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公开(公告)号：KR100371974B1
公开(公告)日：2003-02-17
申请号：KR1019997000807
申请日：1998-05-26
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H05K1/0271 , C04B35/111 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B35/62655 , C04B37/026 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/5445 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/122 , C04B2237/125 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/66 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , H01L23/3735 , H01L2224/48091 , H05K1/0306 , H05K3/38 , H05K2201/09145 , H05K2201/098 , Y10T428/12535 , Y10T428/12576 , Y10T428/24917 , H01L2924/00014
Abstract: A highly reliable copper circuit-joined board that, in mounting a semiconductor element, a lead frame or the like on a ceramic substrate, enables the semiconductor element, the lead frame or the like to be strongly joined to the substrate without breaking or deformation of the substrate found in conventional joining methods, such as brazing and joining using a copper/copper oxide eutectic crystal. Any one of an interposing layer comprising a brazing material layer comprising silver and/or copper as a main component and an active metal or an interposing layer having a two-layer structure comprising a first interposing layer comprising the brazing material layer or a high-melting metallizing layer and a second interposing layer, having a melting point of 1,000 DEG C or below, comprising Ni, Fe, or Cu as a main component in that order from the substrate side, is formed on a ceramic substrate, and a conductor layer, comprising copper as a main component, which, in both the lengthwise and widthwise directions, is at least 0.05 mm shorter than the interposing layer, is formed on the interposing layer to prepare a copper circuit-joined board. The copper circuit-joined board may comprise the base board having thereon an outer layer comprising Ni as a main component. A semiconductor element is mounted on the copper circuit-joined board to prepare a semiconductor device.
Abstract translation: 在陶瓷基板上安装半导体元件，引线框架等时，能够使半导体元件，引线框架等与基板牢固接合而不破坏或变形的高可靠性的铜电路板接合板 在常规连接方法中发现的基材，例如使用铜/氧化铜共晶晶体的钎焊和接合。 包括含有作为主要成分的银和/或铜作为主要成分的钎焊材料层和具有双层结构的插入层的插入层中的任何一种，该插入层包括第一插入层，该第一插入层包括钎焊材料层或高熔点 在陶瓷基板上形成金属化层和熔点为1000℃以下，且从基板侧依次含有Ni，Fe或Cu作为主要成分的第二中间层， 包括铜作为主要成分，其在纵向和横向方向上比插入层短至少0.05mm，形成在中间层上以制备铜电路连接板。 铜电路连接板可以包括其上具有包含Ni作为主要成分的外层的基板。 将半导体元件安装在铜电路连接板上以制备半导体器件。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1019990037503A
公开(公告)日：1999-05-25
申请号：KR1019980046015
申请日：1998-10-30
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C04B35/581
Abstract: 질화알루미늄소결체는 질화알루미늄을 주성분으로 하고, 칼슘화합물, 이테르븀화합물 및 네오디뮴화합물을 함유한다. 상기 칼슘-이테르븀-네오디뮴의 3원계 소결조제를 이용함으로써, 원료분말의 성형체를 탈지후 균열없이 저온에서 소결하여 질화알루미늄소결체를 얻을 수 있고, 이 질화알루미늄소결체는 색, 강도 및 열전도율의 균일성을 지닌다. 또, 상기 질화알루미늄소결체는, W 및/또는 Mo의 고융점금속화층을 형성함으로써 전자부품용의 저렴하고, 고품질의 금속화기판을 제공할 수 있다. 또, 질화알루미늄소결체위에, Zn 및 Cu의 각 산화물을 함유하는 Ag금속화층 또는 B, Pb, Cr 및 Ca의 각 산화물을 함유하는 Ag-Pd금속화층과, 필요시 절연성의 유리층을 또 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100309366B1
