公开(公告)号：KR101929354B1

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：KR1020170176091

申请日：2017-12-20

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  가톨릭관동대학교산학협력단

Inventor： 서광석 ,  권영우 ,  서태윤 ,  오성욱 ,  허여울 ,  조제원

IPC: A61N5/02 ,  A61N1/40 ,  A61N5/06 ,  A61B5/053 ,  A61B5/06 ,  A61N1/08

Abstract: 본 발명은 어플리케이터를 이용하여 생체 조직의 유전율을 측정하는 기능과 고열 치료요법을 수행하는 기능을 겸용할 수 있도록 하는 기술에 관한 것이다.
이와 같은 본 발명은 생체 조직의 유전율 측정에 사용되는 어플리케이터의 마이크로스트립 라인상에 특정 주파수에서 동작하는 임피던스 매칭 네트워크를 형성하여, 하나의 어플리케이터로 생체 조직의 유전율을 측정하는 기능과 반사 손실 없이 고열 치료요법 기능을 수행할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101683470B1

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：KR1020150026309

申请日：2015-02-25

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 서광석 ,  이능희

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66

Abstract: 본발명은 AlGaN/GaN HEMT 소자의게이트누설전류감소방법에관한것으로서, 더욱상세하게는 AlGaN/GaN HEMT에 SF플라즈마처리를적용하여게이트누설전류, 문턱전압이하의특성, 그리고전류감쇄현상을개선하는방법에관한것이다.본발명은 AlGaN/GaN HEMT 소자의게이트누설전류감소방법은 SF플라즈마처리의에칭을통해, GaN 표면을고온의오믹열처리하는동안보호하기위해증착된 SiN사전(pre) 패시베이션층을오믹공정이끝난후 제거하고, GaN 표면을처리한다음, ICP-CVD을이용하여N플라즈마전처리후, SiN패시베이션층을재증착하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种降低AlGaN / GaN HEMT器件的栅极漏电流的方法，更具体地说，涉及一种用于改善栅极漏电流的方法，低于阈值电压的特征，以及通过施加电流衰减现象 SF6等离子体处理对AlGaN / GaN HEMT。 根据本发明的用于降低AlGaN / GaN HEMT器件的栅极漏电流的方法包括以下步骤：去除在欧姆电阻之后的高温欧姆热处理中保护GaN表面的SiNx预钝化层 通过蚀刻SF6等离子体工艺的过程; 处理GaN表面; 并且在使用ICP-CVD的原位N 2等离子体预处理之后重新沉积SiN x钝化层。

公开(公告)号：KR101517381B1

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：KR1020140033456

申请日：2014-03-21

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 서광석 ,  최우진

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/31 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78

Abstract: 본발명은 HEMT 게이트절연막형성방법에관한것으로서, 더욱상세하게는게이트절연막으로 PEALD SiN 박막과 ICP-SVD SiN 박막을형성하거나, PEALD SiN 박막과 High-K 물질의 RF-sputtered HfO박막을형성하는방법에관한것이다.본발명은 HEMT 소자의게이트절연막을형성하는방법에있어서,(a) 에피택시얼층과오믹컨택층이형성된 Si 기판을 ICP-CVD 장비의진공챔버에투입해서 Si과 N의전구체(precursor)로 SiH, N가스를사용하여제1게이트절연막으로 PEALD SiN 박막을형성하는단계;(b) 상기 ICP-CVD 장비의진공챔버를사용하여 PEALD SiN 박막위에제2게이트절연막으로 ICP-CVD 방식의 SiN 박막을형성하는단계; 를포함하여구성된다.

Abstract translation: 本发明涉及形成HEMT栅极绝缘膜的方法。 更具体地说，本发明涉及一种形成高k材料和PEALD SiN薄膜的RF溅射HfO 2薄膜或形成具有栅极绝缘层的PEALD SiN薄膜和ICP-SVD SiN锡薄膜的方法。 在形成HEMT栅极绝缘膜的方法中，该方法包括：（a）将具有外延层和欧姆接触层的Si衬底供应到ICP-CVD设备的真空室中并形成PEALD SiN薄膜的步骤 通过使用SiH 4和N 2气体作为Si和N的前体的第一栅极绝缘层; 和（b）使用ICP-CVD设备的真空室在PEALD SiN薄膜上形成ICP-CVD法的SiN薄膜作为第二栅极绝缘层的步骤。

