뉴로모픽 소자를 위한 가중치 전사 장치 및 이를 이용한 가중치 전사 방법

    公开(公告)号:WO2023090592A1

    公开(公告)日:2023-05-25

    申请号:PCT/KR2022/012743

    申请日:2022-08-25

    Inventor: 박병국 김태현

    Abstract: 본 발명의 일 측면에 따른 뉴로모픽 소자를 위한 가중치 전사 장치는, 상기 뉴로모픽 소자에 대한 가중치 전사 프로그램이 저장된 메모리; 및 상기 가중치 전사 프로그램을 실행하는 프로세서를 포함하되, 상기 가중치 전사 프로그램은 인공 신경망 학습 모델을 구축하고, 구축된 인공 신경망 학습 모델의 가중치를 상기 뉴로모픽 소자에 전사하고, 상기 가중치가 전사된 뉴로모픽 소자에 포함된 시냅스 셀의 결함 여부를 판단하고, 상기 인공 신경망 학습 모델에서 결함 상태의 시냅스 셀에 대응하는 가중치를 0으로 설정한 후 상기 인공 신경망 학습 모델을 재구축하고, 재구축된 인공 신경망 학습 모델의 가중치를 상기 뉴로모픽 소자에 전사한다.

    그래핀 나노 소자의 제조방법.
    3.
    发明公开
    그래핀 나노 소자의 제조방법. 有权
    一种制造石墨纳米器件的方法

    公开(公告)号:KR1020100016929A

    公开(公告)日:2010-02-16

    申请号:KR1020080076585

    申请日:2008-08-05

    Abstract: PURPOSE: A method of fabricating a graphene nano-device is provided to form a graphene nano structure without the damage of a graphene film by using an oxide nano structure aligned as mask to implement the anisotropic etching. CONSTITUTION: A graphene layer(120) is bonded on the substrate(110). The substrate is dipped into the liquid Including sn oxide nanostructure(130). The oxide nano structure of being included in solution is adsorbed in the graphene film. The oxide nano structure of being adsorbed on the graphene film is arranged to the predetermined direction. The anisotropic etching is implemented using the oxide nano structure of being arranged as mask. The oxide nano structure of remaining after the anisotropic etching is removed. The anisotropic etching the ion beam etching which it is proceeded by using the oxide nano structure arranged as mask.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造石墨烯纳米器件的方法以通过使用排列为掩模的氧化物纳米结构来形成石墨烯纳米结构而不损害石墨烯膜,以实现各向异性蚀刻。 构成:石墨烯层(120)结合在基底(110)上。 将衬底浸入包括Sn氧化物纳米结构(130)的液体中。 包含在溶液中的氧化物纳米结构被吸附在石墨烯膜中。 吸附在石墨烯膜上的氧化物纳米结构被布置成预定方向。 使用被设置为掩模的氧化物纳米结构来实现各向异性蚀刻。 除去各向异性蚀刻后剩余的氧化物纳米结构。 通过使用排列为掩模的氧化物纳米结构进行离子束蚀刻的各向异性蚀刻。

    이온 트랩 구조를 관통하는 레이저 사용을 위한 MEMS 기반 3차원 이온트랩 장치 및 그 제작 방법
    7.
    发明公开
    이온 트랩 구조를 관통하는 레이저 사용을 위한 MEMS 기반 3차원 이온트랩 장치 및 그 제작 방법 有权
    使用激光穿透芯片结构的基于MEMS的离子阱装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160053099A

    公开(公告)日:2016-05-13

    申请号:KR1020140149552

    申请日:2014-10-30

    Abstract: 본발명의실시예는기판의상측또는하측에제1 RF 전극레일, 제2 RF 전극레일, 하나이상의제1 DC 전극및 하나이상의제2 DC 전극을포함하는이온트랩장치에있어서, 상기기판은상기이온트랩장치의폭 방향을기준으로일측과타측이일정거리이격되어분리된공간에이온트랩영역을형성하고, 상기제1 RF 전극레일및 상기제2 RF 전극레일은상기이온트랩장치의길이방향으로나란하게배치되고, 상기일측상부에상기제1 RF 전극레일이위치하고, 상기일측하부에상기하나이상의제2 DC 전극이위치하고, 상기타측상부에상기하나이상의제1 DC 전극이위치하고, 상기타측하부에상기제2 RF 전극레일이위치하고, 상기기판의일측또는타측의외측면에서상기트랩영역으로연결된레이저관통로를구비하는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.

