질화물 박막 구조 및 그 형성 방법
    11.
    发明授权
    질화물 박막 구조 및 그 형성 방법 有权
    氮化物薄膜结构及其形成方法

    公开(公告)号:KR101101780B1

    公开(公告)日:2012-01-05

    申请号:KR1020090083292

    申请日:2009-09-04

    Abstract: 본 발명은 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법에 관한 것이다. 질화물이 아닌 기판 위에 질화물 박막을 형성하게 되면 기판과 질화물 박막간의 격자상수 차이에 의하여 많은 결함이 생기게 된다. 또한 기판과 질화물 박막간의 열팽창 계수 차이에 의하여 기판이 휘어지는 문제가 있다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해결하고자, 속이 비어 있는 입자, 즉 중공 구조물을 기판 상에 도포한 다음 그 위에 질화물 박막을 성장시킨 박막 구조 및 그 형성 방법을 제안한다. 본 발명에 따르면, 중공 구조물에 의한 ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) 효과를 얻을 수 있어 고품질의 질화물 박막을 형성할 수 있으며, 박막 구조 안의 굴절률이 조절됨에 따라 본 발명에 따른 박막 구조를 LED와 같은 발광 소자로 제작시 광추출 효율이 증가되는 효과가 있다. 뿐만 아니라 기판의 열팽창 계수가 질화물 박막에 비하여 더 큰 경우에는 질화물 박막 안의 중공 구조물 압축에 따라 질화물 박막의 전체 응력이 감소되어 기판의 휘어짐을 방지하는 효과도 있다.

    양자점-블록공중합체 하이브리드 및 이의 제조 방법과 분산 방법, 그리고 양자점 블록공중합체 하이브리드를 포함하는 발광 소자 및 이의 제조 방법
    12.
    发明授权
    양자점-블록공중합체 하이브리드 및 이의 제조 방법과 분산 방법, 그리고 양자점 블록공중합체 하이브리드를 포함하는 발광 소자 및 이의 제조 방법 有权
    量子点 - 嵌段共聚物杂化物,它们的制备和分散方法,以及包括量子点嵌段共聚物杂化物的发光装置及其制备

    公开(公告)号:KR101744904B1

    公开(公告)日:2017-06-21

    申请号:KR1020100025437

    申请日:2010-03-22

    CPC classification number: C09K11/025 C08F8/06 C09K11/08 C08F116/34

    Abstract: 양자점-블록공중합체하이브리드는양자점과상기양자점을둘러싼블록공중합체를포함한다. 상기블록공중합체는상기양자점과화학결합을이루는황을포함하는기능기를가진다. 발광소자는양자점-블록공중합체를포함한발광소자를포함한다. 양자점-블록공중합체하이브리드는양자점을형성하고, 황을포함하는기능기를가지는블록공중합체를형성한후, 양자점과블록공중합체를혼합하고, 혼합물에에너지를가하여양자점에상기기능기를화학결합시켜제조한다. 양자점-블록공중합체하이브리드는하이브리드와매트릭스고분자를톨루엔과같은용매에용해시키고용액을교반함으로써양자점을매트릭스고분자내에분산시킨다. 양자점은스핀코팅, 드랍캐스팅또는닥터블레이드법으로기판상에형성된다.

    Abstract translation: 量子点 - 嵌段共聚物杂化物包括量子点和围绕量子点的嵌段共聚物。 嵌段共聚物具有含有与量子点化学结合的硫的官能团。 该发光器件包括包含量子点 - 嵌段共聚物的发光器件。 QD-制备的嵌段共聚物混合,以形成量子点,具有包括硫,通过混合与嵌段共聚物的量子点的官能团的嵌段共聚物的形成后,并在该混合物中去直到能量被化学键合至基团,其中在量子点的特征 的。 量子点 - 嵌段共聚物混合通过溶解混合和在溶剂中的基体聚合物,例如甲苯和搅拌该溶液聚合物分散在量子点的矩阵。 通过旋涂,滴注或刮刀法在基板上形成量子点。

    반도체 나노입자를 포함하는 평면 페로브스카이트 태양전지 및 그의 제조 방법
    13.
    发明授权
    반도체 나노입자를 포함하는 평면 페로브스카이트 태양전지 및 그의 제조 방법 有权
    包含半导体纳米粒子的平面PEROVSKITE太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101544317B1

    公开(公告)日:2015-08-13

    申请号:KR1020140067043

    申请日:2014-06-02

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/18 H01L31/0224 H01L31/04

    Abstract: 본 발명은 반도체 나노입자를 포함하는 평면 페로브스카이트 태양전지(Planar perovskite solar cells) 및 그의 제조 방법을 제공한다. 평면 페로브스카이트 태양전지는 기판 상에 순차 적층 된 투명 전극, 전자 추출 층, 광 활성 층, 정공 이동 층 및 금속 전극 층을 포함하고, 상기 전자 추출 층은 금속 산화물 박막 위에 반도체 나노입자를 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 전력 변환 효율이 우수한 평면 페로브스카이트 태양전지를 제작할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供一种含有半导体纳米粒子的平面钙钛矿太阳能电池及其制造方法。 平面钙钛矿太阳能电池包括依次层叠在基板上的透明电极,电子提取层,光活性层,空穴转移层和金属电极层。 电子提取层在金属氧化物薄膜上具有半导体纳米颗粒。 根据本发明,可以制造出具有优异的电力转换效率的平面钙钛矿太阳能电池。

