반도체 장치 및 그 구동 방법
    11.
    发明公开
    반도체 장치 및 그 구동 방법 审中-实审
    半导体器件和操作器件的方法

    公开(公告)号:KR1020140145821A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:KR1020130068463

    申请日:2013-06-14

    CPC classification number: H03K3/0372 H03K3/0375

    Abstract: 반도체 장치 및 그 구동 방법이 제공된다. 반도체 장치는, 기준 클럭을 제공받고, 상기 기준 클럭으로부터 서로 다른 제1 및 제2 클럭을 생성하는 클럭 생성부, 상기 제1 클럭을 기반으로 입력 데이터를 제공받아 이를 제1 출력 데이터로 출력하는 제1 래치, 및 상기 제2 클럭을 기반으로 상기 제1 출력 데이터를 제공받아 이를 제2 출력 데이터로 출력하는 제2 래치를 포함하되, 상기 제1 클럭의 제1 에지(edge)는 상기 제2 클럭의 제1 에지와 오버랩되지 않고(non-overlap), 상기 제1 클럭의 제2 에지는 상기 제2 클럭의 제2 에지와 오버랩(overlap)된다.

    Abstract translation: 提供一种半导体器件及其操作方法。 半导体器件包括时钟产生部分,其接收参考时钟并产生与第一时钟不同于参考时钟的第一时钟和第二时钟;第一锁存器,其基于第一时钟接收输入数据并将其输出到第一时钟 输出数据,以及第二锁存器,其基于第二时钟接收第一输出数据并将其输出到第二输出数据。 第一个时钟的边缘不与第二个时钟的第一个边缘重叠。 第一时钟的第二边缘与第二时钟的第二边缘重叠。

    발광장치, 백라이트 유닛과 디스플레이 장치 및 그 제조방법
    12.
    发明公开
    발광장치, 백라이트 유닛과 디스플레이 장치 및 그 제조방법 无效
    发光装置,背光单元和使用其的显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130015847A

    公开(公告)日:2013-02-14

    申请号:KR1020110078124

    申请日:2011-08-05

    Abstract: PURPOSE: A light emitting device, backlight unit, display device and manufacturing method thereof are provided to improve color reproducibility and luminous efficiency by using a quantum dot as a wavelength conversion member. CONSTITUTION: A wavelength conversion unit is located in the light path emitted from a light emitting unit(20). The wavelength conversion unit converts wavelength of the light emitted from the light emitting unit. An optical transmission unit(40) is formed in at least one side of the wavelength conversion unit. The wavelength conversion unit arranges patterns of a first quantum dot and a second quantum dot.

    Abstract translation: 目的:提供一种发光装置,背光单元,显示装置及其制造方法,其通过使用量子点作为波长转换构件来提高颜色再现性和发光效率。 构成:波长转换单元位于从发光单元(20)发射的光路中。 波长转换单元转换从发光单元发射的光的波长。 光传输单元(40)形成在波长转换单元的至少一侧。 波长转换单元配置第一量子点和第二量子点的图案。

    백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 및 조명장치
    13.
    发明公开
    백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 및 조명장치 有权
    白光发射装置,显示装置和照明装置

    公开(公告)号:KR1020120122376A

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:KR1020110040478

    申请日:2011-04-29

    Abstract: PURPOSE: A white light emitting device, a display using the same, and a lighting device are provided to improve high color rendering by adopting two kinds of green fluorescent substances, a read fluorescent substance, and a yellow fluorescent substance in a blue light emitting diode. CONSTITUTION: A first green fluorescent substance(G1) emits a first green light with a first half amplitude and includes nitrogen containing compound. A second green fluorescent substance(G2) emits a second green light with a second half amplitude. The first green fluorescent substance and the second green fluorescent substance are excited by blue light. White light obtained by mixing the blue light, the red light, the yellow light, the first green light, and the second green light corresponds to an area defined by (0.21,0.21), (0.25,0.17), (0.33,0.30) and (0.33,0.35) in CIE 1931 color coordinates.

    Abstract translation: 目的:提供白色发光装置,使用其的显示器和照明装置,以通过在蓝色发光二极管中采用两种绿色荧光物质,读取荧光物质和黄色荧光物质来改善高显色性 。 构成:第一绿色荧光物质(G1)发射具有前半幅度的第一绿色光,并且包括含氮化合物。 第二绿色荧光物质(G2)发射具有第二半幅度的第二绿色光。 第一个绿色荧光物质和第二个绿色荧光物质被蓝光激发。 通过混合蓝光,红光,黄光,第一绿光和第二绿光获得的白光对应于由(0.21,0.21),(0.25,0.17),(0.33,0.30)定义的面积, 和(0.33,0.35)CIE 1931色坐标。

