公开(公告)号：KR101571139B1

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：KR1020090053494

申请日：2009-06-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재철 ,  김대환 ,  허지현 ,  김창정

IPC: H01L21/66

Abstract: 본발명은비정질반도체 TFT의전기적특성을산출하는방법및 장치에관한것으로, 본발명에따른전기적특성산출방법은비정질반도체 TFT에빛을조사하여 C-V의광 응답특성을측정하여입력받고, 빛을조사하지않은경우와빛을조사한경우의전기용량각각을연산하여 C-V의함수로모델링한후, 측정된광 응답특성과모델링된함수를조합하여상태밀도를산출함으로써, 비정질반도체 TFT의전기적특성을제공한다.

公开(公告)号：KR101552975B1

公开(公告)日：2015-09-15

申请号：KR1020090001942

申请日：2009-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상욱 ,  박성호 ,  김창정 ,  김선일

IPC: H01L29/786 ,  C09K13/04

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 산화물반도체및 이를포함하는박막트랜지스터에대해서개시된다. 상기산화물반도체는 In산화물에 Hf이포함되어형성된것으로이를박막트랜지스터의채널물질로적용할수 있다.

公开(公告)号：KR1020130125613A

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：KR1020120049270

申请日：2012-05-09

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  광주과학기술원

Inventor： 김영배 ,  김창정 ,  박상수 ,  황현상

IPC: H03K3/78 ,  H03K3/03

CPC classification number: H03L7/00 ,  H03K3/0315

Abstract: Disclosed are a variable frequency device, an operating method thereof, and an RF circuit including the same. The disclosed variable frequency device includes an oscillator and a nonvolatile memory element which is connected to the oscillator. The nonvolatile memory element has variable resistive properties. According to the resistive state of the nonvolatile memory element, the oscillating frequency of the oscillator is changed. The oscillator is a ring oscillator. The nonvolatile memory element is connected to an input terminal or a power terminal of the oscillator.

Abstract translation: 公开了一种变频装置及其操作方法以及包括该变频装置的RF电路。 所公开的变频装置包括振荡器和连接到振荡器的非易失性存储元件。 非易失性存储元件具有可变电阻特性。 根据非易失性存储元件的电阻状态，振荡器的振荡频率发生变化。 振荡器是环形振荡器。 非易失性存储元件连接到振荡器的输入端子或电源端子。

公开(公告)号：KR101275801B1

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：KR1020070133607

申请日：2007-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김창정 ,  이제훈

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/316

Abstract: 산화물 반도체 타겟에 관해 개시되어 있다. 본 발명은 저항이 1㏀ 이하인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 타겟을 제공한다. 여기서 상기 산화물 반도체 타겟은 x(제1 산화물)·y(제2 산화물)·z(제3 산화물)로 표시될 수 있고, 상기 제1 내지 제3 산화물은 각각 Ga2O3, In2O3, ZnO 및 Sn0으로 이루어진 군 중 어느 하나이고 서로 다른 것일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130000220A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020110060797

申请日：2011-06-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전상훈 ,  송이헌 ,  안승언 ,  김창정 ,  김영

IPC: G06F3/042 ,  G06F3/041 ,  G09G3/20

CPC classification number: H01L27/14609 ,  G06F3/042 ,  G06F2203/04103 ,  G06F3/0412

Abstract: PURPOSE: An optical sensing device, a driving method and an optical touch screen device are provided to compose an oxide semiconductor transistor playing a role of a switch with a stable channel material having a low sensitivity for light, thereby increasing operation reliability. CONSTITUTION: An optical sensor transistor(110) is arranged on a substrate to sense light. A switch transistor outputs data from the optical sensor transistor. A transparent upper electrode(118) is arranged on an upper side of the optical sensor transistor. The transparent upper electrode applies a negative bias voltage to the optical sensor transistor. The optical sensor transistor includes a first gate electrode(112); a gate insulation film(113); a first channel film(114) formed on the gate insulation film; first and second source/drain electrodes(115a,115b) formed on both sides of the first channel film; and a transparent passivation layer(116) formed on the first and the second source/drain electrodes and the first channel film.

Abstract translation: 目的：提供一种光学感测装置，驱动方法和光学触摸屏装置，以组合具有对光的灵敏度低的稳定通道材料的开关角色的氧化物半导体晶体管，从而提高操作可靠性。 构成：光学传感器晶体管（110）布置在基板上以感测光。 开关晶体管从光学传感器晶体管输出数据。 透明上电极（118）布置在光学传感器晶体管的上侧。 透明上电极向光传感器晶体管施加负偏置电压。 光传感器晶体管包括第一栅电极（112）; 栅极绝缘膜（113）; 形成在所述栅极绝缘膜上的第一沟道膜（114） 形成在第一沟道膜的两侧的第一和第二源极/漏极（115a，115b） 以及形成在第一和第二源/漏电极和第一沟道膜上的透明钝化层（116）。

公开(公告)号：KR1020120065047A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：KR1020100126356

申请日：2010-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재철 ,  김창정 ,  김상욱 ,  김선일

IPC: H01L31/115 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14676 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L31/10 ,  H01L27/14 ,  H01L31/115

Abstract: PURPOSE: An X-ray detector of a wafer scale and a manufacturing method thereof are provided to implement seamless images by using a chip array manufactured with the wafer scale. CONSTITUTION: A plurality of chip areas(A,B) are formed on a silicon substrate(120). Pixel pads(132) are formed in the center of the chip area. A pin pad(134) is formed on the edge of the chip area to surround the pixel pads. The pin pad is connected to a via contact(139) formed in a via hole(135) of the silicon substrate. A first insulation layer(130) is formed on the silicon substrate to insulate the pixel pads and the pin pads from the silicon substrate.

