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公开(公告)号：WO2016122081A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/KR2015/010285
申请日：2015-09-30
Applicant: 엘지전자 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0264
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L31/0264 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 이종원소 박막의 제작에 관한 것으로 특히, 유연 기판 상에 제조 가능한 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법에 있어서, 포일 형태의 금속 기판 상에 확산 방지막을 형성하는 단계; 및 상기 확산 방지막 상에 전이금속 전구체 및 칼코겐 함유 기체를 공급하여 금속 칼코게나이드 박막을 형성하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及异质元素薄膜的制造，特别涉及可能在柔性基板上制造金属硫族化物薄膜的方法。 根据本发明的金属硫族化物薄膜的制造方法可以包括以下步骤：在箔形式的金属基材上形成防扩散膜; 并将过渡金属前体和含硫属烃的气体供给到扩散防止膜上，从而形成金属硫族化物薄膜。
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公开(公告)号：KR102109347B1
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：KR1020180140227
申请日：2018-11-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/324
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公开(公告)号：KR101848673B1
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：KR1020160064622
申请日：2016-05-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 서강대학교산학협력단
IPC: H01L21/285 , C23C16/30 , C23C16/54 , C23C16/02 , C23C16/448 , H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/324
Abstract: 유연기재상의이황화몰리브덴막 또는이황화텅스텐막의제조방법, 및상기이황화몰리브덴막 또는이황화텅스텐막을반도체층으로서포함하는, 전계효과트랜지스터또는광센서에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150098904A
公开(公告)日：2015-08-31
申请号：KR1020140020276
申请日：2014-02-21
Applicant: 엘지전자 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C16/448 , C23C16/56
CPC classification number: C23C16/305 , C23C14/0021 , C23C14/0623 , C23C14/228 , C23C16/46
Abstract: 본 발명은 이종원소 박막의 제작에 관한 것으로 특히, 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법 및 그 박막에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명은, 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법에 있어서, 기체화된 금속 전구체를 공급하는 단계; 칼코겐 함유 기체를 공급하는 단계; 및 제1온도조건에서 성장 기판 상에 상기 금속 전구체 및 칼코겐 함유 기체를 반응시켜 박막을 형성하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及非均相元件薄膜的制造，更具体地，涉及一种制造金属硫族化物薄膜的方法及其制造的薄膜。 根据如上所述的本发明，制造金属硫族化物薄膜的方法包括以下步骤：提供蒸发的金属前体; 供应含硫族元素的气体; 以及通过使金属前体和含硫族烃的气体在第一温度条件下在生长衬底上反应而形成薄膜。
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公开(公告)号：KR101915635B1
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：KR1020160115405
申请日：2016-09-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 서강대학교산학협력단
Abstract: 본발명은유연기판상으로금속칼코게나이드박막을전사하는방법에관한것으로서, 보다상세하게는에폭시를이용한전사방법을제시하여박막의결함이나불순물을생성시키지않으면서전기적인물성이뛰어난유연기판복합체를제조하고자하는것이다. 본발명의여러구현예에따르면, 에폭시를이용하여유연기판상에금속칼코게나이드박막을전사함으로써, 전사되는금속칼코게나이드박막의결함이나불순물을생성시키지않아전기적인물성이우수한유연기판복합체를제조할수 있다. 또한, 상술한방법으로제조된유연기판복합체는플렉서블전계효과트랜지스터, 센서및 LED 등과같은유연(플렉서블) 소자등에폭넓게응용할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160093375A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：KR1020150014289
申请日：2015-01-29
Applicant: 엘지전자 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0264
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L31/0264 , Y02E10/50 , H01L31/02366 , H01L31/18
Abstract: 본발명은이종원소박막의제작에관한것으로특히, 유연기판상에제조가능한금속칼코게나이드박막의제조방법에관한것이다. 이러한본 발명은, 금속칼코게나이드박막의제조방법에있어서, 포일형태의금속기판상에확산방지막을형성하는단계; 및상기확산방지막상에전이금속전구체및 칼코겐함유기체를공급하여금속칼코게나이드박막을형성하는단계를포함하여구성될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及异质元素薄膜的制造，更具体地说，涉及可在柔性基板上生产的金属硫族化物薄膜的制造方法。 根据制造金属硫族化物薄膜的方法，本发明包括以下步骤：在箔形式的金属基底上形成防扩散膜; 并通过提供过渡金属前体和含硫属原子气体形成金属硫族化物薄膜。
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公开(公告)号：KR20180028137A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：KR20160115405
申请日：2016-09-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 서강대학교산학협력단
CPC classification number: H01B5/14 , H01B13/0016 , H01B13/0026 , H01L51/0097
Abstract: 본발명은유연기판상으로금속칼코게나이드박막을전사하는방법에관한것으로서, 보다상세하게는에폭시를이용한전사방법을제시하여박막의결함이나불순물을생성시키지않으면서전기적인물성이뛰어난유연기판복합체를제조하고자하는것이다. 본발명의여러구현예에따르면, 에폭시를이용하여유연기판상에금속칼코게나이드박막을전사함으로써, 전사되는금속칼코게나이드박막의결함이나불순물을생성시키지않아전기적인물성이우수한유연기판복합체를제조할수 있다. 또한, 상술한방법으로제조된유연기판복합체는플렉서블전계효과트랜지스터, 센서및 LED 등과같은유연(플렉서블) 소자등에폭넓게응용할수 있다.
Abstract translation: 涉及一种方法，用于通过本发明隐喻烟板转移金属硫属化物薄膜，更特别是高度站立的电性能，除非通过使用环氧树脂不能产生在薄的柔性基材复合的缺陷和杂质呈现所述传输方法 待制造。 根据本发明的各种实施例中，通过将薄膜制备金属硫属化物，不产生在金属硫属化物薄膜要转移的缺陷和杂质具有优异的电性能的柔性底物复合物，得到烟板采取的环氧树脂的优点 你可以。 另外，通过上述方法制造的柔性基板复合物可以广泛地应用于柔性场效应晶体管，传感器，诸如LED等柔性元件等。
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8.发明公开롤투롤 공정을 위한 화학기상 증착법을 이용한 유연 기재 상의 이황화 몰리브덴 나노박막 또는 이황화 텅스텐 나노박막 제조방법 审中-实审用于通过化学气相沉积在柔性衬底上制备二硫化钼纳米管或二硫化钨纳米管以用于卷对卷工艺的方法
公开(公告)号：KR1020170133628A
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：KR1020160064622
申请日：2016-05-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 서강대학교산학협력단
IPC: H01L21/285 , C23C16/30 , C23C16/54 , C23C16/02 , C23C16/448 , H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/0209 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/545 , H01L21/02205 , H01L21/0228 , H01L21/324 , H01L29/0665 , H01L2924/01074 , H01L2924/10722
Abstract: 유연기재상의이황화몰리브덴막 또는이황화텅스텐막의제조방법, 및상기이황화몰리브덴막 또는이황화텅스텐막을반도체층으로서포함하는, 전계효과트랜지스터또는광센서에관한것이다.
Abstract translation: 柔性基板上的二硫化钼膜或二硫化钨膜，以及包含二硫化钼膜或二硫化钨膜作为半导体层的场效应晶体管或光学传感器。
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