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    실리콘 태양전지의 제조방법
    2.
    发明授权
    실리콘 태양전지의 제조방법 失效
    硅太阳能电池制作方法

    公开(公告)号：KR100416739B1

    公开(公告)日：2004-05-17

    申请号：KR1019970002966

    申请日：1997-01-31

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 조은철 ,  김동섭 ,  민요셉

    IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a silicon solar cell is provided to reduce fabricating cost by decreasing the consumption of a material, and to increase adaptability by maintaining the efficiency of the solar cell. CONSTITUTION: An oxide layer(23) is formed on a p-type silicon substrate(21). A photoresist pattern is formed on the oxide layer formed on the silicon substrate. The oxide layer is etched by using the photoresist pattern. The photoresist pattern is removed and a texturing process is performed. The oxide layer on the silicon substrate is etched. Phosphorous ions are diffused to the front and rear surfaces of the silicon substrate to form an n¬+ semiconductor layer(22). An oxide layer is formed on the n¬+ semiconductor layer on the silicon substrate. Aluminum is deposited on the rear surface of the silicon substrate and is sintered to form a p¬+ semiconductor layer. A photolithography process is performed to form a conductive metal layer in a predetermined region of the front surface of the silicon substrate. A lift-off process is performed. A conductive metal layer is deposited on the rear surface of the silicon substrate to form a rear surface electrode(24). Silver is electroplated on the conductive metal layer on the front surface of the silicon substrate.

    Abstract translation: 目的：提供一种制造硅太阳能电池的方法，通过降低材料的消耗来降低制造成本，并通过保持太阳能电池的效率来提高适应性。 构成：在p型硅衬底（21）上形成氧化物层（23）。 在形成于硅衬底上的氧化物层上形成光刻胶图案。 通过使用光致抗蚀剂图案来蚀刻氧化物层。 去除光致抗蚀剂图案并进行纹理化处理。 蚀刻硅衬底上的氧化物层。 磷离子扩散到硅衬底的前表面和后表面以形成n + +半导体层（22）。 在硅衬底上的n + +半导体层上形成氧化物层。 铝沉积在硅衬底的后表面上并被烧结以形成p +半导体层。 进行光刻工艺以在硅衬底的前表面的预定区域中形成导电金属层。 执行剥离过程。 导电金属层沉积在硅衬底的后表面上以形成后表面电极（24）。 将银电镀在硅衬底的前表面上的导电金属层上。

    함몰전극후면부분확산형태양전지
    3.
    发明授权
    함몰전극후면부분확산형태양전지 失效
    浸没式电极背面扩散太阳能电池

    公开(公告)号：KR100322711B1

    公开(公告)日：2002-06-24

    申请号：KR1019950032207

    申请日：1995-09-27

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 조영현 ,  조은철 ,  이수홍

    IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

    Abstract: PURPOSE: A buried contact back locally diffused solar cell is provided to simplify a fabrication process and improve capability by forming a locally diffused p+ layer of aluminum on a silicon substrate having a planarized surface structure. CONSTITUTION: An n+ layer is formed on one surface of a silicon substrate(1) having a pyramid structure. The locally diffused p+ layer(5) of aluminum is formed on the other surface of the planarized substrate. A front surface electrode and a rear surface electrode(2) are prepared. The rear surface electrode is composed of at least one of a group of aluminum, copper, silver, tin, zinc, indium and an oxide thereof.

    함몰전극형 태양전지 및 그 제조방법
    5.
    发明公开
    함몰전극형 태양전지 및 그 제조방법 失效

    公开(公告)号：KR1019970030939A

    公开(公告)日：1997-06-26

    申请号：KR1019950039452

    申请日：1995-11-02

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 조은철 ,  조영현 ,  이수홍

    IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

    Abstract: 본 발명에서는 함몰전극형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, p형 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 전면내의 하나 이상의 홈에 전도성 금속을 도금하여 형성시킨 전면전극과, 상기 반도체 기판 후면의 p
    + 층 상부에 전도성 금속의 후면전극이 구비되어 있는 함몰전극형 태양전지에 있어서, 상기 반도체 기판 후면의 p
    + 층이 알루미늄으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 함몰전극형 태양전지 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명에 의하면, 보론의 도핑 및 확산으로 후면전계를 형성함으로써 후면에서의 재결합전류가 감소되어 전지의 변환효율이 증가된다.