Abstract translation: 目的：提供晶片尺寸的X射线检测器及其制造方法，通过使用由晶片刻度尺制造的芯片阵列来实现无缝图像。 构成：在硅衬底（120）上形成多个芯片区域（A，B）。 像素焊盘（132）形成在芯片区域的中心。 引脚焊盘（134）形成在芯片区域的边缘上以围绕像素焊盘。 引脚焊盘连接到形成在硅衬底的通孔（135）中的通孔接触（139）。 在硅衬底上形成第一绝缘层（130），以使像素焊盘和引脚焊盘与硅衬底绝缘。

公开(公告)号：KR1020120032909A

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：KR1020100094468

申请日：2010-09-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장만 ,  김창정 ,  김영배 ,  이명재 ,  허지현 ,  이동수 ,  이창범 ,  이승렬

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/67207 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/04 ,  H01L45/146

Abstract: PURPOSE: A resistive memory device manufacturing apparatus is provided to manufacture oxide layers in different chambers with respect to the composition of each oxide layer, thereby preventing contamination generated by manufacturing the oxide layers in a single chamber. CONSTITUTION: A load-lock chamber(210) receives a substrate from the outside. A movable module chamber(220) comprises a robot arm which transfers the substrate from the load-lock chamber. A first oxide deposition chamber(240) is used for depositing a first buffer layer and a second buffer layer. A second oxide deposition chamber(250) is used for depositing a resistive change layer. A metal electrode deposition chamber(230) is used for depositing a first electrode and a second electrode.

Abstract translation: 目的：提供电阻式存储器件制造装置，以相对于每个氧化物层的组成制造不同室中的氧化物层，从而防止在单个室中制造氧化物层所产生的污染。 构成：负载锁定室（210）从外部接收基板。 可移动模块室（220）包括从加载锁定室传送基板的机器人手臂。 第一氧化物沉积室（240）用于沉积第一缓冲层和第二缓冲层。 第二氧化物沉积室（250）用于沉积电阻变化层。 金属电极沉积室（230）用于沉积第一电极和第二电极。

公开(公告)号：KR1020110138624A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：KR1020100058624

申请日：2010-06-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선일 ,  박재철 ,  김상욱 ,  김창정

IPC: H01L31/115

CPC classification number: G01T1/24 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/085 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A large-scaled x-ray detector and a manufacturing method thereof are provided to transfer charges detected in a photo conductor layer corresponding to an on-demand semiconductor joint area to an on-demand semiconductor, thereby accurately realizing an image on a photographing area without a joint. CONSTITUTION: A photo conductor layer(340) generates an electrical signal by an incident x-ray. A common electrode(350) is formed on one side of the photo conductor layer. A plurality of pixel electrodes(342) is formed on the other side of the photo conductor layer. A planar film(330) covers an on-demand semiconductor(320). The planar film is formed on a printed circuit board(310). A plurality of contacts(322) is formed on the lower part of the on-demand semiconductor.

Abstract translation: 目的：提供一种大型X射线检测器及其制造方法，用于将对应于按需半导体接合区域的光导体层中检测出的电荷传送到点播半导体，从而准确地实现拍摄中的图像 没有关节的区域 构成：光导体层（340）通过入射的x射线产生电信号。 公共电极（350）形成在光导体层的一侧。 在光导体层的另一侧上形成有多个像素电极（342）。 平面薄膜（330）覆盖按需半导体（320）。 平面膜形成在印刷电路板（310）上。 在按需半导体的下部形成有多个触点（322）。

公开(公告)号：KR1020110111110A

公开(公告)日：2011-10-10

申请号：KR1020100030509

申请日：2010-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박성호 ,  전상훈 ,  송이헌 ,  김창정 ,  안승언

IPC: G06F3/042

CPC classification number: G06F3/0386 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  G06F3/042

Abstract: 광센서를 이용한 리모트 터치 패널 및 이를 구비하는 리모트 터치 스크린 장치가 개시된다. 개시된 리모트 터치 패널은 예컨대 광민감성 산화물 반도체(light-sensitive oxide semiconductor)와 전극을 포함하는 광센서를 이용한다. 이러한 리모트 터치 패널은, 손과 펜 등의 직접 터치가 어려운 대형 디스플레이를 원거리에서 터치하듯이 제어할 수 있다. 예를 들어, 레이저 포인터 등과 같은 간단한 광원 장치를 이용하여, 마치 모니터를 보면서 마우스로 컴퓨터를 제어하듯이 대형 디스플레이 장치를 손쉽게 제어할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110109066A

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：KR1020100028616

申请日：2010-03-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선일 ,  박재철 ,  김상욱 ,  김창정

IPC: H01L31/115

CPC classification number: H01L31/085 ,  G01T1/24

Abstract: 산화물 반도체 트랜지스터를 구비한 엑스선 검출기가 개시된다. 개시된 산화물 반도체 트랜지스터를 구비한 엑스선 검출기는, 기판 상에서 직렬로 배치된 산화물 반도체 물질로 형성된 채널을 구비한 산화물 반도체 트랜지스터 및 신호저장 커패시터와 포토컨덕터를 구비한다. 포토컨덕터의 양면에는 각각 픽셀전극 및 공통전극이 형성된다. 상기 채널은 ZnO 또는 ZnO에 Ga, In, Hf, Sn 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 화합물로 이루어진 산화물 반도체 채널이다.