公开(公告)号：KR1020160093376A

公开(公告)日：2016-08-08

申请号：KR1020150014291

申请日：2015-01-29

Applicant: 엘지전자 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최민석 ,  이창구 ,  박훈영 ,  이진환

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0392

CPC classification number: H01L31/022466 ,  C01B17/42 ,  C01G33/00 ,  C01G39/06 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은칼코게나이드소자에관한것으로특히, 전이금속칼코게나이드를전극으로이용한금속칼코게나이드소자및 그제조방법에관한것이다. 이러한본 발명은, 금속칼코게나이드소자에있어서, 기판; 상기기판상에위치하는산화물층; 상기산화물층상에위치하는제1전도성의금속칼코게나이드층; 및상기금속칼코게나이드층 상에서로이격되어위치하고금속칼코게나이드를포함하는제1전극및 제2전극을포함하여구성될수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及金属硫族化物装置。 特别地，本发明涉及使用过渡金属硫族化物作为电极的金属硫族化物装置及其制造方法。 金属硫族化物装置可以包括基底; 位于所述基板上的氧化物层; 位于氧化物层上的第一导电型金属硫族化物层; 以及第一电极和第二电极，其在金属硫族化物层上彼此分离并且包括金属硫族化物。 因此，可以降低电极的接触电阻。

公开(公告)号：KR101465211B1

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：KR1020140017815

申请日：2014-02-17

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이창구 ,  이진환 ,  박훈영

IPC: H01L21/283

Abstract: 본원은, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법, 상기 방법에 의하여 제조되는 도핑된 금속 칼코게나이드 박막, 상기 도핑된 금속 칼코게나이드 박막을 포함하는 소자, 상기 도핑된 금속 칼코게나이드 박막 적층체, 및 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造掺杂的金属 - 硫族化物薄膜的方法，通过该方法制造的掺杂金属 - 硫族化物薄膜，具有掺杂的金属 - 硫族化物薄膜的器件，掺杂的金属 - 硫族化物薄膜层压体，以及 一种转移掺杂的金属 - 硫族化物薄膜的方法。

公开(公告)号：KR102109347B1

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：KR1020180140227

申请日：2018-11-14

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이창구 ,  김영찬 ,  박훈영

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324