公开(公告)号：KR20210027137A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020200107524A

申请日：2020-08-26

Applicant: 주식회사 디플랫 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이창구

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/67144 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/67721 ,  H01L21/6838 ,  H01L33/00

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 전사장치는 마이크로 LED의 전극부가 대향되게 적재되는 적재기판; 및 상기 적재기판에 적재된 상기 마이크로 LED의 상면을 흡착하여 상기 마이크로 LED를 상기 적재기판으로부터 이탈시키는 전사헤드; 를 포함한다.

公开(公告)号：KR20210027136A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020200107523A

申请日：2020-08-26

Applicant: 주식회사 디플랫 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이창구

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/67144 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/67721 ,  H01L21/6838 ,  H01L33/00

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 전사방법은 마이크로 LED가 적재된 적재기판을 마련하는 마이크로 LED 마련단계; 상기 적재기판에 적재된 상기 마이크로 LED의 상면을 전사헤드로 흡착하고, 상기 마이크로 LED를 상기 적재기판으로부터 이탈시키는 픽업단계; 및 상기 전사헤드가 상기 마이크로 LED의 상기 전극부를 목표기판의 단자부에 위치시키고, 상기 전사헤드에 양압을 인가하여 상기 마이크로 LED를 상기 목표기판에 배치하는 배치단계; 를 포함한다.

公开(公告)号：KR20210026144A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020190106528A

申请日：2019-08-29

Applicant: 주식회사 디플랫 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이창구

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/52 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/67144 ,  H01L21/52 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/67721 ,  H01L21/6838 ,  H01L33/00

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 전사방법은 전극부가 상면에 위치된 복수개의 마이크로 LED를 분리기판에 서로 이격되게 배치시키는 준비단계; 상기 분리기판을 반전시켜 상기 전극부가 적재기판에 대향되게 상기 마이크로 LED를 적재하고, 상기 분리기판으로부터 상기 마이크로 LED를 분리시키는 적재단계; 상기 적재기판에 적재된 상기 마이크로 LED의 상면을 전사헤드로 흡착하고, 상기 마이크로 LED를 상기 적재기판으로부터 이탈시키는 픽업단계; 및 상기 전사헤드가 상기 마이크로 LED의 상기 전극부를 목표기판의 단자부에 위치시키고, 상기 전사헤드에 양압을 인가하여 상기 마이크로 LED를 상기 목표기판에 배치하는 배치단계; 를 포함한다.

公开(公告)号：WO2021040391A1

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：PCT/KR2020/011362

申请日：2020-08-26

Applicant: 주식회사 디플랫 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이창구

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L33/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/52

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 전사방법은 마이크로 LED가 적재된 적재기판을 마련하는 마이크로 LED 마련단계; 상기 적재기판에 적재된 상기 마이크로 LED의 상면을 전사헤드로 흡착하고, 상기 마이크로 LED를 상기 적재기판으로부터 이탈시키는 픽업단계; 및 상기 전사헤드가 상기 마이크로 LED의 상기 전극부를 목표기판의 단자부에 위치시키고, 상기 전사헤드에 양압을 인가하여 상기 마이크로 LED를 상기 목표기판에 배치하는 배치단계; 를 포함한다.

公开(公告)号：WO2022215891A1

公开(公告)日：2022-10-13

申请号：PCT/KR2022/003701

申请日：2022-03-16

Applicant: 주식회사 디플랫 ,  성균관대학교산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 이규철 ,  이석제 ,  유동하 ,  이창구 ,  무하마드사브테인 아바스 ,  임채록

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/44

Abstract: 전사없이, 기재 상에 그래핀층을 직접 합성하는 단계; 및 상기 그래핀층 상에 LED층을 합성하는 단계를 포함하는, 쉽게 분리 가능한 LED 구조체 제조방법 및 상기 제조방법으로 제조된 LED 구조체가 제공된다. (대표도 : 도 1)

公开(公告)号：WO2016122081A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/KR2015/010285