公开(公告)日：2001-12-17
申请号：KR1019970055573
申请日：1997-10-28
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: G03G15/20
Abstract: 본 발명은, 가열정착장치에 관하여, 보다 특정적으로는 가공롤러에 의한 가압과 내열성필름을 개재한 세라믹스히터에 의한 가열에 의해서, 내열성필름과 가압 롤러와의 사이에 끼워져서 이동하는 종이등의 전사재의 표면위에 형성된 토우너화상을 정착시키는 가열정착장치에 관한 것으로서, 단열효율을 개선한 세라믹스히터와 스테이와의 장착구조를 제공하므로써, 가열정착장치의 소비전력의 저감을 도모하는 것을 과제로한 것이며, 그 해결수단으로서, 가열정착장치에 있어서 스테이(6)와 세라믹스히터(10)와의 사이에 단열층(11)을 형성하고, 단열층(11)의 열전도율이 스테이의 열전도율보다도 낮은 것을 특징으로 한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019980033231A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019970055573
申请日：1997-10-28
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: G03G15/20
Abstract: 본 발명은, 가열정착장치에 관하여, 보다 특정적으로는 가공롤러에 의한 가압과 내열성필름을 개재한 세라믹스히터에 의한 가열에 의해서, 내열성필름과 가압롤러와의 사이에 끼워져서 이동하는 종이 등의 전사재의 표면위에 형성된 토우너화상을 정착시키는 가열정착장치에 관한 것으로서, 단열효율을 개선한 세라믹스히터와 스테이와의 장착구조를 제공함으로써, 가열정착장치의 소비전력의 저감을 도모하는 것을 과제로 한 것이며, 그 해결수단으로서, 가열정착장치에 있어서 스테이(6)와 세라믹스히터(10)와의 사이에 단열층(11)을 형성하고, 단열층(11)의 열전도율이 스테이의 열전도율보다도 낮은 것을 특징으로 한 것이다.
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公开(公告)号：KR101184142B1
公开(公告)日：2012-09-18
申请号：KR1020090006529
申请日：2009-01-28
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 본 발명은 웨이퍼를 균일하게 가열할 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼 유지체의 파손을 방지할 수 있고, 신뢰성이 높은 웨이퍼 유지체의 지지 구조를 제공하는 것을 과제로 한다.
세라믹스 소결체의 웨이퍼 유지체(1)와, 웨이퍼 유지체(1)를 지지하는 통 형상 세라믹 지지 부재(4)가 복수의 금속 볼트(2)에 의해 결합되어 있고, 금속 볼트(2)의 일단이 웨이퍼 유지체(1)에 나사 결합되며, 금속 볼트(2)의 일부에 회전을 방지하는 플랜지(2a)가 형성되고, 플랜지(2a)를 웨이퍼 유지체(1)와의 사이에서 끼워 고정하는 고정용 부품(3)이 웨이퍼 유지체(1)에 고정되어 있다. 금속 볼트(2)의 타단은, 통 형상 세라믹 지지 부재(4)에 형성한 플랜지부(4a)의 관통 구멍(4b)에 삽입되고, 금속 너트(5, 6)가 나사 결합됨으로써, 통 형상 세라믹 지지 부재(4)가 웨이퍼 유지체(1)에 고정되어 있다.-
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公开(公告)号：KR1020090083864A
公开(公告)日：2009-08-04
申请号：KR1020090006529
申请日：2009-01-28
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68785 , H01L21/68757
Abstract: A supporting structure of wafer retaining body is provided to increase the reliability of the supporting structure of the wafer retaining body by reducing the stress around the supporting part of the wafer retaining body. An electric circuit is formed in inside or the surface of the ceramics sintered body. A ceramic supporting member(4) of cylindrical form supporting a wafer retaining body(1) is combined with a plurality of metal bolts(2). One end of the metal bolt is screwed with the female screw which is formed in the wafer retaining body. A flange(2a) for preventing the rotation is formed in a part of the metal bolt. A fixing device(3) which fixedly inserts the flange is fixed to the wafer retaining body. The other end of the metal bolt is inserted into a penetration hole of flange part(4a) formed on one end of the ceramic supporting member of cylindrical form. The ceramic supporting member of cylindrical form is fixed to the wafer retaining body.
