公开(公告)号：KR100397596B1

公开(公告)日：2003-12-06

申请号：KR1019950039452

申请日：1995-11-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조은철 ,  조영현 ,  이수홍

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A buried contact solar cell and a method for manufacturing the same are provided to improve conversion efficiency of the cell by forming a back-side electrode using doping of boron and diffusion. CONSTITUTION: A pn junction is formed by forming a semiconductor layer on a substrate(1). An oxide layer(3) is formed on the front-side and back-side of the substrate. The oxide layer of the back-side is removed. Boron is doped and diffused. A groove is formed at the front-side of the substrate. Impurity is doped into the groove. A front-side electrode(2) is then formed by depositing a conductive layer on the groove. Then, a back-side electrode(4) is formed by depositing a conductive layer on the back-side of the substrate.

公开(公告)号：KR100355806B1

公开(公告)日：2002-12-16

申请号：KR1019950009847

申请日：1995-04-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이수홍 ,  조영현 ,  조은철

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a silicon thin film for a solar cell is provided to utilize an inexpensive substrate like a glass substrate by using cadmium as a solvent in a liquid phase epitaxy(LPE) method so that silicon and process alloy are fabricated at a low process temperature. CONSTITUTION: A silicon thin film is fabricated through an LPE method. Cadmium is used as a metal solvent so that silicon of 2 atm percent capable of being used as an active region of the solar cell becomes a solid solution at a process temperature not higher than 700 deg.C.

公开(公告)号：KR1019970018750A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950032206

申请日：1995-09-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조영현 ,  조은철 ,  이수홍

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명에는 실리콘 기판의 한면에 피라미드 구조를 형성하는 단계 : 평면화된 실리콘 기판에 산화막을 형성하는 단계 : 부분확산창이 있는 금속 마스크를 이용하여 알루미늄을 부분적으로 증착하는 단계 : 알루미늄이 부분적으로 증착된 실리콘 기판을 소결하여 부분 확산 p
+ 층을 형성하는 단계 : 및 상기 실리콘 기판 상부에 전도성 물질을 증착하여 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 함몰전극 후면부분 확산형 태양전지의 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명에 의하면, 고가의 확산장비를 필요로 하지 않으며, 포토리소그래피 공정도 생략될 수 있으므로 전지의 제조공정이 단순화되어 태량생산이 가능할 뿐만 아니라, 우수한 변화효율을 갖는 BCBL형 태양전지를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960039121A

公开(公告)日：1996-11-21

申请号：KR1019950009847

申请日：1995-04-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이수홍 ,  조영현 ,  조은철

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 낮은 공정온도에서 실리콘 박막을 형성해 줄 수 있는 금속용매를 사용한 에피탁시법에 의한 태양전지용 실리콘 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 좀 더 상세하게는 액상 에피탁시법에 의한 실리콘 박막의 제조방법에 있어서, 적어도 700℃ 이하의 공정온도에서 태양전지용 능동영역으로 사용하기에 충분한 실리콘 함량인 2atm%를 고용시킬 수 있도록 금속용매로서 카드뮴을 사용하므로써 저온의 공정온도에서 실리콘의 공정합금을 형성시켜 유리기판 등과 같은 저가의 기판이 활용될 수 있고, 제조비용을 낮출 수 있는 태양전지용 실리콘 박막의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020110033521A

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：KR1020090091060

申请日：2009-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조은철 ,  이헌주 ,  이수석

IPC: G01N33/53 ,  G01N33/48 ,  H03H9/145

CPC classification number: H01L41/1132 ,  G01L1/165 ,  G01L9/0025 ,  G01N29/022 ,  G01N2291/0256 ,  G01N2291/0423

Abstract: PURPOSE: A surface acoustic wave device is provided to form oxide thin film and hydrophobic thin film on the surface of IDT electrode and to ensure power durability. CONSTITUTION: A surface acoustic wave device comprises a piezoelectric substrate and an IDT(inter-digital transducer) electrode(200) formed on the substrate. The surface of the IDT electrode has an oxide thin film(300) of which surface includes a hydrophobic thin film(400). The IDT electrode is formed of aluminum or aluminum alloy. The oxide thin film is an oxide aluminum thin film. The hydrophobic thin film is formed by chemically binding a hydrophobic surface modifier with the oxide thin film. The hydrophobic functional group is an alkyl group, alkene group, fluoro-alkyl group, fluoro-alkoxy group, or fluoro-alkenyl group.

