公开(公告)号：KR1019970063540A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960004573

申请日：1996-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 채승기 ,  정호균 ,  김진성

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 웨이퍼의 배면부에 부착된 오염물질을 제거하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 웨이퍼상에 부착된 오염물질을 제거한 반도체 장치에 제조 방법에 있어서, 상기 웨이퍼의 전표면상에 산화막을 형성하여 상기 웨이퍼의 표면에 부착된 오염물질을 상기 산화막으로 감싸는 공정과; 상기 웨이퍼를 습식공정조에 로딩하여 상기 산화막을 제거하는 공정을 포함하여 상기 오염물질이 상기 산화막의 제거시 함께 제거되는 것을 특징으로 한다. 이러한 방법에 의해서 웨이퍼의 배면부에 부착된 오염물질을 제거할 수 있고, 아울러 반도체 장치의 수율저하를 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960012391A

公开(公告)日：1996-04-20

申请号：KR1019940024174

申请日：1994-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임일환 ,  주진호 ,  정호균

IPC: H01L21/60

Abstract: 반도체장치 부식방지 방법이 개시되어 있다. 패브리케이션이 완료된 반도체 기판의 금속패드 상에 산화막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 산화막은 클린에어를 주입하여 형성한다. 반도체 기판을 고온 클린에어로 열처리함으로써 균일하고 치밀한 산화막을 형성하여 금속패드의 부식을 방지할 수 있다.