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公开(公告)号：KR101410933B1
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：KR1020080033882
申请日：2008-04-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/768
CPC classification number: H01L51/002 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , H01L51/0008 , H01L51/0048 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브를 구비한 트랜지스터의 도핑방법 및 도핑 이온의 위치 제어방법에 관하여 개시된다. 개시된 탄소나노튜브를 구비한 트랜지스터의 도핑방법은, 소스 및 드레인과, 이들 사이의 채널인 탄소나노튜브와, 게이트를 구비한 전계효과 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트에 제1전압을 인가하는 단계; 및 상기 탄소나노튜브의 표면 상에 이온을 흡착시키는 단계;를 구비한다.
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公开(公告)号：KR101917540B1
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：KR1020170169634
申请日：2017-12-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L45/00 , H01L27/11521
Abstract: 본발명에따른수직형터널링랜덤액세스메모리는, 베이스기재상에배치된제1 전극; 제1 전극의상부에서제1 전극과마주하도록배치된제2 전극; 제1 전극과제2 전극사이에배치되고, 전하를충전하거나방전할수 있는플로팅게이트; 제1 전극과플로팅게이트사이에배치된터널링절연층; 플로팅게이트와제2 전극사이에배치된배리어절연층; 및터널링절연층과배리어절연층을관통하여제1 전극을부분적으로노출시키는콘택홀을통해서일단부는제1 전극과접촉하고일단부의타단부는제2 전극과접촉하도록제2 전극에서부터콘택홀의측벽면의일부를따라제1 전극까지연장된반도체패턴을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101789405B1
公开(公告)日：2017-10-23
申请号：KR1020160017979
申请日：2016-02-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L29/16
Abstract: 터널링랜덤액세스메모리가개시된다. 터널링랜덤액세스메모리는기판; 상기기판상에배치되고, 전하를충전하거나방전할수 있는플로팅게이트; 상기플로팅게이트상에배치되고, 상기전하의터널링이가능한터널링절연막; 상기터널링절연막상에배치된채널층; 및상기채널층과각각전기적으로연결된소스전극과드레인전극을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020090113035A
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：KR1020080038897
申请日：2008-04-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H03K19/173 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0545
Abstract: PURPOSE: A convertible logic circuit comprising a carbon nano-tube transistor having an ambipolar characteristic is provided to allow a nano-tube transistor to be converted into an n type transistor and a p type transistor by using ambipolar characteristic of carbon nano-tube transistor. CONSTITUTION: In a convertible logic circuit comprising a carbon nano-tube transistor having an ambipolar characteristic, a field effect transistor is composed of a carbon nanotube(30) between a source and a drain and a gate insulating layer(40), a gate electrode(50). A logic circuit includes a first transistor and a second transistor and a input power is connected with the gate of the first transistor and the second transistor. A first electrode of the first transistor is connected with power voltage and the second electrode of the second transistor is ground.
Abstract translation: 目的：提供一种包含具有双极特性的碳纳米管晶体管的可转换逻辑电路，以通过使用碳纳米管晶体管的双极特性，使纳米管晶体管转换为n型晶体管和p型晶体管。 构成：在具有双极特性的碳纳米管晶体管的可转换逻辑电路中，场效应晶体管由源极和漏极之间的碳纳米管（30）和栅极绝缘层（40）构成，栅电极 （50）。 逻辑电路包括第一晶体管和第二晶体管，并且输入功率与第一晶体管和第二晶体管的栅极连接。 第一晶体管的第一电极与电源电压连接，第二晶体管的第二电极被研磨。
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公开(公告)号：KR1020170021560A
公开(公告)日：2017-02-28
申请号：KR1020150116103
申请日：2015-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/16 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/02527 , H01L21/02565 , H01L21/042 , H01L29/1606 , H01L29/247 , H01L29/267 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/78693
Abstract: 그래핀아일랜드들을포함하는채널층을구비한그래핀전자소자및 그제조방법이개시된다. 개시된그래핀전자소자는도전성기판상의게이트절연층; 상기게이트절연층상의채널층; 상기채널층의양단에각각배치된소스전극과드레인전극;을구비한다. 상기채널층은반도체층과상기반도체층에직접접촉하며서로이격된복수의그래핀아일랜드를포함하는그래핀층을포함한다.
Abstract translation: 公开了具有包括石墨烯岛的沟道层的石墨烯电子器件及其制造方法。 所公开的石墨烯电子器件包括在导电衬底上的栅极绝缘层; 栅极绝缘层上的沟道层; 以及分别设置在沟道层两端的源电极和漏电极。 沟道层包括半导体层和包括多个石墨烯岛的石墨烯层，石墨烯岛与半导体层直接接触并且彼此间隔开。
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公开(公告)号：KR101432037B1
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：KR1020080038897
申请日：2008-04-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H03K19/173 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명은 앰비폴라 특성을 가진 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한 전환가능한 논리회로에 관하여 개시된다. 앰비폴라 특성을 가진 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한 전환가능한 논리회로는: 복수의 트랜지스터를 구비하며, 상기 트랜지스터는, 소스 및 드레인과, 이들 사이의 채널인 탄소나노튜브와, 상기 탄소나노튜브 상의 게이트 절연층 및 게이트 전극을 구비한 전계효과 트랜지스터이며, 전원전압의 전압에 따라서 상기 트랜지스터는 p형 또는 n형으로 변환된다.
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公开(公告)号：KR1020090108459A
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：KR1020080033882
申请日：2008-04-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/768
CPC classification number: H01L51/002 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , H01L51/0008 , H01L51/0048 , H01L51/0545
Abstract: PURPOSE: A doping method of a transistor comprising carbon nano tube is provided to easily manufacture a p-type transistor and an n-type transistor according to needs. CONSTITUTION: A field effect transistor(200) includes a source, a drain, a carbon nano tube, and a gate. The carbon nano tube is a channel of the source and the drain. A first voltage is applied to the gate. An ion is absorbed on a surface of the carbon nano tube(20). In the absorbing step, nitronium hexafluoro antimonate solution is contacted on the surface of the carbon nano tube. The solution which is not absorbed on the surface of the carbon nano tube is removed. The ion is absorbed on the surface of the carbon nano tube by drying the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种包含碳纳米管的晶体管的掺杂方法，以便根据需要容易制造p型晶体管和n型晶体管。 构成：场效应晶体管（200）包括源极，漏极，碳纳米管和栅极。 碳纳米管是源极和漏极的通道。 第一电压施加到栅极。 在碳纳米管（20）的表面上吸收离子。 在吸收步骤中，六氟铱硝酸铌溶液在碳纳米管的表面上接触。 去除不被碳纳米管表面吸收的溶液。 通过干燥基底将离子吸收在碳纳米管的表面上。
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