상에 형성하기 위한 스퍼터링시스테므이 에치챔버내에서 RF파워를 사용하여 웨이퍼의 표면에 형성된 자연산화막을 제거할 때 발생되는 파티클을 수집하는 캐처구조에 관한 것으로서, 평판으로 형성되어 있고 그리고 알루미늄재질로 형성된 플레이트를 포함하는 구조를 갖는다. 상술한 캐처를 사용하면, 에칭챔버에서 RF파워에 의한 에칭시 웨이퍼상으로부터 떨어져 나간 자연산화막과 배리어 메탈등이 견고히 부착될 뿐만아니라 그리고 부착가능한 표면적을 넓게 하므로서 파티클의 발생을 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970051805A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052705

申请日：1995-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정용화 ,  지연홍 ,  김진복

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 어떠한 절체함수 하에서도 자동적으로 숨겨진 층의 요구되는 스레숄드(threshold)요소의 수를 결정하며 확실하게 수렴되는 3층의 스레숄드 망을 위한 학습 알고리즘을 통하여 디지털 VLSI기술로 제안된 3층의 스레숄드 망의 합성방법에 관한 것으로서, 그 특징은 스래숄드 망의 합성방법에 있어서, 망 입력과 출력을 갖는 3계층의 스레숄드 망을 제공하고, 결정된 숨겨진 계층 내에서 요구되는 스레숄드 요소의 수를 가지는 수렴이 보장된 각 스레숄드 요소의 가중치와 스레숄드의 집합을 보장하는 기하학적 확장 학습알고리즘을 포함하여, 어떠한 함수에 대해서도 수렴이 보장되어지며, 3계층으로 된 데에 있으므로, 본 발명은 어떠한 절체함수하에서도 자동적으로 숨겨진 층의 요구되는 스레숄드 요소의 수를 결정하며 확실하게 수렴되는 3층의 레숄드망을 위한 학습 알고리즘을 통하여 VLSI 기술로 제안된 3층의 스레숄드 망을 구축할 수 있다는 데에 그 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020010002284A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019990022020

申请日：1999-06-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정용화

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A magnetron sputtering apparatus is provided to design a metal target to be a round type and thus to be convex upward, thereby improving an adhesive property between the target and an attached material accumulated at a center portion of the target. CONSTITUTION: The device comprises a wafer holder(100) in which a wafer(102) is fixed, and a plate(104) disposed at a lower end of the wafer holder to be opposite to the wafer holder, wherein a metal target(106) served as a cathode electrode is disposed at the plate, and the metal target is formed into a round type to be convex upward at a center portion thereof. In the apparatus, the wafer holder and the plate are disposed at an upper and lower portion of the apparatus to be opposite to each other. A magnetron electrode(108) comprised of an internal magnetron electrode(108a) and an external magnetron electrode(108b) is disposed at a lower portion of the plate to be apart from each other at an interval.

Abstract translation: 目的：提供一种磁控溅射装置，以将金属靶设计成圆形并因此向上凸起，从而改善靶和与靶材中心部分的附着材料之间的粘合性。 构成：该装置包括其中固定有晶片（102）的晶片保持器（100）和布置在晶片保持器的下端以与晶片保持器相对的板（104），其中金属靶（106 ）设置在板上，并且金属靶被形成为在其中心部分向上凸起的圆形。 在该设备中，晶片保持器和板被设置在彼此相对的装置的上部和下部。 由内部磁控管电极（108a）和外部磁控管电极（108b）组成的磁控管电极（108）设置在板的下部，以间隔彼此分开。