公开(公告)号：KR101077011B1

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：KR1020090050955

申请日：2009-06-09

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 송생섭 ,  서광석

IPC: H01P1/205 ,  H01P1/208 ,  H01P1/203

CPC classification number: H01P11/008 ,  H01L2924/381 ,  H01P1/208 ,  H01P1/2088 ,  H01P11/002

Abstract: 본발명은미세가공공동공진기와그 제조방법및 이를이용한대역통과필터와발진기에관한것으로서, 특히미세가공공동공진기구조제작시에동시에형성되는전류프로브와패키지기판내의외부회로와전류프로브의연결시에간섭효과를없애기위한홈 구조를구비한미세가공공동공진기및 이를이용한밀리미터파대역통과필터와밀리미터파발진기에관한것이다. 본발명에따른미세가공공동공진기는, 가공공정을통해동시에형성된전류프로브와홈 구조를구비한공동구조; 및상기공동구조가집적된패키지기판을포함한다..

公开(公告)号：KR1020110087476A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：KR1020100006914

申请日：2010-01-26

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 서광석 ,  김종욱

IPC: H01L21/336

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing nano scale t-type gate using a sacrificial layer is provided to form stable T-type gate with an excellent current gain property and without inclination by reducing the size of the t-gate which is formed by the post-processing. CONSTITUTION: Sacrificial layers(290,200) are formed on a substrate(200) in which a source and a drain are formed. A photosensitive layer is formed on the upper part of the sacrificial layer. An electronic beam is irradiated on the photosensitive layer and an area, in which a gate is formed, is patterned and the sacrificial layer is exposed. A pattern is formed a wall in which the sacrificial layer is etched and slope is formed. An electrode material is evaporated in the entire of the substrate. The photosensitive layer is eliminated.

Abstract translation: 目的：提供一种使用牺牲层制造纳米级t型栅极的方法，以形成具有优异电流增益特性的稳定T型栅极，并且通过减小由后置栅极形成的t栅极的尺寸而无倾斜， 处理。 构成：牺牲层（290,200）形成在其中形成源极和漏极的衬底（200）上。 感光层形成在牺牲层的上部。 将电子束照射在感光层上，并且对其中形成栅极的区域进行图案化并且牺牲层被暴露。 形成图案，其中牺牲层被蚀刻并形成斜面。 电极材料在整个基板中蒸发。 消除感光层。

公开(公告)号：KR1020100132237A

公开(公告)日：2010-12-17

申请号：KR1020090050955

申请日：2009-06-09

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 송생섭 ,  서광석

IPC: H01P1/205 ,  H01P1/208 ,  H01P1/203

CPC classification number: H01P11/008 ,  H01L2924/381 ,  H01P1/208 ,  H01P1/2088 ,  H01P11/002

Abstract: PURPOSE: A precision-machining air cavity resonator, a manufacturing method thereof, a bandpass filter, and an oscillator thereof are provided to remove an interference effect when the outer circuit of a package substrate is connected to a current probe by using a groove structure. CONSTITUTION: An air cavity structure(100) comprises a current probe(120) and a groove structure(110) which are simultaneously formed through a processing process. The air cavity structure is integrated to a package substrate(200). The groove structure removes an interference effect when the outer circuit is connected to the current probe. The current probe is formed into at least one pole or wall shape. The inner surface of the air cavity structure, which includes the current probe and the groove structure, is coated into a metal. A thin film microstrip or a CPW(Coplanar Waveguide) is operated as an input/output port between the air cavity structure and the outer circuit.

Abstract translation: 目的：提供精密加工空气腔谐振器，其制造方法，带通滤波器及其振荡器，以通过使用沟槽结构将封装衬底的外部电路连接到电流探针时消除干扰效应。 构成：空气腔结构（100）包括通过处理过程同时形成的电流探针（120）和凹槽结构（110）。 空气腔结构集成到封装衬底（200）。 当外部电路连接到电流探头时，凹槽结构消除了干扰效应。 电流探针形成至少一个极或壁形。 包括电流探针和凹槽结构的空气腔结构的内表面被涂覆成金属。 薄膜微带或CPW（共面波导）作为空气腔结构和外部电路之间的输入/输出端口进行操作。