이온 트랩 장치 및 그 제작 방법
    11.
    发明授权
    이온 트랩 장치 및 그 제작 방법 有权
    用于捕捉离子的装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR101482440B1

    公开(公告)日:2015-01-15

    申请号:KR1020130121955

    申请日:2013-10-14

    CPC classification number: H01J3/00 H01J9/14 H01J49/0013 H01J49/422

    Abstract: 본 발명의 실시예는 반도체 기판 상에 DC 연결패드, 및 상기 DC 연결패드에 연결된 DC 레일을 포함하는 하나 이상의 중앙 DC전극; 상기 DC 레일에 인접하여 위치하는 하나 이상의 RF 레일, 및 상기 하나 이상의 RF 레일에 연결된 RF 패드를 포함하는 RF 전극; 및 상기 RF 전극을 기준으로 상기 DC전극 반대측에 위치하는 하나 이상의 측방 전극 패드를 포함하는 하나 이상의 측방 전극을 포함하고, 각 전극은 상호 대면하고 있는 부분의 모서리가 둥근(Round) 형태를 하는 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법을 제공한다.

    Abstract translation: 提供了用于捕获离子以提高稳定性的装置及其制造方法。 本发明的实施例包括至少一个中心DC电极,其包括在半导体衬底上的直流连接和连接到DC连接焊盘的DC轨; RF电极,其包括与所述DC轨道相邻的至少一个RF轨道和连接到所述至少一个RF轨道的RF焊盘; 以及至少侧电极,其包括基于RF电极位于DC电极的相对部分的至少一个侧电极焊盘。 每个电极具有彼此面对的圆形边缘。

    절연층 노출을 방지한 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법
    15.
    发明公开
    절연층 노출을 방지한 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법 有权
    用于在不暴露电介质层的情况下追踪离子的装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160053162A

    公开(公告)日:2016-05-13

    申请号:KR1020140150078

    申请日:2014-10-31

    Abstract: 본발명의실시예는, 반도체기판상에 DC 연결패드, 및상기 DC 연결패드에연결된 DC 레일을포함하는하나이상의중앙 DC전극; 상기 DC 레일에인접하여위치하는하나이상의 RF 레일, 및상기하나이상의 RF 레일에연결된 RF 패드를포함하는 RF 전극; 상기 RF 전극을기준으로상기 DC전극반대측에위치하는하나이상의측방전극패드를포함하는하나이상의측방전극; 및상기반도체기판상부에각 전극중에서적어도하나의전극을지지하는절연층을포함하고, 상기절연층은제1 절연층과상기제1 절연층의상부에위치하는제2 절연층을포함하고, 상기제2 절연층은폭 방향으로상기제1 절연층보다돌출된돌출부(Overhang)를갖는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.

    Abstract translation: 本发明的一个实施例的主要目的是设计一种离子阱芯片结构的形状及其工艺方法,该方法防止离子阱芯片结构中包含的绝缘层暴露于离子阱位置,以便 提高俘获带电粒子如离子的性能。 根据本发明的实施例,离子俘获装置包括:至少一个中心DC电极,其包括半导体衬底上的DC连接焊盘和连接到DC连接焊盘的DC导轨; RF电极,其包括邻近所述DC导轨设置的至少一个RF轨,以及连接到所述至少一个RF轨的RF焊盘; 至少一个横向电极,其包括相对于所述RF电极与所述中心DC电极相对设置的至少一个横向电极; 以及绝缘层,其在半导体衬底上支撑中心DC电极,RF电极和横向电极中的至少一个。 绝缘层包括设置在第一绝缘层上的第一绝缘层和第二绝缘层,并且第二绝缘层具有在宽度方向上比第一绝缘层进一步突出的突出端。

    희생층을 이용한 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법
    16.
    发明公开
    희생층을 이용한 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법 审中-实审
    用于使用真空层进行剥离的装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160053115A

    公开(公告)日:2016-05-13

    申请号:KR1020140149616

    申请日:2014-10-30

    CPC classification number: H01J49/0018 H01J49/42

    Abstract: 본발명의실시예는반도체기판상에 DC 연결패드, 및상기 DC 연결패드에연결된 DC 레일을포함하는하나이상의중앙 DC전극; 상기 DC 레일에인접하여위치하는하나이상의 RF 레일, 및상기하나이상의 RF 레일에연결된 RF 패드를포함하는 RF 전극; 상기 RF 전극을기준으로상기 DC전극반대측에위치하는하나이상의측방전극패드를포함하는하나이상의측방전극; 및각 전극과상기반도체기판사이에상기각 전극을지지하는절연층을포함하고, 상기각 전극중에서적어도하나의전극은상기절연층으로부터폭 방향으로돌출된돌출부(Overhang)를갖는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.

    Abstract translation: 本发明的目的是通过在离子捕获电极上实现具有均匀且准确的长度的电极悬垂,通过牺牲来制造最小化绝缘层的侧壁暴露于离子捕获位置的区域的离子捕获结构 并且是提高通过离子捕获结构捕获的性能和稳定性。 本发明的实施例提供了一种通过使用牺牲层捕获离子的装置及其制造方法。 用于捕获离子的装置包括:一个或多个中心DC电极,包括半导体衬底上的DC连接焊盘和连接到DC连接焊盘的DC导轨; RF电极,其包括邻近所述DC导轨设置的至少一个RF轨和连接到所述至少一个RF轨的RF焊盘; 至少一个横向电极,其包括相对于所述RF电极与所述中心DC电极相对设置的至少一个横向电极焊盘; 以及设置在各个电极和半导体衬底之间并且支撑各个电极的绝缘层。 各个电极中的至少一个具有从宽度方向从绝缘层突出的突出端。

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