公开(公告)号：KR1020000004840A

公开(公告)日：2000-01-25

申请号：KR1019980031544

申请日：1998-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽규환 ,  고세종 ,  황경석 ,  길준잉 ,  박상오 ,  김대훈 ,  전상문 ,  정호균

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C09K13/04 ,  H01L21/3212

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing semiconductor device, an etching solution components therefor, and a semiconductor device thereof are provided to simplify the manufacturing process, to improve reliability of the semiconductor device, and to reduce manufacturing cost. CONSTITUTION: According to the method, a tungsten film(122) and a poly-silicon film(262) re formed in an implanted contact hole(226). And then, a spin etching is performed to the tungsten film(122) and a poly-silicon film(262), so that a tungsten plug or a poly-silicon plug are manufactured. Here, the components of etching solution are an oxidation solution, a builder, and a buffer. The oxidation solution is at least one of H2O2, O2, IO-4, BrO3, CIO3, S2O-8, KIO3, H5IO6, KOH and HNO3. The builder is at least one of HF, NH4OH, H3PO4, H2SO4 and HCL.

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，其蚀刻溶液组分及其半导体器件，以简化制造工艺，提高半导体器件的可靠性并降低制造成本。 构成：根据该方法，在植入的接触孔（226）中形成钨膜（122）和多晶硅膜（262）。 然后，对钨膜（122）和多晶硅膜（262）进行旋转蚀刻，从而制造钨插塞或多硅插头。 这里，蚀刻溶液的成分是氧化溶液，助洗剂和缓冲剂。 氧化溶液是H 2 O 2，O 2，IO-4，BrO 3，CIO 3，S 2 -8，KIO 3，H 5 O 6，KOH和HNO 3中的至少一种。 助洗剂是HF，NH 4 OH，H 3 PO 4，H 2 SO 4和HCL中的至少一种。

公开(公告)号：KR100207469B1

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019960005954

申请日：1996-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 길준잉 ,  이석호 ,  전상문 ,  정호균

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C11D7/08 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/261 ,  C11D11/0047

Abstract: 반도체기판의 세정액 및 이를 사용하는 세정방법이 개시되어 있다. 본 발명은 불산 용액, 과산화수소 용액, 이소프로필 알콜, 및 탈이온수가 혼합된 세정액을 제공하고, 상기 세정액이 담긴 제1액조에 웨이퍼를 담구어 세정하는 단계와, 상기 세정된 웨이퍼를 탈이온수가 담긴 제2액조에 담구어 상기 세정된 웨이퍼 표면에 잔존하는 세정액을 제거하는 단계와, 상기 세정액이 제거된 웨이퍼를 탈이온수가 담긴 제3액조에 담구어 상기 세정액이 제거된 웨이퍼 표면에 잔존하는 이물질을 제거하는 단계, 및 상기 이물질이 제거된 웨이퍼를 회전시키어 그 표면에 잔존하는 탈이온수를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 세정방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 웨이퍼 표면에 흡착된 유기 오염물질 및 무기 오염물질을 4단계의 세정공정으로 모두 제거시킬 수 있으며, 실리콘으로 이루어진 물질인 웨이퍼, 다결정 실리콘막, 또는 비정질 실리콘막이 식각되는 현상을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980040788A

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019960060025

申请日：1996-11-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재근 ,  이곤섭 ,  조규철 ,  정호균

IPC: H01L21/324

Abstract: 반도체 웨이퍼 제작과정에서 수행하는 도너킬링공정의 최적화를 위해, 가열로에서 적어도 900℃ 이상의 온도에서 일정시간 이상 열처리를 수행함으로써 반도체 단결정성장시 결정격자내로 유입된 초기산소의 산소석출물 성장을 억제시킨다.
따라서 초기산소농도에 관계없이 산소석출물을 용이하게 억제하여 반도체소자의 수율을 향상시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019960042903A

公开(公告)日：1996-12-21

申请号：KR1019950012315

申请日：1995-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성민 ,  정호균

IPC: H01L21/00

Abstract: 슬릿을 구비하는 반도체 장치에 관해 기재되어 있다.
반도체기판의 주변 가장자리를 따라 형성된 금속도전막 및 금속도전막에 형성된, 팁(tip)의 모서리가 라운드된 슬릿을포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 슬릿 팁에 가해지는 스트레스의 집중을 방지할 수 있으며, 금속층과 패시베이션막 사이의 접착력을 높여줄 수 있다.

公开(公告)号：KR100271769B1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：KR1019980031544

申请日：1998-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽규환 ,  고세종 ,  황경석 ,  길준잉 ,  박상오 ,  김대훈 ,  전상문 ,  정호균

