Abstract:
본 발명은 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법에 관한 것이다. 질화물이 아닌 기판 위에 질화물 박막을 형성하게 되면 기판과 질화물 박막간의 격자상수 차이에 의하여 많은 결함이 생기게 된다. 또한 기판과 질화물 박막간의 열팽창 계수 차이에 의하여 기판이 휘어지는 문제가 있다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해결하고자, 속이 비어 있는 입자, 즉 중공 구조물을 기판 상에 도포한 다음 그 위에 질화물 박막을 성장시킨 박막 구조 및 그 형성 방법을 제안한다. 본 발명에 따르면, 중공 구조물에 의한 ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) 효과를 얻을 수 있어 고품질의 질화물 박막을 형성할 수 있으며, 박막 구조 안의 굴절률이 조절됨에 따라 본 발명에 따른 박막 구조를 LED와 같은 발광 소자로 제작시 광추출 효율이 증가되는 효과가 있다. 뿐만 아니라 기판의 열팽창 계수가 질화물 박막에 비하여 더 큰 경우에는 질화물 박막 안의 중공 구조물 압축에 따라 질화물 박막의 전체 응력이 감소되어 기판의 휘어짐을 방지하는 효과도 있다.
Abstract:
본 발명은 반도체 나노입자를 포함하는 평면 페로브스카이트 태양전지(Planar perovskite solar cells) 및 그의 제조 방법을 제공한다. 평면 페로브스카이트 태양전지는 기판 상에 순차 적층 된 투명 전극, 전자 추출 층, 광 활성 층, 정공 이동 층 및 금속 전극 층을 포함하고, 상기 전자 추출 층은 금속 산화물 박막 위에 반도체 나노입자를 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 전력 변환 효율이 우수한 평면 페로브스카이트 태양전지를 제작할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 반도체 소자용 기판, 이러한 기판 위에 형성한 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법에 관한 것이다. 질화물이 아닌 기판 위에 질화물 박막을 형성하게 되면 기판과 질화물 박막간의 격자상수 차이에 의하여 많은 결함이 생기게 된다. 또한 기판과 질화물 박막간의 열팽창 계수 차이에 의하여 기판이 휘어지는 문제가 있다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해결하고자, 속이 비어 있는 입자, 즉 중공 구조물을 기판 상에 코팅한 박막 구조와 같은 새로운 반도체 소자용 기판, 그 위에 질화물 박막을 성장시킨 박막 구조, 그 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자를 제안한다. 본 발명에 따르면, 중공 구조물에 의한 ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) 효과를 얻을 수 있어 고품질의 질화물 박막을 형성할 수 있으며, 박막 구조 안의 굴절률이 조절됨에 따라 본 발명에 따른 박막 구조를 LED와 같은 발광 소자로 제작시 광추출 효율이 증가되는 효과가 있다. 뿐만 아니라 질화물 박막의 전체 응력이 감소되어 기판의 휘어짐을 방지하는 효과도 있다.
Abstract:
PURPOSE: A quantum dot light emitting diode device and a display using the same are provided to prevent a hole-transport layer from being solved in a solution by forming the hole-transport layer after a liquid solution process for forming the quantum dot light emitting diode. CONSTITUTION: In a quantum dot light emitting diode device and a display using the same, a cathode(310) is formed on a substrate(300). A quantum dot light-emitting layer(330) is formed on the cathode. An anode(350) is formed on the quantum dot light-emitting layer. An electron-transport layer(320) is formed between the cathode and the quantum dot light-emitting layer. A hole-transport layer(340) is formed between the quantum dot light-emitting layer and the anode.
Abstract:
양자점 제조 방법은 II족 전구체 용액과 III족 전구체 용액의 제1 혼합물을 반응기에 넣고 200℃ 내지 350℃로 가열하는 단계와, 제1 혼합물을 가열된 온도로 유지하면서 제1 혼합물에 V족 전구체 용액과 VI족 전구체 용액을 가하여 제2 혼합물을 제조하는 단계 및 제2 혼합물을 가열된 온도로 유지하여 양자점의 코어와 쉘을 형성하는 단계를 포함한다.