公开(公告)号：KR1020160103807A

公开(公告)日：2016-09-02

申请号：KR1020150026641

申请日：2015-02-25

Applicant: 엘에스엠트론 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 방성환 ,  황농문

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2227/32 ,  H01L2251/56

Abstract: 본발명은유도결합플라즈마화학기상증착장치를개시한다. 본발명의일 측면에따른유도결합플라즈마화학기상증착장치는, 내부에수용부가형성되어있는챔버; 상기챔버의외부에설치되어챔버의내부를진공상태로만드는진공펌프; 상기챔버내부의저면에설치되며, 베이스기재가안착되는베이스기재지지대; 상기챔버의벽면에서부터내부로뻗어나오는파이프또는호스형태로형성되되상기베이스기재지지대의상부에설치되어, 상기챔버외부로부터소스가스를공급하는소스가스공급부; 상기챔버의벽면과연결되어내부에설치되되, 소스가스공급부의상부에형성되며, 전력을인가받아플라즈마를발생시키는 ICP(Inductively Coupled Plasma) 코일; 및상기 ICP(Inductively Coupled Plasma) 코일의상부에형성되어반응가스를외부로부터공급하는반응가스공급부;를포함한다.

Abstract translation: 本发明公开了一种电感耦合等离子体化学气相沉积装置，其能够制造具有改进的阻挡性能的阻挡膜。 电感耦合等离子体化学气相沉积设备包括：设置有容纳部分的腔室; 一个真空泵安装在腔室的外部，以在腔室中产生真空; 安装在所述腔室中以在其中容纳所述基材的基材支撑件; 源气体供给单元，其包括从所述室的壁面延伸到其内部的管或软管，并且安装在所述基材支撑体的上部，以从所述室的外部供给源气体; 电感耦合等离子体（ICP）线圈，其连接到腔室的壁表面并安装在腔室中，其中ICP线圈形成在源气体供应单元的上部，并且向ICP线圈施加电力，使得ICP 线圈产生等离子体; 以及反应气体供给单元，形成在ICP线圈的上部，以从外部供给反应气体。

公开(公告)号：KR101367373B1

公开(公告)日：2014-03-14

申请号：KR1020120010385

申请日：2012-02-01

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 황농문 ,  정용빈 ,  송진호 ,  이상훈 ,  정재수

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455

Abstract: 본 발명의 일실시예에 따른 박막 증착 장치는 내부에 기판이 장입되는 챔버; 상기 챔버 내에 반응 가스를 공급하는 가스 공급 장치; 상기 반응 가스 중 적어도 일부를 해리시켜 결정성 나노 입자를 형성하는 에너지원; 및 상기 기판 상부에 개폐 가능하게 설치되며, 상기 반응 가스 및 상기 에너지원으로부터 방출되는 열 중 적어도 하나를 기판에 대해 차단하는 기판 차단부;를 포함하며,상기 기판 차단부는 상기 기판에 박막이 증착되는 시간을 지연시키기 위하여 기판을 개폐 시키는 동작이 시간에 의존하여 행해진다.

公开(公告)号：KR1020130089042A

公开(公告)日：2013-08-09

申请号：KR1020120010385

申请日：2012-02-01

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 황농문 ,  정용빈 ,  송진호 ,  이상훈 ,  정재수

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455

Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing a thin film is provided to improve the resistivity of the film in a manufacturing process and to deposit the high-grade crystalline thin film. CONSTITUTION: An apparatus for manufacturing a thin film includes a chamber (110), a reaction gas feeding unit (120), an energy source, and a substrate blocking part (160a). A substrate is inserted inside the chamber. The gas feeding unit feeds a reaction gas inside the chamber. The energy source dissociates at least the part of the reaction gas in order to form crystalline nanoparticles. The substrate blocking part at the upper side of the substrate opens or closes the substrate, and blocks heat from the reaction gas and the energy source against the substrate. The substrate blocking part opens and closes the substrate depending on time.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造薄膜的装置，以提高薄膜在制造过程中的电阻率并沉积高级晶体薄膜。 构成：用于制造薄膜的装置包括室（110），反应气体供给单元（120），能量源和基板阻挡部（160a）。 衬底插入腔室内。 气体供给单元将反应气体供给到室内。 能量源至少解离反应气体的一部分以形成结晶纳米颗粒。 衬底上侧的衬底阻挡部件打开或关闭衬底，并且阻止来自反应气体和能源的热量抵靠衬底。 衬底阻挡部分根据时间打开和闭合衬底。

公开(公告)号：KR101062906B1

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：KR1020090012660

申请日：2009-02-17

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 박영준 ,  김용협 ,  황농문 ,  임형욱 ,  김헌석 ,  정용빈

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 기판, 상기 기판 위에 배치된 도핑된 탄소나노튜브의 네트워크를 구비한 제1 도전형 박막 층, 상기 제1 도전형 박막 층과 pn 접합을 이루는 제2 도전형 반도체 박막 층, 상기 제1 도전형 박막 층의 적어도 일부에 형성된 제1 전극, 및 상기 제2 도전형 반도체 박막 층의 적어도 일부에 형성된 제2 전극을 포함하는 박막형 태양전지가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020110011003A

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：KR1020090068415

申请日：2009-07-27

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 박영준 ,  황농문 ,  정용빈 ,  양승민 ,  박순영

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/455

Abstract: PURPOSE: A hotwire chemical vapor deposition device and a thin film manufacturing method thereof are provided to improve the uniformity of a thin film by controlling electric field which is generated from the hotwire during a thin film deposition process. CONSTITUTION: A substrate is installed inside a chamber(110). A first bias voltage apply part(114) applies a first bias voltage to the substrate. A gas supply part supplies reaction gas to the chamber. A hotwire(130) emits heat which dissociates the reaction gas and is arranged within the chamber. A voltage apply part applies a second bias voltage to the hotwire. A control part controls a voltage which is supplied from the first bias voltage apply part and the second bias voltage apply part.

Abstract translation: 目的：提供一种热线化学气相沉积装置及其薄膜制造方法，以通过控制在薄膜沉积工艺期间由热丝产生的电场来改善薄膜的均匀性。 构成：衬底安装在腔室110内。 第一偏置电压施加部分（114）向衬底施加第一偏置电压。 气体供应部分向反应室供应反应气体。 热线（130）发射热量，其解离反应气体并且布置在室内。 电压施加部分将第二偏置电压施加到热线。 控制部分控制从第一偏压施加部分和第二偏压施加部分提供的电压。