Abstract translation: 提供晶片保持体的支撑结构，以通过减小晶片保持体的支撑部分周围的应力来增加晶片保持体的支撑结构的可靠性。 在陶瓷烧结体的内部或表面形成电路。 支撑晶片保持体（1）的圆柱形陶瓷支撑构件（4）与多个金属螺栓（2）组合。 金属螺栓的一端与形成在晶片保持体中的内螺纹螺纹连接。 用于防止旋转的凸缘（2a）形成在金属螺栓的一部分中。 固定插入法兰的固定装置（3）固定在晶片保持体上。 金属螺栓的另一端插入到形成在圆柱形陶瓷支撑构件的一端上的凸缘部分（4a）的穿透孔中。 圆柱形陶瓷支撑件固定在晶片保持体上。
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公开(公告)号：KR1020060028820A
公开(公告)日：2006-04-03
申请号：KR1020067003232
申请日：2004-08-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68792 , H01L21/67103
Abstract: An object of the invention is to suppress thermal stress breakage of a substrate holding platform in a substrate holding structure for holding a processing subject substrate. In a board holding structure provided with a board holding platform at the front end of a pillar, a joining section between the pillar and the substrate holding platform is formed with a flange defined by the inner and outer peripheral surfaces, in which case the inner peripheral surface is formed of an inclined surface in which the inner diameter of the flange continuously increases toward the lower surface of the substrate holding platform. Further, the lower surface of the substrate holding platform to which the flange is joined is formed with a U-shaped groove corresponding to the outer peripheral surface of the flange.
Abstract translation: 本发明的目的是抑制用于保持处理对象衬底的衬底保持结构中的衬底保持平台的热应力断裂。 在支柱前端设置有板保持平台的板保持结构中，柱与基板保持平台之间的接合部形成有由内周面和外周面限定的凸缘，在这种情况下，内周 表面由倾斜表面形成，其中凸缘的内径朝向基板保持平台的下表面连续增大。 此外，与凸缘接合的基板保持平台的下表面形成有与凸缘的外周面相对应的U形槽。
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公开(公告)号：KR100796051B1
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：KR1020067003232
申请日：2004-08-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68792 , H01L21/67103
Abstract: 본 발명은, 피처리 기판을 유지하는 기판 유지구조물에 있어서, 기판 유지대의 열응력에 의한 파손을 억제하는 것을 목적으로 하고 있다. 지주 선단부에 기판 유지대를 설치한 기판 유지구조물에 있어서, 상기 지주와 상기 기판 유지대와의 접합부에, 안둘레면과 바깥둘레면으로 구획형성된 플랜지부를 형성하고, 그 때, 상기 안둘레면을, 상기 기판 유지대의 아랫면을 향하여 상기 플랜지부의 안지름이 연속적으로 증대하는 경사면에 의해 형성하고, 계속해서 상기 플랜지부가 결합하는 상기 기판 유지대의 아랫면에, 상기 플랜지부의 바깥둘레면에 대응하여 U자형 홈을 형성한다.
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公开(公告)号：KR100433743B1
公开(公告)日：2004-06-04
申请号：KR1020027009302
申请日：2001-01-19
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: G02B6/12
Abstract: 본 발명은 광 도파로 소자(2)를 가열하기 위한 히터 모듈(30)로, 통전에 의해 발열하는 발열 회로(42)와 발열 회로에 적층된 AlN 세라믹스층(44)을 갖는 세라믹스 히터(40)를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
Abstract translation: 用于加热光波导装置（2）的加热器模块（30）具有陶瓷加热器（40），陶瓷加热器（40）具有适于在通电时产生热量的加热电路（42）和堆叠在加热电路上的AlN陶瓷层（44） 。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020020070489A
公开(公告)日：2002-09-09
申请号：KR1020027009302
申请日：2001-01-19
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: G02B6/12
Abstract: 본 발명은 광 도파로 소자(2)를 가열하기 위한 히터 모듈(30)로, 통전에 의해 발열하는 발열 회로(42)와 발열 회로에 적층된 AlN 세라믹스층(44)을 갖는 세라믹스 히터(40)를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
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