    레벨 쉬프팅 회로
    14.
    发明公开
    레벨 쉬프팅 회로 有权
    水平移位电路

    公开(公告)号:KR1020090086758A

    公开(公告)日:2009-08-14

    申请号:KR1020080012208

    申请日:2008-02-11

    CPC classification number: H03K19/00323 H03K19/0016 H03K19/018528

    Abstract: A level shifting circuit is provided to prevent a leakage current by blocking a part of signal delivery units from an operation voltage or a ground. A first level shifting unit(110) includes a plurality of signal delivery units. A first operating control unit(130) deactivates a part among the signal delivery units of the first level shifting unit in response to a clamping signal. A second level shifting unit(120) is parallel connected to the first level shifting unit, and includes a plurality of signal delivery units. A second operating control unit deactivates a part among the signal delivery units of the second level shifting unit in response to a clamping signal. A signal output unit(190) is connected to an output terminal of the first level shifting unit and the second level shifting unit. A clamping unit fixes the output terminal of the first shifting unit and the second shifting unit into a predetermined voltage level in response to a clamping signal.

    Abstract translation: 提供电平移动电路以通过阻止来自操作电压或地的一部分信号传递单元来防止泄漏电流。 第一电平移位单元(110)包括多个信号传递单元。 第一操作控制单元(130)响应于钳位信号使第一电平移位单元的信号传递单元中的一部分无效。 第二电平移位单元(120)并联连接到第一电平移位单元,并且包括多个信号传递单元。 第二操作控制单元响应于钳位信号而使第二电平转换单元的信号传递单元中的一部分失效。 信号输出单元(190)连接到第一电平移位单元和第二电平移位单元的输出端子。 夹紧单元响应于夹紧信号将第一移位单元和第二移位单元的输出端固定成预定的电压电平。

    스캔 입력을 갖는 플립 플롭 회로
    15.
    发明授权
    스캔 입력을 갖는 플립 플롭 회로 有权
    触发电路与扫描输入

    公开(公告)号:KR100604904B1

    公开(公告)日:2006-07-28

    申请号:KR1020040078548

    申请日:2004-10-02

    Inventor: 김정희 김민수

    CPC classification number: G01R31/318541 H03K3/0375 H03K17/693

    Abstract: 반도체 장치로 스캔 입력 및 데이터를 출력하는 펄스 기반의 플립플롭이 개시된다. 플립플롭은 플립플롭의 동작을 동기시키기 위한 펄스를 생성하기 위한 펄스 생성부, 데이터, 스캔 입력 및 스캔 인에이블 신호를 입력받고, 스캔 인에이블 신호에 응답하여, 데이터 및 스캔 입력 중 어느 하나를 선택하여 출력하는 멀티플렉서부 및 멀티플렉서부에서 출력되는 데이터 또는 스캔 입력을 펄스 신호에 동기하여 외부로 전달하는 래치부를 포함한다.
    플립플롭, 스캔 입력

    열광학 스위치 및 그 제작방법
    16.
    发明授权
    열광학 스위치 및 그 제작방법 失效
    热电开关及其形成方法

    公开(公告)号:KR100326046B1

    公开(公告)日:2002-03-07

    申请号:KR1019990023274

    申请日:1999-06-21

    CPC classification number: G02F1/3137 G02F1/011 G02F1/0147 G02F2001/0113

    Abstract: 본발명은광섬유와의결합손실이작으면서, 스위치의구동전력을작고수백μs 이하의스위치속도를가지는열광학스위치에관한것으로, 이러한열광학스위치는입력단과출력단의소정부분이식각된기판; 기판위에형성되며, 입력단에광섬유로부터입력된원형모드를립 구조의타원모드로변환하는입력테이퍼와출력단에립 구조의타원모드를광섬유로입력하기위한원형모드로변환하는출력테이퍼가형성된하부클래드층; 하부클래드층위에형성되며, 입력테이퍼로부터출력된타원모드가전달되고, 전달된타원모드를출력테이퍼로출력하는립 구조의분기도파로가형성된코아층; 코아층위에형성된상부클래드층; 및립 구조의분기도파로에열을가하여립 구조의분기도파로들사이의유효굴절율차에의하여타원모드가선택적으로분기되도록상부클래드층위에형성된스위치용전극을포함함을특징으로한다. 본발명에의하면, 테이퍼가입출력단에위치하여광섬유를통하여입력된광의결합손실을최소화함과동시에전극과분기광도파로, 열흡수체가 15㎛이하로근접하도록제작되므로써, 전극표면으로부터가해진열이원하는분기도파로에만전달되고다른분기도파로로의열이누출되는것을크게줄일수 있으므로구동전력을줄일수 있다.

