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公开(公告)号：KR1020130139815A
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020130147766
申请日：2013-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82B3/0095 , B82Y40/00
Abstract: The present invention relates to a nanowire composite and a method for manufacturing the same, wherein the composite is characterized by comprising: a template including multiple hollow space channels; a nanowire formed within each chanel of the template; and a functional unit wherein a partial section of the template is removed such that a single nanowire or multiple nanowires are exposed. The nanowire composite of the present invention can be manufactured by simple processes in low costs and can be manufactured in a small size such that use development into a a resonator or varios sensors can be possible.
Abstract translation: 纳米线复合材料及其制造方法技术领域本发明涉及一种纳米线复合体及其制造方法，其特征在于，包括：包含多个中空空间通道的模板; 在模板的每个chanel内形成的纳米线; 以及去除模板的部分部分使得单个纳米线或多个纳米线被暴露的功能单元。 本发明的纳米线复合材料可以通过简单的方法以低成本制造，并且可以以小尺寸制造，从而可以将共同体或各种变量传感器用于发展。
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公开(公告)号：KR101329143B1
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：KR1020070002914
申请日：2007-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04M1/22 , H01H2219/028 , H01H2219/054 , H01H2239/07 , H01H2300/036
Abstract: 본 발명은 금속 나노입자를 이용한 자외선 차단 재료에 관한 것으로, 상기 자외선 차단 재료는 표면 플라즈몬 흡수 파장을 이용하여 자외선 파장을 흡수 차단하는, 나노 크기의 금속 입자 및 유전체를 포함하며, 상기 금속 나노입자의 표면 플라즈몬 흡수 파장 또는 유전체에 의해 전이된 플라즈몬 흡수 파장으로 자외선 파장 또는 특정 파장을 흡수 차단시킴으로써, 휴대폰 등의 화상 표시 장치에 적용하였을 때 우수한 시인성을 발휘한다.
표면 플라즈몬, 금속 나노입자, 유전체, 파장 전이, 자외선 차단, 화상 표시 장치, 자외선 발광 소자, 키패드 어셈블리-
公开(公告)号：KR100907024B1
公开(公告)日：2009-07-10
申请号：KR1020070067410
申请日：2007-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B32/174 , C01B2202/22 , C01B2202/28 , Y10S977/751 , Y10S977/895
Abstract: 본 발명에서는 비올로겐 화합물을 이용하여 탄소나노튜브의 분산효과를 증대시킴과 동시에 금속성 탄소나노튜브와 반도체성 탄소나노튜브를 각각 비극성 용매층과 물층으로 분리하는 방법과 이에 이용되는 조성물이 개시된다. 본 발명에 따르면 비올로겐의 산화, 환원 반응에 따른 극성, 비극성 차이를 이용하여 탄소나노튜브의 분산 및 분리를 효과적으로 수행할 수 있다.
탄소나노튜브, 상 분리, 비올로겐(viologen)-
公开(公告)号：KR1020080105368A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020070052868
申请日：2007-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/002 , B82Y10/00 , H01L51/0021 , H01L51/0049 , H01L51/444 , H01L51/5206 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: A doping method of a carbon nanotube is provided to improve conductivity, to maintain flexibility and to be usefully used for various indicating devices, a thin film transistor or a solar battery etc. A doping method of a carbon nanotube comprise steps of: forming an oxidizing agent solution including an oxidizer and an organic solvent; and doping-treating the carbon nanotube to the oxidizing agent solution. The doping treatment comprises a step of mixing and agitating powders of the carbon nanotube into the oxidizing agent solution.
