公开(公告)号：KR101557102B1

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：KR1020090021320

申请日：2009-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최중선 ,  최길현 ,  박병률 ,  이종명 ,  박진호 ,  정혜경

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명은반도체소자의금속연결배선및 그형성방법에관한것으로, 제1 선단과그 반대편의제2 선단을갖는금속배선과, 상기금속배선과전기적으로연결된비아와, 그리고상기제1 선단으로부터연장되고보이드가포함된비활성부를포함할수 있다. 본발명에의하면, 인장응력을낮춰비아아래에서의보이드생성을억제시킬수 있어서일렉트로마이그레이션에의한배선파괴를거의방지할수 있어소자의전기적특성을개선시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020050082333A

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：KR1020040010763

申请日：2004-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김노선 ,  김헌기 ,  정혜경 ,  김성환

IPC: H04B7/26

CPC classification number: H04W24/00 ,  H04B2201/70701 ,  H04L1/0003 ,  H04L1/1671 ,  H04L1/1803 ,  H04W24/10 ,  H04W28/04

Abstract: 본 발명은 광대역 부호분할다중접속 이동통신시스템에서 고속 패킷 데이터의 재전송을 위해 제어 정보를 전송하는 장치 및 방법을 제공하는 것으로, 특히 고속 패킷 데이터의 재전송을 위해 제어 채널을 이용하여 채널품질정보 전송요구비트를 송수신하는 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
따라서, 기지국 또는 단말기가 필요로 하는 정보를 원하는 필요한 시간에 획득하여 이동통신시스템의 시스템 전체 성능을 증가시키는 효과를 가진다. 또한, 본 발명은 기존의 제어 채널의 구조 또는 정보비트 수의 변화 없이 추가적인 정보전송을 가능하는 효과를 가진다.

公开(公告)号：KR101541779B1

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：KR1020090003566

申请日：2009-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박진호 ,  최길현 ,  박병률 ,  이종명 ,  최중선 ,  정혜경

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 접촉저항을개선한반도체장치및 이의제조방법이개시된다. 다수의하부도전성구조물이배치된기판개구를구비하는절연막을형성하고, 개구의내측면을따라위치하고제1 금속성물질보다제1 환원성물질의조성이우세한제1 금속질화막및 제2 환원성물질보다제2 금속성물질의조성이우세한제2 금속질화막을구비하는장벽층을형성한다. 장벽층으로한정된개구의내부에배치되는접속체를형성한후, 접속체를통하여하부도전성구조물과전기적으로접촉하는상부도전성구조물을형성한다. 하부도전성구조물에대한열 손상을최소화하고전자천이를줄일수 있다.

Abstract translation: 公开了一种改善了接触电阻的半导体器件及其制造方法。 形成具有其中设置有多个下导电结构的基板开口的绝缘膜，形成沿开口的内表面定位且具有比第一金属材料的组分更高的第一还原材料的第一金属氮化物膜， 形成具有主要由金属材料组成的第二金属氮化物膜的阻挡层。 在形成布置在由阻挡层限定的开口内的接触之后，形成上导电结构，其通过接触与下面的导电结构电接触。 对下面的导电结构的热损伤可以被最小化并且可以减少电子跃迁。

公开(公告)号：KR1020110092836A

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：KR1020100012491

申请日：2010-02-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문광진 ,  최길현 ,  이종명 ,  최중선 ,  정혜경

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/288 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/7685 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/42312

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to form a gate protection pattern between a metal gate electrode and a barrier layer, thereby preventing the damage of the metal gate electrode which is formed when a barrier layer is formed. CONSTITUTION: A gate insulating pattern and a metal gate electrode(141) are formed on a substrate(100). The metal gate electrode comprises aluminum. An interlayer insulating film includes a gate contact hole. The interlayer insulating film is formed on the metal gate electrode. A gate protection pattern(161) is selectively formed on the metal gate electrode. A barrier layer(170) and gate contact plugs(180,181) are formed on the gate protection pattern.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以在金属栅电极和阻挡层之间形成栅极保护图案，从而防止当形成阻挡层时形成的金属栅电极的损坏。 构成：在基板（100）上形成栅极绝缘图案和金属栅电极（141）。 金属栅电极包括铝。 层间绝缘膜包括栅极接触孔。 层间绝缘膜形成在金属栅电极上。 选择性地在金属栅电极上形成栅极保护图案（161）。 在栅极保护图案上形成阻挡层（170）和栅极接触插塞（180,181）。

公开(公告)号：KR1020150029062A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：KR1020130107680

申请日：2013-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민동기 ,  김왕현 ,  정순화 ,  김태찬 ,  정혜경

IPC: G01C3/08 ,  G01B11/22

CPC classification number: G01C3/08 ,  G01S7/4914 ,  G01S17/32 ,  G01S17/89

Abstract: 깊이 센서를 이용한 거리 계산 방법은 광원으로부터 출력된 변조 광신호를 대상으로 출력하고, 상기 대상으로부터 반사된 변조 광신호를 수신하는 단계와, 포토게이트들로 입력되는 상기 반사된 변조 광신호와 상기 포토게이트들로 공급되는 복조 신호들을 이용하여 상기 광원과 상기 대상 사이의 거리를 계산하는 단계를 포함하고, 상기 계산하는 단계는 상기 변조 광신호를 이용한 최대 측정 가능 거리보다 먼 거리를 상기 최대 측정 가능 거리와 동일한 거리로 계산한다. 상기 먼 거리의 범위는 상기 변조 광신호의 듀티 비에 따라 결정되고, 상기 변조 광신호와 상기 복조 신호들 각각의 듀티 비는 1/(2n)으로 결정되고, n은 자연수이다.

Abstract translation: 使用深度传感器计算距离的方法包括以下步骤：接收由对象反射的调制光信号，将从光源输出的调制光信号输出到对象; 以及结合提供给光栅的解调信号，使用输入到光栅的反射调制光信号来计算光源和物体之间的距离。 计算步骤使用调制光信号计算比最大可测量距离更远的至少一个距离，并将至少一个距离设置为等于最大可测量距离。 可以根据调制光信号的占空比来确定距离最大可测量距离更远的距离的范围。 在1 /（2n）处确定调制光信号和解调信号的每个占空比，其中n是自然数。