    고분자 광도파로 및 그 제조방법
    17.
    发明授权
    고분자 광도파로 및 그 제조방법 失效
    聚合物光波导及其制造方法

    公开(公告)号:KR100283955B1

    公开(公告)日:2001-03-02

    申请号:KR1019980046821

    申请日:1998-11-02

    Abstract: 본 발명은 고분자 광도파로 및 그 제조방법을 개시한다. 상기 고분자 광도파로는 고분자 총중량을 기준으로 하여 12 내지 37중량%의 불소를 함유하고 있고, 2개 이상의 -C(=O)-NC(=O)- 작용기 또는 4개 이상의 -NC(=O)- 작용기를 갖고 있는 반복단위를 포함하고 있는 고분자로 이루어진 코아와, 상기 코아와 인접되어 있으며, 상기 코아 형성용 고분자의 굴절율보다 작은 고분자로 이루어진 클래딩을 포함하고 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 유도결합 플라즈마 방식에 따라 고분자 광도파로를 식각하면, 종래의 반응성 이온 식각방법을 사용하는 경우에 비하여 식각속도가 최소 3배 이상 빨라진다. 이와 동시에 식각면의 균일도 및 식각 수직도 특성이 향상됨으로써 광도파로 손상이 감소된다. 이로써, 광도파로의 광산란손실을 최소화시킬 수 있다.

    반도체 공정용 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법
    18.
    发明授权
    반도체 공정용 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법 失效
    金属污染的微观化方法

    公开(公告)号:KR100257678B1

    公开(公告)日:2000-06-01

    申请号:KR1019970013313

    申请日:1997-04-10

    Abstract: PURPOSE: A trace metal impurity analysis method in semiconductor process sample is provided to effectively perform qualitative and quantitative analysis of metal impurities by optimizing the temperature profile. CONSTITUTION: The trace metal impurity present in sample obtained from semiconductor process is analyzed by drying, ashing, quenching and atomizing the sample with AAS(atomic absorption spectroscopy). At each stage of the analysis, the temperature profile of the metal impurities, such as chromium(Cr), aluminum(Al), nickel(Ni), zinc(Zn), magnesium(Mg), copper(Cu), iron(Fe), sodium(Na) and silicon(Si), is optimized to offer best analysis result. This method minimizes the detection limit and improves its reproducibility and reliability.

    Abstract translation: 目的:提供半导体工艺样品中的痕量金属杂质分析方法,通过优化温度曲线来有效地进行金属杂质的定性和定量分析。 构成:通过用AAS(原子吸收光谱)干燥,灰化,淬火和雾化样品来分析从半导体工艺获得的样品中存在的痕量金属杂质。 在分析的每个阶段,金属杂质如铬(Cr),铝(Al),镍(Ni),锌(Zn),镁(Mg),铜(Cu),铁 ),钠(Na)和硅(Si),被优化以提供最佳分析结果。 该方法可以最大限度地减少检测限,提高其重现性和可靠性。

    반도체 공정용 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법
    19.
    发明公开
    반도체 공정용 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법 失效
    分析半导体工艺样品中痕量金属污染物的方法

    公开(公告)号:KR1019980076558A

    公开(公告)日:1998-11-16

    申请号:KR1019970013313

    申请日:1997-04-10

    Abstract: 본 발명은 반도체 공정에서 사용되는 각종 재료들로부터 분취한 시료내에 존재하는 여러가지 종류의 금속 오염물을 원자흡광분광기를 사용하여 보다 정확하게 정성 및 정량분석할 수 있는 반도체 공정용 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 반도체 공정용 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법은 건조단계, 탄화단계, 급랭단계 및 원자화단계로 이루어지는 원자흡광분광기를 이용한 금속원소의 분석방법에서 이들 각 단계들의 온도프로파일을 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 니켈(Ni), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 구리(Cu), 철(Fe), 나트륨(Na) 또는 규소(Si) 등의 각 금속 오염물의 분석에 최적의 결과를 나타낼 수 있도록 하기 위한 조건으로 조절한 점에 특징이 있는 것이다.
    따라서, 통상의 원자흡광분광기의 고온 흑연로 분석 프로그램의 온도프로파일을 최적화함으로써 금속 오염물의 정성분석 및 정량분석을 효과적으로 수행할 수 있는 효과가 있다.

    브이엠이버스를 사용한 데이타처리장치
    20.
    发明授权
    브이엠이버스를 사용한 데이타처리장치 失效
    使用VME总线的数据处理设备

    公开(公告)号:KR100155270B1

    公开(公告)日:1998-11-16

    申请号:KR1019950013078

    申请日:1995-05-24

    Inventor: 김정희

    Abstract: 본 발명은 데이타처리장치에 관한 것으로서, 특히 데이타의 전송사이클을 제어하는 마스터가 장착된 마스터 보드; 마스터에 의해 개시되는 데이타 전송에 응답하는 기능을 가지는 슬레이브가 장착된 복수의 입출력보드; 마스터 보드와 상기 복수의 입출력보드들을 상호 연결하는 VME버스; VME버스에 연결되어 소정 시간 간격으로 마스터 보드로부터 분석용 데이타를 리드하고 리드된 데이타를 로컬기억부에 라이트하고 라이트된 데이타를 로컬기억부로부터 리드하여 분석 및 전송하는 시스템 분석부를 구비한 것을 특징으로 한다.
    따라서, 본 발명에서는 VME버스를 통하여 시스템의 데이타를 소정 간격으로 획득하고 획득된 데이타를 분석함으로써 시스템의 하드웨어 및 소프트웨어적인 분석이 가능하다.

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