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公开(公告)号：KR100611290B1
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：KR1019990027645
申请日：1999-07-09
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C04B35/71
CPC classification number: B28B17/0018 , Y10T225/12
Abstract: 세라믹스 소결체 기판을 간단히 분할하는 방법, 및 분할하여 얻어진, 강도의 저하가 없고 또한 치수 정밀도가 우수한 세라믹스 기판을 제공한다.
세라믹스 소결체 기판(1)의 표면에 끝에서 끝까지 연속한 얕은 흠집(1a)을 흠집 내기 공구(5)를 이용하여 형성한 후, 그 흠집(1a)에 따라 세라믹스 소결체 기판(1)을 복수의 세라믹스 기판으로 분할한다. 흠집 내기 공구(5)는, 그 날 선단부(5a)가 초경 합금 또는 다이아몬드로 이루어지는 것이 바람직하다.
세라믹스 기판, 세라믹스 기판, 절단 날, 흠집 내기 공구, 날 선단부-
公开(公告)号：KR1020040083052A
公开(公告)日：2004-09-30
申请号：KR1020047003511
申请日：2003-02-26
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/02 , H05B3/74 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67103 , G03F7/40
Abstract: 웨이퍼 등의 피처리물을 균일하게 가열할 수 있는 반도체 제조용 가열 장치, 특히 코터 디벨로퍼에 있어서의 포토리소그래피용 수지막의 가열 경화나 저유전율 절연막의 가열 소성에 사용되는 가열 장치를 제공한다. 본 발명의 장치는 내부에 저항 발열체(2)가 매립 설치되어, 웨이퍼(6) 등의 피처리물을 보유 지지하여 가열하는 세라믹스제 보유 지지 부재(1)와, 세라믹스제 보유 지지 부재(1)를 지지하는 통형의 지지 부재(4)와, 이들을 수용하는 챔버(5)를 구비하고, 지지 부재(4)와 세라믹스제 보유 지지 부재(1)를 기밀 밀봉하지 않고, 또는 가스 도입-배기의 조정에 의해 통형의 지지 부재(4) 내와 챔버(5) 내의 분위기를 실질적으로 동일하게 유지한다.
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公开(公告)号：KR1020020079552A
公开(公告)日：2002-10-19
申请号：KR1020020019365
申请日：2002-04-10
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C16/4581 , C23C16/4586 , H01L21/68714 , Y10T279/23
Abstract: PURPOSE: To provide substrate treating equipment wherein heat uniformity can be made superior, cost can be reduced, advantage of miniaturization of the equipment can be obtained and restriction on attachment of a member like a conductor member for power supply can be relieved. CONSTITUTION: In this substrate treating equipment, a ceramics module 1 on which a substrate 20 is mounted is provided with a planar part which has electric circuits 3a, 3b, 3c and ceramics base substance 2, and is retained with a chamber 4 by bringing at least a part of a surface of the planar part except the surface on which the substrate 20 is mounted into contact with a chamber 4.
Abstract translation: 目的：为了提供能够提高热均匀性的基板处理设备，可以降低成本，可以获得设备小型化的优点，并且可以减轻对诸如电源的导体部件的部件的附着的限制。 构成：在该基板处理设备中，安装有基板20的陶瓷模块1设置有具有电路3a，3b，3c和陶瓷基体2的平面部，并且通过引入 除了安装基板20与室4接触的表面之外的平面部分的表面的至少一部分。
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公开(公告)号：KR1019990037488A
公开(公告)日：1999-05-25
申请号：KR1019980045746
申请日：1998-10-29
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H05B3/10
Abstract: 본 발명의 세라믹스 히터는 질화 알루미늄 소결체로 이루어진 기판(1)과, 그 기판(1)의 표면에 형성한 은 또는 은 합금을 주성분으로 하는 발열체(2) 및 급전용의 전극(3)을 구비하고, 질화 알루미늄 소결체가 주기율표의 2A족 또는 3A족의 원소 또는 화합물과, 규소 원소 환산으로 0.01∼0.5 중량%의 규소 또는 규소 화합물을 함유하고, 바람직하게는 또한 8족 천이 원소 또는 화합물을 원소 환산으로 0.01∼1 중량% 함유한다.