    p-n접합반도체금속전극도금장치및이를이용한도금방법
    6.
    发明公开
    p-n접합반도체금속전극도금장치및이를이용한도금방법 失效
    p-n结半导体金属电极电镀装置及使用其的电镀方法

    公开(公告)号：KR1019970018052A

    公开(公告)日：1997-04-30

    申请号：KR1019950031468

    申请日：1995-09-22

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김동섭 ,  지일환 ,  조은철

    IPC: H01L21/28

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자 응용분야 등에 사용될 수 있는 pn접합 반도체 금속전극 도금장치 및 이를 이용한 도금방법에 관한 것으로서, 좀 더 상세하게는 pn접합 반도체 금속전극 도금장치에 있어서, pn접합 반도체 및 전해액에 빛에너지를 제공하는 광원 및 상기 pn접합 반도체의 후면전극에 전기적으로 연결되는 매탈 소스를 구비한 pn접합 반도체 금속전극 도금장치 및 그 도금방법에 있어서, 전해 도금액의 이온화를 활성화시키고, pn접합 반도체에 충분한 환원전자가 생성될 수 있도록 빛을 pn접합 반도체의 n-형 실리콘 및 전해도금액에 조사시킴으로써 태양전지의 전극이나 pn접합구조, MIS구조 등의 광기전 효과가 일어나는 반도체소자 등에 이용될 수 있는 pn접합 반도체 금속전극 도금장치 및 이를 이용한 도금방법에 관한 것이다.

    실리콘 박막의 제조 방법
    7.
    发明公开
    실리콘 박막의 제조 방법 无效
    硅薄膜的制造方法

    公开(公告)号：KR1019970008326A

    公开(公告)日：1997-02-24

    申请号：KR1019950020528

    申请日：1995-07-12

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이수홍 ,  김동섭 ,  조은철

    IPC: H01L21/18

    Abstract: 본 발명은 실리콘 박막의 제조방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 (a) 실리사이드 기판상에 몰리브덴 실리사이드층을 형성시키는 단계; (b) 상기 몰리브덴 실리사이드층위에 알루미늄층을 형성시키는 단계; (c) 상기 몰리브덴 살리사이드층 및 알루미늄층을 열처리하기에 충분한 온도로 어닐링시키는 단계; (d) MoAl
    2 층을 에칭시키는 단계; 및 (e) 실리콘층을 결정성장시키는 단계로 이루어지는 실리콘 박막의 제조방법을 제공함으로써 비정질 기판을 이용하여 제조비용을 낮출 수 있으며, 결정의 결함이 적고, 적은 응력이 작용될 수 있는 실리콘 박막의 제조방법에 관한 것이다.

    실리콘태양전지및그제조방법
    10.
    发明授权
    실리콘태양전지및그제조방법 失效

    公开(公告)号：KR100446593B1

    公开(公告)日：2005-07-04

    申请号：KR1019970007253

    申请日：1997-03-05

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 조은철 ,  김동섭 ,  조영현

    IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

    Abstract: 본 발명은 후면반사효과가 우수한 실리콘 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 실리콘 태양전지는 p형 실리콘기판; 텍스처링된 기판 전면에 순차적으로 형성되어 있는 n
    + 형 반도체층 및 산화막; 상기 기판 전면상에 소정간격으로 평형하게 이격되도록 형성되어 있고, 전도성 금속으로 된 복수개의 라인형 전면전극; 평탄화된 기판 후면에 형성되어 있는 p
    + 형
    반도체층; 상기 p
    + 형
    반도체층 상부에 형성된 후면전극; 및 상기 후면전극 상부에 형성된 전도성 금속층을 구비하여 이루어진다. 본 발명에 따르면, 여분의 캐리어 형성으로 전체적인 광전류가 증가함으로써 개방회로전압과 변환효율이 향상된다.

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