Abstract translation: 提供碳纳米管的掺杂方法以改善导电性，保持柔性并有效地用于各种指示装置，薄膜晶体管或太阳能电池等。碳纳米管的掺杂方法包括以下步骤：形成氧化 试剂溶液，包括氧化剂和有机溶剂; 并将碳纳米管掺杂到氧化剂溶液中。 掺杂处理包括将碳纳米管的粉末混合并搅拌到氧化剂溶液中的步骤。
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公开(公告)号：KR100857542B1
公开(公告)日：2008-09-08
申请号：KR1020070072065
申请日：2007-07-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H05B33/10 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , H01L51/002 , H01L51/0049 , H01L51/444 , H01L51/5012
Abstract: A CNT(Carbon Nano-Tube) light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to simplify a process and to reduce a cost by implementing p-n junction by coating an n-doping polymer and a p-doping polymer on both ends of a CNT thin film. A CNT light emitting device includes a CNT thin film(40), an n-doping polymer(43), a p-doping polymer(44), and a light emitting unit(42). The CNT thin film is formed by using a CNT dispersion solution. The n-doping polymer is formed on one end of the CNT thin film. The p-doping polymer is formed on the other end of the CNT thin film. The light emitting unit is formed between the n-doping polymer and the p-doping polymer. A CNT is a semiconducting CNT. A p-n junction portion is formed on an interface between the n-doping polymer and the p-doping polymer by forming the n-doping polymer and the p-doping polymer on the CNT thin film not to be spaced apart from each other.
Abstract translation: 提供CNT（碳纳米管）发光器件及其制造方法，以简化工艺并通过在CNT的两端涂覆n掺杂聚合物和p掺杂聚合物来实现pn结来降低成本 薄膜。 CNT发光器件包括CNT薄膜（40），n掺杂聚合物（43），p掺杂聚合物（44）和发光单元（42）。 通过使用CNT分散液形成CNT薄膜。 n型掺杂聚合物形成在CNT薄膜的一端。 p型掺杂聚合物形成在CNT薄膜的另一端。 发光单元形成在n掺杂聚合物和p掺杂聚合物之间。 CNT是半导体CNT。 通过在CNT薄膜上形成n掺杂聚合物和p掺杂聚合物彼此不分开，在n掺杂聚合物和p掺杂聚合物之间的界面上形成p-n结部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100837413B1
公开(公告)日：2008-06-12
申请号：KR1020060126409
申请日：2006-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , B82Y10/00
Abstract: 기판;
상기 기판 내부에 형성되며, 서로 이격되어 위치하는 소스 영역; 및 드레인 영역;
상기 기판 표면에 형성되어, 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 연결하며, 복수개의 나노결정을 포함하는 메모리 셀;
상기 메모리 셀 상에 형성되는 제어 게이트;를 구비하며,
상기 메모리 셀이 상기 기판 상에 형성되는 적어도 하나의 터널링 산화물층; 상기 적어도 하나의 터널링 산화물층 상에 형성되는 복수개의 나노결정을 포함하는 제어 산화물층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 메모리 소자 제조 방법은 고분자 전해질막을 구비함으로써 나노결정의 균일한 배열이 가능하여 소자 특성의 제어가 가능하고 보다 향상된 소자 특성을 보여주는 메모리 소자를 제공하는 것이 가능하다.-
公开(公告)号：KR100785923B1
公开(公告)日：2007-12-17
申请号：KR1020070004261
申请日：2007-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A screen display device with plural light emitting diodes is provided to prevent change of color in a specific region of the screen display unit due to interference of an optical source by other materials by using a second light filter layer like a blue color filter layer. A screen display device uses more than two light emitting diodes including a first light emitting diode and a second light emitting diode, and includes a first light filter layer(2), and a second light filter layer(1). The first light filter layer blocks the wavelength of 380 to 450nm from leaking at the undesired area of a screen display unit of the device. The second light filter layer controls the white light to be emitted from the desired area of the screen display unit.
Abstract translation: 提供具有多个发光二极管的屏幕显示装置，以防止由于通过使用诸如蓝色滤色器层的第二滤光器层而被其它材料的干扰，屏幕显示单元的特定区域中的颜色变化。 屏幕显示装置使用包括第一发光二极管和第二发光二极管的两个以上的发光二极管，并且包括第一滤光器层（2）和第二滤光器层（1）。 第一光滤波器层阻止380至450nm的波长在设备的屏幕显示单元的不需要的区域处泄漏。 第二光滤波器层控制从屏幕显示单元的期望区域发射的白光。
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公开(公告)号：KR1020070065080A
公开(公告)日：2007-06-22
申请号：KR1020050125765
申请日：2005-12-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/06 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L51/502 , H01L51/52
Abstract: A three dimensional light-emitting device and a fabricating method thereof are provided to improve light emitting efficiency by increasing a light emitting area and a light emitting intensity per unit area. A three dimensional light-emitting device includes a semiconductor nano-particle layer. The semiconductor nano-particle layer includes a plurality of three dimensional uneven structures, and semiconductor nano-particles are arranged at a surface of a depressed part of the uneven structure. The depressed part has a structure selected among a group of a square shape, a triangle, a polygon, a cylinder, and an oval.
