웨이퍼 보트
    11.
    发明公开
    웨이퍼 보트 审中-实审
    晶圆船

    公开(公告)号:KR1020170075102A

    公开(公告)日:2017-07-03

    申请号:KR1020150183933

    申请日:2015-12-22

    Abstract: 본발명은상부플레이트; 상기상부플레이트와이격배치된하부플레이트; 및상기상부플레이트와상기하부플레이트사이에배치된적어도하나의웨이퍼를지지하는복수의지지부재들을포함하고, 상기지지부재들의각각은: 상기상부플레이트와상기하부플레이트를연결하는지지로드; 및상기지지로드로부터상기웨이퍼의내측방향으로연장되어, 상기웨이퍼의하부면에상기웨이퍼의내측방향으로선 접촉하는지지바를포함하는웨이퍼보트에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种上板, 与上板间隔开的下板; 并且每个所述顶板和至少包括多个支撑构件,用于支撑晶片,所述设置在所述下板之间,其包括支撑构件:支承杆,用于连接上板和下板; 和延伸在从支撑的负载的晶片的内部方向,向含有棒接触支撑euroseon向内上晶片舟皿的下表面上的晶片的晶片。

    반도체 소자 및 이의 제조 방법
    12.
    发明公开
    반도체 소자 및 이의 제조 방법 审中-实审
    一种半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150044722A

    公开(公告)日:2015-04-27

    申请号:KR1020130124143

    申请日:2013-10-17

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체소자의제조방법은기판에트렌치들및 상기트렌치들사이의상기기판상에하부게이트패턴들을형성하는것, 상기트렌치들을채우는희생패턴들을형성하는것, 상기하부게이트패턴들상에상기희생패턴들의상부면을덮는다공성절연막을형성하는것, 상기다공성절연막에포함된기공들을통해상기희생패턴들을선택적으로제거하여, 상기트렌치들의내벽으로둘러싸인에어갭들을형성하는것, 및상기다공성절연막의상기기공들을통해상기트렌치들의내벽에라이너절연막을형성하는것을포함한다.

    Abstract translation: 根据本发明实施例的制造半导体器件的方法包括:在衬底上形成沟槽并在沟槽之间在衬底上形成较低的栅极图案; 形成填充有沟槽的牺牲图案; 形成覆盖下栅极图案上的牺牲图案的上表面的多孔电介质膜; 通过选择性地通过包括在多孔介电膜中的孔隙去除牺牲图案,形成由沟槽的内壁包围的气隙; 以及通过所述多孔介电膜的孔在所述沟槽的内壁上形成衬垫电介质膜。

    반도체 장비 내부에서의 파티클 생성 억제 방법
    13.
    发明公开
    반도체 장비 내부에서의 파티클 생성 억제 방법 无效
    抑制半导体制造厂中颗粒形成的方法

    公开(公告)号:KR1020060090090A

    公开(公告)日:2006-08-10

    申请号:KR1020050011303

    申请日:2005-02-07

    Inventor: 정창구

    CPC classification number: C23C16/4404 C23C16/22

    Abstract: 본 발명은 반도체 장비 내부에서의 실리콘 질화막 파티클 억제 방법에 관한 것이다. 본 방법은 상기 기판 상에 실리콘 질화막을 형성하고, 상기 반도체 장비 내부로 소정의 가스를 주입하여 상기 실리콘 질화막 상에 실리콘을 포함하는 박막을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 의하면, 실레인 또는 디클로로실레인 가스를 이용하여 누적된 실리콘 질화막 상에 폴리실리콘막을 코팅함으로써 설비 부품의 교체 시간을 감소할 수 있다. 따라서, 설비 가동율을 향상시킬 수 있는 효과와 이와 더불어 생산량을 증산시킬 수 있는 효과가 있다.

    반도체소자 제조용 확산공정설비

    公开(公告)号:KR100511020B1

    公开(公告)日:2005-11-21

    申请号:KR1019980014011

    申请日:1998-04-20

    Inventor: 홍지훈 정창구

    Abstract: 본 발명은 서로 공정면을 마주보며 위치하도록 배치된 웨이퍼들 사이에 넓은 공간을 형성하여 불순물가스의 흐름을 원활하게 하는 반도체소자 제조용 확산공정설비에 관한 것이다. 본 발명은 웨이퍼 상에 불순물가스를 주입하여 막질을 형성하도록, 복수 개의 상기 웨이퍼들이 작고 큰 피치를 순차적으로 형성하며 2개씩 1개의 조를 이루어 위치하는 웨이퍼보트와, 상기 조를 이루는 상기 웨이퍼들이 서로 뒷면을 마주보며 위치하고, 상기 조들 사이에서는 상기 웨이퍼들이 서로 공정면을 마주보며 위치하도록 상기 웨이퍼들을 교대로 반전시켜 상기 웨이퍼보트로 이송하는 이송수단 및 상기 이송수단을 제어하는 제어부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 따라서, 작고 큰 피치를 순차적으로 이루며 웨이퍼를 배치하여 웨이퍼보트의 처리량을 크게 하고, 불순물가스의 흐름을 원활하게 함으로써 막질의 균일성을 향상시키며, 균일한 불순물가스 및 열공급에 의해 상기 웨이퍼의 중심부와 주변부의 온도차에 의한 열팽창의 차이를 해소함으로써 상기 웨이퍼 상에 균열이 발생하는 슬립현상을 억제하게 하는 효과가 있다.

    반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법
    15.
    发明公开
    반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법 失效
    在半导体制造工艺中形成氧化层的方法

    公开(公告)号:KR1020020057751A

    公开(公告)日:2002-07-12

    申请号:KR1020010000823

    申请日:2001-01-06

    Abstract: PURPOSE: A method for forming an oxide layer in a semiconductor fabrication process is provided to form a uniform oxide layer on a wafer in a process for forming a thermal oxide layer. CONSTITUTION: A boat including a multitude of wafers is transferred into a tube(S1). Nitrogen gas is provided to the tube(S2). Oxygen gas is provided to the tube(S3). The tube is heated to a high temperature(S4). The tube is maintained under the high temperature(S5). The oxygen gas is provided to the tube under the high temperature(S6). The oxygen gas and hydrogen chloride gas are provided to the tube(S7). A thermal process for the wafers is performed(S8). A cooling process for the tube is performed(S9). The tube is maintained under a low temperature(S10). The boat including the wafers is transferred to the outside of the tube(S11).

    Abstract translation: 目的:提供一种在半导体制造工艺中形成氧化物层的方法,以在形成热氧化物层的工艺中在晶片上形成均匀的氧化物层。 构成:将包含大量晶片的船转移到管(S1)中。 向管(S2)提供氮气。 氧气被提供给管(S3)。 将管加热至高温(S4)。 管保持在高温(S5)。 氧气在高温下被提供给管(S6)。 将氧气和氯化氢气体提供给管(S7)。 进行晶片的热处理(S8)。 执行管的冷却过程(S9)。 将管保持在低温下(S10)。 包括晶片的舟皿被转移到管的外部(S11)。

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