Abstract translation: 目的：提供表面声波装置，在IDT电极表面形成氧化物薄膜和疏水性薄膜，确保电源的耐用性。 构成：表面声波装置包括压电基板和形成在基板上的IDT（数字式换能器）电极（200）。 IDT电极的表面具有表面包括疏水性薄膜（400）的氧化物薄膜（300）。 IDT电极由铝或铝合金形成。 氧化物薄膜是氧化铝薄膜。 疏水性薄膜通过将疏水性表面改性剂与氧化物薄膜化学结合而形成。 疏水官能团是烷基，烯基，氟 - 烷基，氟 - 烷氧基或氟 - 烯基。

公开(公告)号：KR1019970018751A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950032207

申请日：1995-09-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조영현 ,  조은철 ,  이수홍

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 함몰전극 후면 부분확산형 태양전지에 관한 것으로서, 피라미드 구조가 형성된 기판의 한면에는 n
+ 층이 형성되어 있고, 평면화된 기판의 다른 한면에는 알루미늄의 부분확산 p
+ 층이 형성되어 있는 실리콘 기판과, 전면 전극과, 후면 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 함몰전극 후면부분 확산형 태양전지가 개시되어 있다. 본 발명의 전지는 그 제조과정에서 고가의 확산장비를 필요로 하지 않으며 포토리소그래피 공정도 생략될 수 있으므로 전지의 제조공정이 단순화되어 대량생산이 가능할 뿐만 아니라, 우수한 변화효율을 갖는 BCBL형 태양전지이다.

公开(公告)号：KR1019960009237A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019940021457

申请日：1994-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조은철

IPC: H01L31/00

Abstract: 본 발명은 자동정렬 태양전지의 제조방법 및 그 태양전지에 관한 것이다. 좀 더 상세하게는, 상기 방법은 a) 마스크를 이용하여 실리콘 기판 전면에 텍스쳐링 영역 및 그리드와 모선으로 이루어진 금속배선층 영역을 정의한 후, 이방성 에칭용액을 사용하여 역 피라미드 형상의 텍스처럼 면을 형성시키는 공정; b) 상기 텍스쳐링 면에 인을 확산시켜 pn접합층을 형성시키는 공정; c) 상기 텍스쳐링 면상에 산화막을 형성시킨 다음 표면에 수직방향으로 건식에칭시키는 공정; 및 d) 금속 또는 금속화합물을 형성시켜 금속배선층을 제작하는 공정으로 이루어지므로써 제조비용을 절약할 수 있으며 단순화를 가능하게 할 수 있는 잇점이 있다.
한편, 본 발명의 자동정렬 태양전지는 후면전계(7)와 후면전극(8)이 실리콘 기판(1)의 후면에 순차적으로 형성되고, 역 피라미드 형상의 텍스쳐링 면(2)에서 상기 기판내로 일정거리에 형성된 pn 접합층(3), 상기 텍스쳐링 면(2)상에 형성된 산화막(4), 그리고 상기 역 피라미드 형상의 텍스쳐링 면(2)사이에 형성된 그리드(6) 및 모선(5)으로 이루어진 금속배선층이 실리콘 기판의 전면에 형성된 것에 특징이 있다.

公开(公告)号：KR100408499B1

公开(公告)日：2004-03-12

申请号：KR1019960021828

申请日：1996-06-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조은철 ,  김동섭 ,  조영현

IPC: H01L31/04

Abstract: PURPOSE: A silicon solar cell is provided to be capable of reducing the series resistance between an electrode and a silicon substrate for improving conversion efficiency. CONSTITUTION: A silicon solar cell is provided with a silicon substrate(1) and an electrode(8). At this time, the electrode is completed by sequentially forming the first barrier metal(5), the second barrier metal(6), and a conductive metal layer(7). The first barrier metal is made of one selected from a group consisting of Cr, Mo, Ta, and W. The second barrier metal is made of Pd. The conductive metal layer is made of one selected from a group consisting of Ag, Al, Cu, and Sn. Preferably, the first barrier metal has a thickness of 300-500 angstrom. Preferably, the second barrier metal has a thickness of 300-500 angstrom.

公开(公告)号：KR100355804B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1019950031468

申请日：1995-09-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동섭 ,  지일환 ,  조은철

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: An apparatus for plating a metal electrode of a p-n junction semiconductor and a plating method using the same are provided to simplify a plating process by controlling easily a plating speed according to the intensity and the wavelength of the light. CONSTITUTION: A vessel is filled with an electrolytic plating solution(15). A light source(14) provides light energy to a p-n junction semiconductor and the electrolytic plating solution(15). A metal source(16) is electrically connected with a rear electrode(13) of the p-n junction semiconductor. The electrolytic plating solution(15) is formed with AgCN, CuSO4, CuCN, KOH, NiCl2·6H2O, NiSO4(NH4)2·SO4·6H2O, AgCl or AgNO3. A metal electrode of the p-n junction semiconductor is located at the inside of the vessel. At this time, an n-type silicon layer(12) connected with the metal source(16) is directed to the light. The light is uniformly irradiated to the n-type silicon layer(12). The metal source(16) is formed with Cu, Ni, and Ag according to the plating material. The light is irradiated to the n-type silicon layer(12) and the electrolytic plating solution(15).

公开(公告)号：KR100326584B1

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：KR1019950031469

申请日：1995-09-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이수홍 ,  지일환 ,  조은철

IPC: H01L31/00

Abstract: PURPOSE: A silicon solar cell is provided to reduce reflection of light on a light collecting layer by forming air bubbles in a silicon substrate so that the air bubble is used as the light collecting layer and a rear surface electric field. CONSTITUTION: The light collecting layer can absorb a light having a broad wavelength band gap. The silicon substrate(11) has a band gap broader than that of the light collecting layer. Air bubbles are formed on both surfaces of the silicon substrate so that a rear surface electrode can effectively connect light generating carriers.