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公开(公告)号：KR20210028801A
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020190109641A
申请日：2019-09-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/485 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/76831 , H01L21/02329 , H01L21/30604 , H01L21/76805 , H01L21/76813 , H01L21/76829 , H01L21/76877 , H01L23/481 , H01L23/485 , H01L23/49827 , H01L23/522 , H01L23/53204 , H01L23/53295 , H01L25/073 , H01L2224/11 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L2924/181
Abstract: 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자는 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 갖는 결정질 기판; 상기 결정질 기판의 상기 제1 면 상에 배치된 절연층; 상기 결정질 기판 및 상기 절연층 사이에 개재된 식각 정지막; 상기 결정질 기판 및 상기 절연층 내의 도전성 관통 비아(through via) 구조체; 및 상기 도전성 관통 비아 구조체와 상기 기판 사이에 개재되고, 상기 도전성 관통 비아 구조체를 향하는 내측벽 및 상기 내측벽과 대향되는 외측벽을 갖는 절연성 분리막을 포함하고, 상기 절연성 분리막은: 상기 도전성 관통 비아 구조체와 상기 결정질 기판 사이에 개재된 제1 부분; 및 상기 도전성 관통 비아 구조체와 상기 식각 정지막 사이에 개재된 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 부분의 상기 외측벽은 상기 제1 부분의 외측벽보다 돌출될 수 있다.
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2.发明专利
公开(公告)号：KR20210025744A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020190104939A
申请日：2019-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/67 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/687 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14687 , H01J37/32642 , H01J37/32715 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/68721 , H01L21/68735 , H01L21/68785 , H01L27/146 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/1469 , H01J2237/334
Abstract: 본 발명은 기판 가장자리의 베벨 식각 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다. 그의 장치는, 기판을 수납하는 척 플레이트와, 상기 척 플레이트의 외주면 상의 하부 링과, 상기 척 플레이트 상의 커버 플레이트과, 상기 커버 플레이트의 외주면 상의 상부 링을 포함한다. 상기 하부 링은 링 베이스와, 상기 링 베이스의 가장자리 상에 배치되어 상기 기판의 하부 측벽을 둘러싸고, 상기 상부 링의 외측 측벽 방향으로 연장하는 돌출부를 포함할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160120891A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：KR1020150050024
申请日：2015-04-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/764 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L21/7682 , H01L21/76834 , H01L21/76837 , H01L21/76852 , H01L21/76862 , H01L21/76885 , H01L23/5222 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L27/0886 , H01L27/1211
Abstract: 반도체장치는기판상에형성되며상부로돌출된복수개의돌출부들을갖는확산방지절연막패, 확산방지절연막패턴의돌출부들상에각각형성되며기판상면에대해 80도내지 135도의경사로기울어진측벽을갖는복수개의도전패턴들, 각도전패턴들의상면및 측벽을커버하는배리어막, 및확산방지절연막패턴및 배리어막상에형성되어서로인접하는도전패턴들사이에에어갭(air gap)을갖는층간절연막을포함한다.
Abstract translation: 半导体器件可以包括扩散防止绝缘图案，多个导电图案，阻挡层和绝缘中间层。 扩散防止绝缘图案可以形成在基板上，并且可以包括从其向上突出的多个突起。 每个导电图案可以形成在防扩散绝缘图案的每个突起上，并且可以具有相对于基板的顶表面倾斜约80度至约135度范围内的角度的侧壁。 如果导电图案，阻挡层可以覆盖每个的顶表面和侧壁。 绝缘中间层可以形成在防扩散绝缘图案和阻挡层上，并且可以在相邻的导电图案之间具有气隙。
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