Abstract:
데이터저장장치및 이를포함하는데이터저장시스템이개시된다. 본발명의실시예에따른데이터저장장치는, 입력되는데이터를선택적으로랜덤화하여소정의저장수단에기입함으로써랜더마이저및 저장장치의효율성을최대화할수 있다. 또한, 본발명의실시예에따른데이터저장장치는, 기설정된단위별로랜더마이저의씨드를각각상이하게적용함으로써데이터의랜덤성을더욱증가시킬수 있다.
Abstract:
비휘발성 반도체 메모리 장치 및 그의 리드 전압 추정 방법이 개시된다. 본 발명의 방법은 초기 리드 전압을 예비 리드 전압으로 결정하는 결정단계; 상기 예비 리드 전압에서 메모리 셀들의 데이터를 읽는 리딩(reading) 단계; 프로그램 데이터로부터 도출되어 기 저장된 기준 데이터를 로딩(loading)하는 단계; 리드 전압 추정을 위해 상기 기준 데이터와 비교되어질 비교 데이터를 상기 읽혀진 데이터로부터 도출하는 단계; 상기 비교 데이터와 기준 데이터를 비교하는 비교단계; 상기 비교 데이터와 기준 데이터의 차이가 오차 허용 범위 이내일 경우 상기 예비 리드 전압을 최적의 리드 전압으로 추정하는 추정단계; 및 상기 비교 데이터와 기준 데이터의 차이가 오차 허용 범위를 벗어나는 경우 상기 예비 리드 전압을 변경한 후 상기 리딩(reading) 단계와 그 이후의 단계를 순차적으로 반복하는 변경 및 반복 단계를 포함하여, 메모리 셀들의 문턱 전압이 강하 또는 상승된 경우 최적의 리드 전압을 빠르게 추정할 수 있다. 따라서 리드 전압의 변경으로 인해 발생하는 데이터 오류를 줄일 수 있다. 비휘발성 반도체 메모리, 리드 전압, 리드 레벨, 데이터 오류
Abstract:
메모리 장치 및 메모리 프로그래밍 방법이 제공된다. 본 발명의 메모리 장치는 복수의 멀티 레벨 셀을 포함하는 멀티 레벨 셀 어레이, 상기 복수의 멀티 레벨 셀에 제1 데이터 페이지를 프로그램하고, 상기 제1 데이터 페이지가 프로그램된 멀티 레벨 셀에 제2 데이터 페이지를 프로그램하는 프로그래밍부, 읽기 전압 레벨에 기초하여 상기 제1 데이터 페이지에 대응하는 읽기 에러 정보를 분석하고, 상기 분석된 읽기 에러 정보에 기반하여 읽기 에러의 정정 여부를 판단하는 에러 분석부, 및 상기 읽기 에러의 정정 여부에 대한 판단 결과에 대응하여 상기 제1 데이터 페이지에 대한 상기 읽기 전압 레벨을 조절하는 제어부를 포함하며, 이를 통해 데이터 페이지의 읽기(판독)/프로그램 시에 포함된 에러의 발생 가능성을 줄일 수 있다. 멀티 레벨 셀, 읽기 전압 레벨, 프로그래밍, 데이터 페이지, 에러 정정
Abstract:
PURPOSE: A system for processing data and a method for processing an error correction code are provided to comprise decoders including external decoders smaller than the number of channel, thereby concisely performing a decoder. CONSTITUTION: Memory channels(110) store data. A neighboring decoder(150) detects and corrects errors of internal and external words transmitted from the memory channels. The neighboring decoder includes an internal and an external decoder(153,155) and a decode controller(157). External words composed of parity data for a message and the message output by enabling the internal decoder to decode the internal words. The external decoder outputs the messages decoded by decoding the external words.