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公开(公告)号：KR100937540B1
公开(公告)日：2010-01-19
申请号：KR1020097017661
申请日：2003-03-06
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/68792 , H01L21/67103
Abstract: 본 발명의 과제는 유지체 내에 매립 설치된 저항 발열체에 전력을 공급하기 위한 전극 단자 및 인출선에 누전이나 스파크가 발생되는 일 없고, 또한 유지체에 있어서 ± 1.0 ％ 이내의 균열성이 얻어지는 반도체 제조 장치용 유지체를 제공하는 것이다.
반응 가스가 공급되는 챔버 내로 설치되는 반도체 제조 장치용 유지체이며, 피처리물(10)을 표면 상에 유지하는 동시에 피처리물을 가열하기 위한 저항 발열체(2)를 구비하는 세라믹스로 된 유지체(1)와, 일단부가 상기 세라믹스로 된 유지체(1)를 그 피처리물 유지 표면 이외의 부위로 지지하고, 타단부가 챔버에 고정된 지지 부재(6)를 구비하고, 상기 세라믹스로 된 유지체(1)의 피처리물 유지 표면 이외의 부위에 설치한 저항 발열체(2)의 전극 단자(3) 및 인출선(4)이 절연관(5) 내에 수용되어 있는 반도체 제조 장치용 유지체이다.
세라믹스로 된 유지체, 챔버, 전극 단자, 인출선, 저항 발열체, 절연관-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100539634B1
公开(公告)日：2006-02-28
申请号：KR1019980045746
申请日：1998-10-29
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H05B3/10
Abstract: 본 발명의 세라믹스 히터는 질화 알루미늄 소결체로 이루어진 기판(1)과, 그 기판(1)의 표면에 형성한 은 또는 은 합금을 주성분으로 하는 발열체(2) 및 급전용의 전극(3)을 구비하고, 질화 알루미늄 소결체가 주기율표의 2A족 또는 3A족의 원소 또는 화합물과, 규소 원소 환산으로 0.01∼0.5 중량%의 규소 또는 규소 화합물을 함유하고, 또한 바람직하게는 8족 천이 원소 또는 화합물을 원소 환산으로 0.01∼1 중량% 함유한다.
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公开(公告)号：KR100551642B1
公开(公告)日：2006-02-14
申请号：KR1020030023261
申请日：2003-04-14
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67103
Abstract: 반도체 제조 장치 작업편 홀더는 웨이퍼 유지면이 등온성면에서 우수하고 코터/디벨로퍼 내의 사진 석판 포토레지스트의 열경화 및 낮은 유전율, 예를 들면 낮은 k값 절연막의 소성에 사용하기 적합하다. 작업편 홀더는 웨이퍼 홀더(1) 및 웨이퍼 홀더(1)를 지지하는 지지 부재(4)로 이루어지고, 지지 부재(4)의 열전도성이 웨이퍼 홀더(1)의 열전도성보다 낮은 것을 특징으로 한다. 웨이퍼 홀더(1) 및 지지 부재(4)는 접합되지 않거나, 접합되는 경우에도 2.0 x 10
-6 /℃ 이하의 열팽창 계수 차이를 가지도록 만들어진다. 양호하게는 웨이퍼 홀더(1)의 주요 성분은 AlN이고 지지 부재(4)의 주요 성분은 멀라이트이다.
