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公开(公告)号:KR1020170059315A
公开(公告)日:2017-05-30
申请号:KR1020150163556
申请日:2015-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은복수의전자장치간 상태관련정보공유방법및 장치에대한것으로, 보다구체적으로, 복수의전자장치간에공유하는정보에기반하여장치의상태를예측하는방법및 장치에대한발명이다. 상술한과제를달성하기위하여, 본발명의일 실시예를따르는장치의상태관련정보공유방법은상태관련데이터에기반하여상기장치의상태모델을생성하는단계; 상기생성된상태모델에기반하여, 상기장치의상태를결정하는적어도하나의파라미터를선택하는단계; 및상기선택된적어도하나의파라미터를적어도하나의다른장치에게전송하는단계;를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明是对多个所述状态信息和共享方法作为用于设备之间的电子器件的发明,更具体地说,即多个电子设备之间共享预测装置和所述装置的状态的信息的基础上。 为了实现以上提及的问题,该装置的根据本发明的实施例的状态相关的信息共享方法,包括基于关于创建设备的状态模型的状态数据的步骤; 基于生成的状态模型选择至少一个参数以确定设备的状态; 并且将选择的至少一个参数传输到至少一个其他设备。
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公开(公告)号:KR1020150111799A
公开(公告)日:2015-10-06
申请号:KR1020140053680
申请日:2014-05-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/26
CPC classification number: H04W36/38 , H04L5/14 , H04W16/32 , H04W36/026 , H04W36/04 , H04W72/042 , H04W76/15 , H04B7/2612
Abstract: 본발명의일 실시예에따르면, 적어도하나의스몰셀을포함하며 FDD로통신하는매크로셀에있어서, 적어도하나의네트워크노드와통신을수행하는송수신부및 상기스몰셀이 TDD로통신하도록제어하며, 단말이상기매크로셀 내의스몰셀간이동시, 핸드오버가발생하지않도록하기위한제어정보를생성하고, 상기단말에상기제어정보를전송하도록제어하는제어부를포함하는것을특징으로하는장치및 이를이용한통신방법을제공한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例,在包括一个或多个小小区并由FDD进行通信的宏小区中,提供了一种装置,包括:与至少一个网络通信的发送和接收单元; 以及控制单元,当所述终端在所述宏小区内的所述小小区之间移动时,所述控制单元控制以允许所述小小区通过TDD进行通信,并且生成控制信息以防止切换被生成,并将所述控制信息发送到终端 ,以及使用该方法的通信方法。
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公开(公告)号:KR1020140134943A
公开(公告)日:2014-11-25
申请号:KR1020130055016
申请日:2013-05-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L12/801 , H04W28/02
Abstract: 본 발명은 통신 망에서 SDN(Software Defined Network) 기술을 이용하여 트래픽(traffic)을 특정 기지국에 전달하기 위한 것으로, 스위치의 동작 방법은, 오픈플로우 제어자로부터 소스(source) 단말에서 다수의 목적지(destination) 단말들로 전달될 패킷에 대한 경로 정보를 수신하는 과정과, 기지국으로부터, 상기 소스 단말에서 다수의 목적지 단말들로 전달될 패킷을 수신하는 과정과, 상기 패킷을 상기 목적지 단말들 각각의 기지국에 연결된 스위치로 송신하는 과정을 포함한다.