Abstract translation: 提供三维发光器件及其制造方法，以通过增加每单位面积的发光面积和发光强度来提高发光效率。 三维发光器件包括半导体纳米颗粒层。 半导体纳米颗粒层包括多个三维不均匀结构，并且半导体纳米颗粒被布置在不平坦结构的凹陷部分的表面。 凹陷部具有从正方形，三角形，多边形，圆柱体和椭圆形的组中选择的结构。
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公开(公告)号：KR100632632B1
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：KR1020040038391
申请日：2004-05-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C09K11/565 , C09K11/62 , C09K11/621 , C09K11/64 , C09K11/661 , C09K11/70 , C09K11/7492 , C09K11/88 , C09K11/883 , C09K11/892 , C30B7/14 , C30B29/48 , F21V9/30 , G02B6/005 , G02F2001/133614 , H01L51/5012 , H01L51/502 , H01L51/504 , H05B33/14 , Y10T428/256
Abstract: 본 발명은 나노 결정의 다층 박막 제조방법과 이를 이용한 유·무기 하이브리드 전기 발광 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 (i) 감광성 화합물에 의해 표면 배위된 나노 결정 또는 감광기와 혼합 가능한 물질에 의해 표면 배위된 나노 결정과 감광성 화합물의 혼합액을 기판 위에 코팅하고, 건조한 후 자외선에 노광하여 나노 결정 박막을 형성하는 단계; 및 (ii) 상기 (i) 단계에서 수득된 나노 결정 박막 위에 상기 (i) 단계를 반복하는 단계를 포함하는 나노 결정의 다층 박막 제조방법과 상기 방법에 의해 제조된 나노 결정의 다층 박막 을 발광층으로 이용한 유·무기 하이브리드 전기 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명의 유·무기 하이브리드 전기 발광 소자는 본 발명에서 제조된 나노 결정의 다층 박막을 발광층으로 이용함으로써 발광 효율과 발광 세기를 증진시킬 수 있고, 발광 소자의 전기적 특성도 조절할 수 있다.
나노 결정, 다층 박막, 전기 발광 소자, 발광층,Abstract translation: 一种制备多层纳米晶体的方法。 该方法包括以下步骤：（i）将由光敏化合物表面配位的纳米晶体，或由与感光性化合物混合的材料表面配位的感光性化合物和纳米晶体的混合溶液涂布在基材上，干燥被覆基材， 并将干燥的底物暴露于UV光以形成第一单层纳米晶体，和（ii）重复步骤（i）的步骤以在纳米晶体的第一单层上形成一个或多个纳米晶体单层。 此外，使用通过该方法制备的多层纳米晶体作为发光层的有机 - 无机混合电致发光器件。 可以提高电致发光器件的发光效率和发光强度，并且可以通过使用多层纳米晶体作为发光层来控制电致发光器件的电性能。
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公开(公告)号：KR1020050101802A
公开(公告)日：2005-10-25
申请号：KR1020040027014
申请日：2004-04-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/08 , B82Y30/00 , C01G1/12 , C01G11/006 , C01G11/02 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09K11/565 , C09K11/883 , H05B33/14 , Y10S428/917 , Y10S977/773 , Y10S977/774 , Y10S977/775 , Y10S977/834
Abstract: 본 발명은 황 전구체로서 싸이올 화합물을 이용한 황화 금속 나노결정의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 용매 중에서 금속 전구체와 싸이올 화합물을 반응시켜 황화 금속 결정을 성장시켜 나노 크기의 결정 상으로 합성하거나, 용매 중에서 금속 전구체와 싸이올 화합물을 반응시켜 코어 표면에 황화 금속 결정층을 성장시켜 코어-쉘(core-shell) 구조의 나노결정을 합성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의해 균일한 크기의 나노 입자를 제조할 수 있고, 원하는 결정 구조를 선택적으로 얻을 수 있으며, 다양하게 형태를 조절하여 황화 금속 나노결정을 제조할 수 있다.
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