    반도체 소자용 기판, 이를 이용한 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법
    14.
    发明授权
    반도체 소자용 기판, 이를 이용한 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법 有权
    用于半导体器件的衬底,使用其的氮化物薄膜结构及其形成方法

    公开(公告)号:KR101466037B1

    公开(公告)日:2014-11-28

    申请号:KR1020110135332

    申请日:2011-12-15

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자용 기판, 이러한 기판 위에 형성한 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법에 관한 것이다. 질화물이 아닌 기판 위에 질화물 박막을 형성하게 되면 기판과 질화물 박막간의 격자상수 차이에 의하여 많은 결함이 생기게 된다. 또한 기판과 질화물 박막간의 열팽창 계수 차이에 의하여 기판이 휘어지는 문제가 있다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해결하고자, 속이 비어 있는 입자, 즉 중공 구조물을 기판 상에 코팅한 박막 구조와 같은 새로운 반도체 소자용 기판, 그 위에 질화물 박막을 성장시킨 박막 구조, 그 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자를 제안한다. 본 발명에 따르면, 중공 구조물에 의한 ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) 효과를 얻을 수 있어 고품질의 질화물 박막을 형성할 수 있으며, 박막 구조 안의 굴절률이 조절됨에 따라 본 발명에 따른 박막 구조를 LED와 같은 발광 소자로 제작시 광추출 효율이 증가되는 효과가 있다. 뿐만 아니라 질화물 박막의 전체 응력이 감소되어 기판의 휘어짐을 방지하는 효과도 있다.

    양자점 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이
    16.
    发明公开
    양자점 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이 有权
    量子点光发射二极管器件和使用它的显示器

    公开(公告)号:KR1020110129121A

    公开(公告)日:2011-12-01

    申请号:KR1020100048569

    申请日:2010-05-25

    CPC classification number: H01L51/502 H01L27/3244 H01L51/5004 H01L51/5036

    Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting diode device and a display using the same are provided to prevent a hole-transport layer from being solved in a solution by forming the hole-transport layer after a liquid solution process for forming the quantum dot light emitting diode. CONSTITUTION: In a quantum dot light emitting diode device and a display using the same, a cathode(310) is formed on a substrate(300). A quantum dot light-emitting layer(330) is formed on the cathode. An anode(350) is formed on the quantum dot light-emitting layer. An electron-transport layer(320) is formed between the cathode and the quantum dot light-emitting layer. A hole-transport layer(340) is formed between the quantum dot light-emitting layer and the anode.

    Abstract translation: 目的:提供量子点式发光二极管装置及使用其的显示器,以防止在用于形成量子点发光二极管的液体溶液处理之后通过形成空穴传输层而在溶液中溶解空穴传输层 。 构成:在量子点式发光二极管装置及使用其的显示器中,在基板(300)上形成阴极(310)。 在阴极上形成量子点发光层(330)。 在量子点发光层上形成阳极(350)。 在阴极和量子点发光层之间形成电子传输层(320)。 在量子点发光层和阳极之间形成空穴传输层(340)。

    주름 형상 구조체 및 그 형성 방법
    20.
    发明公开
    주름 형상 구조체 및 그 형성 방법 有权
    皱纹结构及其形成方法

    公开(公告)号:KR1020170141477A

    公开(公告)日:2017-12-26

    申请号:KR1020160074585

    申请日:2016-06-15

    CPC classification number: B29C61/006 B29C61/02 C23C14/02 C23C14/20 C23C14/5846

    Abstract: 주름형상구조체및 그형성방법이제공된다. 상기주름형상구조체는, 액상프리폴리머위에금속박막을증착시켜형성된주름형상금속층을포함한다. 상기주름형상구조체는, 상기액상프리폴리머의경화에의해형성된주름형상폴리머층을더 포함할수 있다. 상기주름형상구조체의형성방법은, 액상프리폴리머를준비하는단계및 상기액상프리폴리머위에금속박막을증착하여주름형상금속층을형성하는단계를포함한다.

    Abstract translation: 提供了波纹结构和形成波纹结构的方法。 波纹结构包括通过在液体预聚物上气相沉积金属箔膜而形成的波纹金属层。 打褶结构可以进一步包括通过固化液体预聚物形成的打褶聚合物层。 用于形成打褶结构的方法包括制备液体预聚物并在该液体预聚物上沉积金属箔膜以形成打褶金属层。

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