申请日：2015-09-30

Applicant: 엘지전자 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최민석 ,  이창구 ,  김영찬

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0264

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L31/0264 ,  Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 이종원소 박막의 제작에 관한 것으로 특히, 유연 기판 상에 제조 가능한 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법에 있어서, 포일 형태의 금속 기판 상에 확산 방지막을 형성하는 단계; 및 상기 확산 방지막 상에 전이금속 전구체 및 칼코겐 함유 기체를 공급하여 금속 칼코게나이드 박막을 형성하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及异质元素薄膜的制造，特别涉及可能在柔性基板上制造金属硫族化物薄膜的方法。 根据本发明的金属硫族化物薄膜的制造方法可以包括以下步骤：在箔形式的金属基材上形成防扩散膜; 并将过渡金属前体和含硫属烃的气体供给到扩散防止膜上，从而形成金属硫族化物薄膜。

公开(公告)号：KR102109347B1

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：KR1020180140227

申请日：2018-11-14

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이창구 ,  김영찬 ,  박훈영

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

公开(公告)号：KR101848673B1

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：KR1020160064622

申请日：2016-05-26

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  서강대학교산학협력단

Inventor： 이창구 ,  정현식 ,  김영찬

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/30 ,  C23C16/54 ,  C23C16/02 ,  C23C16/448 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/324

Abstract: 유연기재상의이황화몰리브덴막 또는이황화텅스텐막의제조방법, 및상기이황화몰리브덴막 또는이황화텅스텐막을반도체층으로서포함하는, 전계효과트랜지스터또는광센서에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020150098904A

公开(公告)日：2015-08-31

申请号：KR1020140020276

申请日：2014-02-21

Applicant: 엘지전자 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최민석 ,  김영찬 ,  이창구

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/305 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/228 ,  C23C16/46

Abstract: 본 발명은 이종원소 박막의 제작에 관한 것으로 특히, 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법 및 그 박막에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명은, 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법에 있어서, 기체화된 금속 전구체를 공급하는 단계; 칼코겐 함유 기체를 공급하는 단계; 및 제1온도조건에서 성장 기판 상에 상기 금속 전구체 및 칼코겐 함유 기체를 반응시켜 박막을 형성하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及非均相元件薄膜的制造，更具体地，涉及一种制造金属硫族化物薄膜的方法及其制造的薄膜。 根据如上所述的本发明，制造金属硫族化物薄膜的方法包括以下步骤：提供蒸发的金属前体; 供应含硫族元素的气体; 以及通过使金属前体和含硫族烃的气体在第一温度条件下在生长衬底上反应而形成薄膜。

公开(公告)号：KR1020130103913A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：KR1020120024922

申请日：2012-03-12

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이창구 ,  안종현 ,  이진환 ,  이영빈

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/06

Abstract: PURPOSE: A method for easily manufacturing metal chalcogenide thin films is provided to form the chalcogenide thin films from a single layer to double layers using a chemical vapor deposition. CONSTITUTION: A method for easily manufacturing metal chalcogenide thin films comprises following steps. A metal thin film (20) is formed in a base material (10). Chalcogen gas is supplied to the metal thin film. A metal chalcogen thin film (30) marked chemical formula 1 is formed by reacting with the chalcogen gas. The metal thin film is formed one of the sputtering, E-beam evaporator, thermal evaporation, ion cluster beam, pulsed laser deposition methods.

Abstract translation: 目的：提供一种容易制造金属硫族化物薄膜的方法，以使用化学气相沉积从单层到双层形成硫族化物薄膜。 构成：容易制造金属硫族化物薄膜的方法包括以下步骤。 金属薄膜（20）形成在基材（10）中。 向金属薄膜供应硫族元素气体。 通过与硫属元素气体反应形成标记化学式1的金属硫属元素薄膜（30）。 金属薄膜形成溅射，电子束蒸发器，热蒸发，离子簇束，脉冲激光沉积方法之一。