Abstract translation: 本发明是使用软件定义网络(SDN)技术将业务传输到特定基站。 交换机的操作方法包括:从源终端中的从开放流控制器发送到目的地终端的分组的路径信息的接收处理; 接收从基站发送到源终端中的目的终端的分组; 并将分组发送到单独连接到目的地终端的交换机。
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公开(公告)号:KR1020130037998A
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:KR1020110102603
申请日:2011-10-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/017 , H04N5/4403 , H04N7/141 , H04N7/15 , H04N21/4312 , H04N21/44218 , H04N21/4858 , H04N2005/4432 , G06F3/14 , G06F3/03 , G06F3/1438 , H04N5/44
Abstract: PURPOSE: A display device and method are provided to use a camera attached to a television without expensive content or separate equipment, thereby entering a posture help/operation learning mode for content desired by a viewer. CONSTITUTION: A display unit(110) displays content on a screen. When user motion is recognized, a control unit(120) divides the screen corresponding to a direction of the user motion. The control unit displays the content on a first screen and displays a subject image on a second screen. When the screen is divided into three or more screens, the controls displays the content on the first screen and displays different subject images on the remaining screens. [Reference numerals] (110) Display unit; (120) Control unit;
Abstract translation: 目的:提供一种显示装置和方法,使用附接到电视机的相机而不需要昂贵的内容或单独的设备,从而为观看者所期望的内容输入姿势帮助/操作学习模式。 构成:显示单元(110)在屏幕上显示内容。 当识别出用户运动时,控制单元(120)根据用户运动的方向划分屏幕。 控制单元在第一屏幕上显示内容并在第二屏幕上显示被摄体图像。 当屏幕分为三个或更多屏幕时,控件将显示第一个屏幕上的内容,并在剩余的屏幕上显示不同的主题图像。 (附图标记)(110)显示单元; (120)控制单元;
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公开(公告)号:KR1020080063974A
公开(公告)日:2008-07-08
申请号:KR1020070000636
申请日:2007-01-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/538 , H01L23/58 , H01L21/66
CPC classification number: H01L2224/04042 , H01L2224/05567
Abstract: A semiconductor including a temperature sensing pad and a semiconductor package including the same are provided to sense and monitor the sophisticated and minute characteristic change of a semiconductor device by forming plural temperature sensing pads. Temperature sensing pads(130) are formed on corners on the circumferences of main chip regions(110). A main pad region(120) is formed at the circumference of the main chip region. The temperature sensing pad is electrically connected to a substrate through plural via contacts and a conductive pattern. Impurities are implanted into the substrate region electrically connected to the temperature sensing pad. The substrate region includes a source/drain region and a well region. The substrate region electrically connected to the temperature sensing pad of a diode structure is the well region.
Abstract translation: 提供包括温度感测焊盘和包括其的半导体封装的半导体,以通过形成多个温度感测焊盘来感测和监测半导体器件的复杂和微小的特性变化。 温度传感焊盘(130)形成在主芯片区域(110)的周边的角上。 在主芯片区域的圆周处形成主焊盘区域(120)。 温度传感垫通过多个通孔触点和导电图案电连接到基板。 将杂质植入到电连接到温度感测板的衬底区域中。 衬底区域包括源极/漏极区域和阱区域。 电连接到二极管结构的温度感测板的衬底区域是阱区。
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公开(公告)号:KR100585131B1
公开(公告)日:2006-06-01
申请号:KR1020040011328
申请日:2004-02-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7854 , H01L29/045 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7855
Abstract: 기판의 주표면과 수직을 이루는 활성 영역의 측면을 채널 형성면으로 사용하는 멀티-게이트 트랜지스터에서, {110}면에서 특히 열화되기 쉬운 NBTI 현상 발생 가능성을 최소화하기 위한 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 반도체 소자는 {100}면이 주표면인 상면과, 상기 상면과 직각을 이루고 {100}면이 주표면인 양 측면을 가지는 실리콘 활성 영역을 가진다. 상기 활성 영역 내에서 채널 영역이 상기 상면 및 양 측면에 인접하여 형성된다. 상기 활성 영역의 상면 및 양 측면 위에는 게이트가 형성되어 있다. 상기 채널 영역에서는 결정 방위 방향으로 채널이 형성된다.
트리플 게이트, {100} 주표면, NBTI, Vth, 라운드 코너Abstract translation: 相对于栅极晶体管,半导体装置和用于最小化特定可能性容易NBTI现象的制造方法是恶化在平面{110} - 使用活性区域的形成垂直于流路形成表面的衬底的主表面侧的多 它公开。 本发明的半导体器件具有以{100}面作为主表面的顶表面和具有垂直于顶表面的两侧并具有{100}面作为主表面的硅有源区。 在有源区中,沟道区形成为与顶面和两个侧面相邻。 栅极形成在有源区域的顶部和两侧。 在沟道区域中,晶体取向< 100> 频道形成。
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公开(公告)号:KR1020060024192A
公开(公告)日:2006-03-16
申请号:KR1020040073081
申请日:2004-09-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/30 , H01L21/308
Abstract: 성능 향상이 가능한 멀티 게이트 트랜지스터의 제조 방법을 제공한다. 액티브 구조의 제조 방법은 소멸 간섭을 일으킬 수 있도록 교대로 배치된 서로 다른 위상의 위상 반전 영역 쌍을 포함하는 교번형 위상 반전 마스크를 사용하여 2면 이상에 채널이 형성될 멀티 채널 영역을 포함하는 액티브 패턴을 형성한 후, 액티브 패턴의 멀티 채널 영역 이외의 영역과 연결되는 에피택시층, 반도체층, 또는 국부 배선을 형성하여 액티브 구조를 완성한다.
멀티 게이트 트랜지스터, 액티브 구조, 에피택시층, 반도체층, 국부 배선
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