公开(公告)号：KR102109347B1

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：KR1020180140227

申请日：2018-11-14

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이창구 ,  김영찬 ,  박훈영

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

公开(公告)号：KR1020150098904A

公开(公告)日：2015-08-31

申请号：KR1020140020276

申请日：2014-02-21

Applicant: 엘지전자 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최민석 ,  김영찬 ,  이창구

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/305 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/228 ,  C23C16/46

Abstract: 본 발명은 이종원소 박막의 제작에 관한 것으로 특히, 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법 및 그 박막에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명은, 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법에 있어서, 기체화된 금속 전구체를 공급하는 단계; 칼코겐 함유 기체를 공급하는 단계; 및 제1온도조건에서 성장 기판 상에 상기 금속 전구체 및 칼코겐 함유 기체를 반응시켜 박막을 형성하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及非均相元件薄膜的制造，更具体地，涉及一种制造金属硫族化物薄膜的方法及其制造的薄膜。 根据如上所述的本发明，制造金属硫族化物薄膜的方法包括以下步骤：提供蒸发的金属前体; 供应含硫族元素的气体; 以及通过使金属前体和含硫族烃的气体在第一温度条件下在生长衬底上反应而形成薄膜。

公开(公告)号：KR1020160093375A

公开(公告)日：2016-08-08

申请号：KR1020150014289

申请日：2015-01-29

Applicant: 엘지전자 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최민석 ,  이창구 ,  김영찬

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0264

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L31/0264 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은이종원소박막의제작에관한것으로특히, 유연기판상에제조가능한금속칼코게나이드박막의제조방법에관한것이다. 이러한본 발명은, 금속칼코게나이드박막의제조방법에있어서, 포일형태의금속기판상에확산방지막을형성하는단계; 및상기확산방지막상에전이금속전구체및 칼코겐함유기체를공급하여금속칼코게나이드박막을형성하는단계를포함하여구성될수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及异质元素薄膜的制造，更具体地说，涉及可在柔性基板上生产的金属硫族化物薄膜的制造方法。 根据制造金属硫族化物薄膜的方法，本发明包括以下步骤：在箔形式的金属基底上形成防扩散膜; 并通过提供过渡金属前体和含硫属原子气体形成金属硫族化物薄膜。