    Abstract translation: 本发明的实施例提供一种离子阱装置及其制造方法。 离子阱装置包括第一RF电极轨,第二RF电极轨,至少一个第一DC电极和至少一个第二DC电极,位于衬底之上或之下。 离子阱区域形成在由离子阱装置的宽度方向彼此隔开一定距离的衬底的一侧和另一侧限定的分离空间中。 第一RF电极轨道和第二RF电极轨道在离子阱装置的长度方向上彼此平行地设置。 第一RF电极轨设置在衬底的一侧之上。 所述至少一个第二直流电极设置在所述基板的一侧的下方。 所述至少一个第一DC电极设置在所述衬底的另一侧之上,并且所述第二RF电极轨设置在所述衬底的另一侧下方。 激光穿透路径从衬底的一侧或另一侧的外表面延伸到离子阱区域。

    탄소나노튜브와 수은 이온 간의 산화환원 반응을 이용한 고감도 및 고선택성 수은 이온 검지 기술
    8.
    发明公开
    탄소나노튜브와 수은 이온 간의 산화환원 반응을 이용한 고감도 및 고선택성 수은 이온 검지 기술 无效
    基于碳纳米管的直接还原反应的高敏感性和选择性检测汞离子

    公开(公告)号:KR1020100097072A

    公开(公告)日:2010-09-02

    申请号:KR1020100016844

    申请日:2010-02-24

    Abstract: PURPOSE: A high-sensitivity and high-selectivity mercury ion sensing technique is provided to sense the mercury ion based on the spontaneous and selective oxidation-reduction reaction between the mercury ion and the carbon nanotube. CONSTITUTION: A mercury ion sensor comprises a substrate, a source electrode(13), a drain electrode(14), and a carbon nanotube transistor. The carbon nanotube is connected between the source electrode and the drain electrode. The carbon nanotube makes the oxidation-reduction reaction with the mercury ion. The carbon nanotube is the single-walled carbon nanotube. The mercury ion sensor detects the mercury ion by measuring the conductance change of the carbon nanotube by the oxidation-reduction reaction of the carbon nanotube and the mercury ion.

    Abstract translation: 目的:提供高灵敏度和高选择性的汞离子感测技术,以便根据汞离子和碳纳米管之间的自发和选择性氧化还原反应来感测汞离子。 构成:汞离子传感器包括基板,源电极(13),漏电极(14)和碳纳米管晶体管。 碳纳米管连接在源电极和漏电极之间。 碳纳米管与汞离子进行氧化还原反应。 碳纳米管是单壁碳纳米管。 汞离子传感器通过碳纳米管和汞离子的氧化还原反应测量碳纳米管的电导变化来检测汞离子。

    메틸렌블루를 포함하는 대사성 질환 예방 또는 치료용 약학 조성물
    10.
    发明公开
    메틸렌블루를 포함하는 대사성 질환 예방 또는 치료용 약학 조성물 无效
    包含用于预防或治疗代谢性疾病的甲基蓝的药物组合物

    公开(公告)号:KR1020150116788A

    公开(公告)日:2015-10-16

    申请号:KR1020150048809

    申请日:2015-04-07

    Abstract: 본발명은메틸렌블루를포함하는대사성질환의예방및 치료에유용한약학조성물에관한것으로메틸렌블루는 LXR-α활성화조절을통한 SREBP-1 (Sterol Response Element Binding Protein)의발현및 활성을억제한다. 따라서메틸렌블루는지질생성유전자의발현억제, 나아가간 조직내 중성지방의축적억제에현저한효과를나타내어고지질식이로유도되는대사장애에의한지방간증및 지방간염의예방및 치료에효과적으로이용될수 있다. 또한메틸렌블루는 LXR-α또는 SREBP-1의과다발현및 과다활성으로인한질환의예방및 치료에이용될수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于预防或治疗包含亚甲蓝的代谢紊乱的药物组合物,其中亚甲基蓝通过控制肝脏X受体α(LXR-α)抑制甾醇反应元件结合蛋白(SREBP-1)的表达和活性, 活动。 因此,亚甲基蓝显示出显着的抑制脂肪形成基因表达的作用,进一步抑制肝组织中的甘油三酯积累,因此可有效地用于预防和治疗由高脂肪饮食引起的代谢紊乱引起的脂肪肝疾病和脂肪性肝炎。 此外,亚甲基蓝可用于预防和治疗由LXR-α或SREBP-1的过度表达和多动症引起的疾病。

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