반도체 제조 장치, 지지 부재, 웨이퍼 홀더, 열팽창 계수, 유지면-
公开(公告)号：KR1020030007958A
公开(公告)日：2003-01-23
申请号：KR1020027016908
申请日：2002-04-11
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6833 , B32B18/00 , B32B2309/022 , B32B2315/02 , C04B35/44 , C04B35/581 , C04B37/005 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/96 , C04B2237/064 , C04B2237/08 , Y10T279/23
Abstract: 우수한 내식성 및 기밀성을 갖는 동시에, 우수한 치수 정밀도를 갖고, 기계적 혹은 열적 응력이 가해진 경우에 충분한 내구성을 갖는 기판 보유 지지 구조체를 얻을 수 있다. 본 발명에 의한 기판 보유 지지 구조체로서의 보유 지지 부재(1)는 기판을 보유 지지하기 위한 세라믹스 기체(2)와, 세라믹스 기체(2)에 접합된 보호통 부재(7)와, 세라믹스 기체(2)와 보호통 부재(7) 사이에 위치하고, 세라믹스 기체(2)와 보호통 부재(7)를 접합하는 접합층(8)을 구비한다. 접합층(8)은 희토류 산화물을 2 질량 ％ 이상 70 질량 ％ 이하, 산화 알루미늄을 10 질량 ％ 이상 78 질량 ％ 이하, 질화 알루미늄을 2 질량 ％ 이상 50 질량 ％ 미만 함유한다. 접합층(8)에 있어서 상기 3 종류의 성분 중 희토류 산화물 혹은 산화 알루미늄의 비율이 가장 많다.
Abstract translation: 获得具有优异的耐腐蚀性和气密性的基板保持结构，其具有优异的尺寸精度并且在施加机械应力或热应力时具有足够的耐久性。 作为本发明的基板保持结构的支架（1）包括用于保持基板的陶瓷基体（2），与陶瓷基体（2）接合的保护筒（7）和位于其上的接合层（8） 在陶瓷基座（2）和保护筒（7）之间，用于将陶瓷基座（2）和保护筒（7）彼此连接。 接合层（8）含有至少2质量％且不超过70质量％的稀土氧化物，至少10质量％且不超过78质量％的氧化铝，以及至少2质量％且不超过 超过50质量％的氮化铝。 稀土氧化物或氧化铝在接合层（8）中具有上述三种组分中最大的比例。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020020064975A
公开(公告)日：2002-08-10
申请号：KR1020027008530
申请日：2001-10-19
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: G03G15/20
Abstract: 세라믹스 히터와 원통 형상의 정착 필름을 이용한 가열 정착 장치에 있어서, 24 ppm 이상의 고속 정착을 가능하게 하여, 정착 필름의 내구성을 보다 한층 향상시키는 동시에, 정착성을 더욱 개선 향상시킨다.
세라믹스 히터(10)의 정착 필름(3)과 접촉하는 정착면측 표면 및 히터 지지 부재(12) 중 적어도 정착면측 표면에 인접하는 부분의 형상을 소정의 닙 폭으로 가압 롤러(4)로 압박한 정지 상태 또는 주행 상태에서의 정착 필름(3)의 자연스러운 변형 형상과 대략 동일한 형상으로 한다. 또한, 닙부 및 이에 인접하는 입구측과 출구측에서 평면 형상으로 하고, 그 이외의 부분에서는 정착 필름(3)의 원통 형상에 따른 곡면 형상으로 하는 것도 가능하다.-
公开(公告)号：KR100309366B1
公开(公告)日：2001-12-17
申请号：KR1019970055573
申请日：1997-10-28
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: G03G15/20
Abstract: 본 발명은, 가열정착장치에 관하여, 보다 특정적으로는 가공롤러에 의한 가압과 내열성필름을 개재한 세라믹스히터에 의한 가열에 의해서, 내열성필름과 가압 롤러와의 사이에 끼워져서 이동하는 종이등의 전사재의 표면위에 형성된 토우너화상을 정착시키는 가열정착장치에 관한 것으로서, 단열효율을 개선한 세라믹스히터와 스테이와의 장착구조를 제공하므로써, 가열정착장치의 소비전력의 저감을 도모하는 것을 과제로한 것이며, 그 해결수단으로서, 가열정착장치에 있어서 스테이(6)와 세라믹스히터(10)와의 사이에 단열층(11)을 형성하고, 단열층(11)의 열전도율이 스테이의 열전도율보다도 낮은 것을 특징으로 한 것이다.
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