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 소정의 콘택홀 상에 상기 콘택홀을 매몰시키며, 소정 두께로 텅스텐막 또는 폴리실리콘막을 형성한 후, 상기 콘택홀내에 상기 텅스텐막 또는 폴리실리콘막이 존재하도록 특정의 식각액 조성물을 이용하여 스핀식각방법을 수행하여 상기 콘택홀 상부의 텅스텐막 또는 폴리실리콘막을 식각함으로서 텅스텐 플러그 또는 폴리실리콘 플러그를 제조하며, 층간절연막의 단차를 최소화할 수 있는 반도체소자의 제조방법, 이를 위한 반도체소자 제조용 식각액 조성물 및 반도체소자에 관한 것이다.
상기 식각액 조성물은 H
2 O
2 , O
2 , IO
4
- , BrO
3 , ClO
3 , S
2 O
8
- , KIO
3 , H
5 IO
6 , KOH 및 HNO
3 로 이루어진 그룹 중에서 선택되어진 적어도 하나 이상의 산화제 및 HF, NH
4 OH, H
3 PO
4 , H
2 SO
4 , HCl로 이루어진 그룹중에서 선택되어진 적어도 하나 이상의 증강제, 완충액을 소정의 비율로 혼합되어 이루어진다. 상기 완충액은 상기 식각액 조성물의 농도, 온도 및 콘택앵글을 제어하는 것으로 탈이온수가 바람직하다.
따라서, 반도체소자 제조시 제조공정의 단순화, 소자의 신뢰성 향상 및 제조공정의 원가를 절감시킬 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100240023B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019960060025

申请日：1996-11-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재근 ,  이곤섭 ,  조규철 ,  정호균

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3225

Abstract: 반도체 웨이퍼 제작과정에서 수행하는 도너킬링공정의 최적화를 위해, 가열로에서 적어도 900℃ 이상의 온도에서 일정시간 이상 열처리를 수행함으로써 반도체 단결정성장시 결정격자내로 유입된 초기산소의 산소석출물 성장을 억제시킨다.
따라서 초기산소농도에 관계없이 산소석출물을 용이하게 억제하여 반도체소자의 수율을 향상시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100151045B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019950012315

申请日：1995-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성민 ,  정호균

IPC: H01L21/00

Abstract: 슬릿을 구비하는 반도체 장치에 관해 기재되어 있다.
반도체기판의 주변 가장자리를 따라 형성된 금속도전막 및 금속도전막에 형성된, 팁(tip)의 모서리가 라운드된 슬릿을 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 슬릿 팁에 가해지는 스트레스의 집중을 방지할 수 있으며, 금속층과 패시베이션막 사이의 접착력을 높여줄 수 있다.

公开(公告)号：KR100147601B1

公开(公告)日：1998-11-02

申请号：KR1019940024174

申请日：1994-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임일환 ,  주진호 ,  정호균

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463

Abstract: 반도체장치 부식방지 방법이 개시되어 있다. 패브리케이션이 완료된 반도체 기판의 금속패드 상에 산화막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 산화막은 클린에어를 주입하여 형성한다.
반도체 기판을 고온 클린에어로 열처리함으로써 균일하고 치밀한 산화막을 형성하여 금속패드의 부식을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970067662A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019960005954

申请日：1996-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 길준잉 ,  이석호 ,  전상문 ,  정호균

IPC: H01L21/304

Abstract: 반도체기판의 세정액 및 이를 사용하는 세정방법이 개시되어 있다.
본 발명품은 불산 용액, 과산화수소 용액, 이소프로필 알콜, 및 탈이온수가 혼합된 세정액을 제공하고, 상기 세정액이 담긴 제1 액조에 웨이퍼를 담구어 세정하는 단계와, 상기 세정된 웨이퍼를 탈이온수가 담긴 제2 액조에 담구어 상기 세정된 웨이퍼 표면에 잔존하는 세정액을 제거하는 단계와, 상기 세정액이 제거된 웨이퍼를 탈이온수가 담긴 제3 액조에 담구어 상기 세정액이 제거된 웨이퍼 표면에 잔존하는 이물질을 제거하는 단계 및 상기 이물질이 제거된 웨이퍼를 회전시키어 그 표면에 잔존하는 탈이온수를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 세정방법을 제공한다. 본 발명에 의하며, 웨이퍼 표면에 흡착된 유기 오염물질 및 무기 오염물질을 4단계의 세정공정으로 모두 제거시킬 수 있으며, 실리콘으로 이루어진 물질인 웨이퍼, 다결정 실리콘막, 또는 비정질 실리콘막이 식각되는 현상을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR2020000000793U

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR2019980010349

申请日：1998-06-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정호균

IPC: F25D23/00

Abstract: 개시된 저압 방지장치는 냉장고의 도어를 폐쇄시키는 초기에 외부의 공기가 고내로 유입되게 하여 고내의 압력이 저압으로 되는 것을 방지하고, 냉장고의 도어를 폐쇄시킨 후 소정의 시간이 경과되어 고내 압력이 대기압으로 되었을 경우에 고내의 냉기가 외부로 유출되지 않도록 하는 것이다.
본 고안은 냉장고의 냉동실 및 냉장실과 외부의 사이에, 고내와 외부를 연결하는 공기 통로에 솔레노이드 밸브를 설치하여 솔레노이드 밸브가 구동될 경우에 고내와 외부를 공기 통로를 통해 연결되고 솔레노이드 밸브가 구동되지 않을 경우에 고내와 외부가 차단되게 하는 압력 조절 수단을 구비하고, 도어 스위치가 도어의 개방을 검출할 경우에 제어부의 제어에 따라 압력 조절 수단의 솔레노이드 밸브를 구동 및 고내와 외부가 공기 통로를 통해 연결되게 하여 고내의 압력이 저압으로 되는 것을 방지하며, 도어 스위치가 냉장고의 도어를 폐쇄를 검출할 경우에 제어부는 미리 설정된 소정의 시간을 카운트하고, 설정된 시간이 경과될 경우에 솔레노이드 밸브를 정지시켜 고내의 냉기가 외부로 유출되지 않도록 한다.