公开(公告)号：WO2009091176A3

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：PCT/KR2009/000189

申请日：2009-01-14

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  박영준 ,  김헌석 ,  이석하 ,  차병학 ,  이강무 ,  천준호 ,  권성훈 ,  박찬형 ,  정인영

Inventor： 박영준 ,  김헌석 ,  이석하 ,  차병학 ,  이강무 ,  천준호 ,  권성훈 ,  박찬형 ,  정인영

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/861

Abstract: 일 실시 예에 있어서, 발광 소자가 개시된다. 상기 발광 소자는 P형 반도체, N형 반도체, 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체 사이에 연결된 반도체 필름, 상기 반도체 필름의 위에 위치하여 상기 반도체 필름에 전기장을 인가하기 위한 제1 전극 및 상기 반도체 필름의 아래에 위치하여 상기 반도체 필름에 추가적인 전기장을 인가하기 위한 제2 전극을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020100093627A

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：KR1020090012660

申请日：2009-02-17

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 박영준 ,  김용협 ,  황농문 ,  임형욱 ,  김헌석 ,  정용빈

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A thin film type solar battery based on a carbon nanotube network is provided to offer a high efficiency thin film type solar battery with collection ability of hole / electronics improved by using a wide surface region of a carbon nanotube. CONSTITUTION: A first conductivity type thin film layer(110) is formed on a substrate(100). A second conductive semiconductor thin film layer(120) welds with the first conductivity type thin film layer. A second electrode(140) is formed to be faced with the substrate. A first electrode(130) has a finger grid form. The first conductivity type thin film layer is ohmic-contacted with at least a part of the first electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种基于碳纳米管网络的薄膜型太阳能电池，以提供通过使用碳纳米管的宽表面区域改善的空穴/电子学的收集能力的高效薄膜型太阳能电池。 构成：在基板（100）上形成第一导电型薄膜层（110）。 第二导电半导体薄膜层（120）与第一导电型薄膜层焊接。 第二电极（140）被形成为面对衬底。 第一电极（130）具有手指格栅形式。 第一导电型薄膜层与第一电极的至少一部分欧姆接触。

公开(公告)号：KR1020100027494A

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：KR1020080086433

申请日：2008-09-02

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 박영준 ,  김헌석 ,  이석하 ,  차병학

IPC: H01L29/861

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device including a diode structure which is controlled by a double gate is provided to control the intensity of a light which is emitted from the semiconductor area by controlling the voltage applied on the semiconductor area using a first electrode and a second electrode. CONSTITUTION: A source area(220) and a drain area(230) are arranged on the both end of a semiconductor area(210). A first insulator(240) is arranged on the semiconductor area. A first electrode changes the distribution state of either of an electron or a hole on the semiconductor area. A second insulator(260) is arranged on the lower side of the semiconductor area. A second electrode(270) changes the distribution state of either of the electron or the hole under the semiconductor area.

Abstract translation: 目的：提供一种包括由双栅极控制的二极管结构的半导体器件，以通过使用第一电极和第二电极控制施加在半导体区域上的电压来控制从半导体区域发射的光的强度。 构成：在半导体区域（210）的两端设置有源极区（220）和漏极区（230）。 第一绝缘体（240）布置在半导体区域上。 第一电极改变半导体区域上的电子或空穴中的任一个的分布状态。 第二绝缘体（260）布置在半导体区域的下侧。 第二电极（270）改变半导体区域下的电子或空穴中的任一个的分布状态。

公开(公告)号：KR101062906B1

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：KR1020090012660

申请日：2009-02-17

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 박영준 ,  김용협 ,  황농문 ,  임형욱 ,  김헌석 ,  정용빈

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 기판, 상기 기판 위에 배치된 도핑된 탄소나노튜브의 네트워크를 구비한 제1 도전형 박막 층, 상기 제1 도전형 박막 층과 pn 접합을 이루는 제2 도전형 반도체 박막 층, 상기 제1 도전형 박막 층의 적어도 일부에 형성된 제1 전극, 및 상기 제2 도전형 반도체 박막 층의 적어도 일부에 형성된 제2 전극을 포함하는 박막형 태양전지가 제공된다.

公开(公告)号：KR100971716B1

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：KR1020080003994

申请日：2008-01-14

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 박영준 ,  이강무 ,  김헌석 ,  천준호 ,  권성훈 ,  박찬형 ,  정인영

IPC: H01L33/02

Abstract: 본 발명은 발광소자에 관한 발명으로서, 보다 구체적으로 이중 게이트로 조절되는 다이오드 구조를 이용한 발광소자에 관한 발명이다.
본 발명의 일측면은 P형 반도체; N형 반도체; 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체 사이에 연결된 반도체 필름; 상기 반도체 필름의 위에 위치하여, 상기 반도체 필름에 전기장을 인가하기 위한 제1 전극; 및 상기 반도체 필름의 아래에 위치하여, 상기 반도체 필름에 추가적인 전기장을 인가하기 위한 제2 전극을 구비하는 발광 소자를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020090078177A

公开(公告)日：2009-07-17

申请号：KR1020080003994

申请日：2008-01-14

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 박영준 ,  이강무 ,  김헌석 ,  천준호 ,  권성훈 ,  박찬형 ,  정인영

IPC: H01L33/02

Abstract: A light emitting device using a double gate controlled diode structure is provided to perform an operation at a relatively low voltage and to reduce power consumption in comparison with a linear emission operation by performing a surface emission operation. A light emitting device includes a P-type semiconductor(10), an N-type semiconductor(20), a semiconductor layer(30), a first electrode(40), and a second electrode(50). A semiconductor film is connected between the P-type semiconductor and the N-type semiconductor. The first electrode is positioned on the semiconductor film. The first electrode is formed to apply electric field to the semiconductor film. The second electrode is positioned under the semiconductor film. The second electrode is formed to apply the additional electric field to the semiconductor film.

Abstract translation: 提供使用双栅极控制二极管结构的发光器件，以通过执行表面发射操作来执行相对低电压的操作并且与线性发射操作相比降低功耗。 发光器件包括P型半导体（10），N型半导体（20），半导体层（30），第一电极（40）和第二电极（50）。 半导体膜连接在P型半导体和N型半导体之间。 第一电极位于半导体膜上。 形成第一电极以向半导体膜施加电场。 第二电极位于半导体膜下方。 形成第二电极以向半导体膜施加附加电场。

公开(公告)号：KR101442800B1

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：KR1020080086433

申请日：2008-09-02

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 박영준 ,  김헌석 ,  이석하 ,  차병학

IPC: H01L29/861

Abstract: 적어도 2 이상의 단위 소자의 집합체를 포함하는 반도체 장치가 개시된다. 상기 단위소자는 반도체 영역, 상기 반도체 영역의 좌우 양단에 배치되고 전자 및 홀 중 어느 하나를 제공하거나 수렴하는 소스 및 드레인 영역, 상기 반도체 영역 위에 배치되는 제1 절연체, 상기 제1 절연체 위에 배치되고 상기 반도체 영역의 상부에서 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 분포 상태를 변경시키는 제1 전극, 상기 반도체 영역 아래에 배치되는 제2 절연체 및 상기 제2 절연체 아래에 배치되고 상기 반도체 영역의 하부에서 상기 전자 및 상기 홀 중 어느 하나의 분포 상태를 변경시키는 제2 전극을 포함한다. 상기 적어도 2 이상의 단위 소자의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 서로 교대로 배열되어 집합체를 형성한다.