公开(公告)号：WO2016085155A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：PCT/KR2015/012037

申请日：2015-11-10

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 김창구 ,  조성운 ,  김준현

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/3081

Abstract: 실리콘 기판의 원하는 부분을 식각하는 실리콘 기판 식각방법에 있어서, 본 발명의 실리콘 기판 식각방법은 실리콘 기판 상에 식각 마스크를 형성하는 단계; 할로겐 기초가스, 불화탄소 가스 및 산소를 포함하는 제1 가스를 준비하는 단계; 및 상기 제1 가스를 상기 기판 상에 플라즈마 처리하여 상기 기판을 식각하는 단계;를 포함할 수 있다.

Abstract translation: 本发明的硅衬底蚀刻方法可以使硅衬底的所需部分被蚀刻，包括以下步骤：在硅衬底上形成蚀刻掩模; 制备包含卤素基础气体，氟化碳气体和氧气的第一气体; 以及通过对所述衬底上的所述第一气体进行等离子体处理来蚀刻所述衬底。

公开(公告)号：KR101930640B1

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：KR1020170100465

申请日：2017-08-08

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 김창구 ,  김준현

IPC: H01L31/0236 ,  G02B5/02 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 저반사 구조물이 개시된다. 저반사 구조물은 베이스 플레이트 및 베이스 플레이트의 제1 면으로부터 경사지게 돌출되고 서로 이격된 복수의 경사 로드(rod)들을 구비한다. 이러한 저반사 구조물은 입사광의 경로를 증가시켜 반사되는 광량을 감소시킬 수 있고, 태양전지나 광학 필름 등에 적용될 수 있다.

公开(公告)号：KR101924261B1

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：KR1020160110463

申请日：2016-08-30

Applicant: 아주대학교산학협력단 ,  스마트전자 주식회사

Inventor： 김창구 ,  이혜민 ,  강두원 ,  김현창

IPC: H01T4/12 ,  H01T4/04 ,  H01T21/00 ,  H01C1/024

Abstract: 서지흡수장치및 이의제조방법에서, 서지흡수장치는내부에관통홀이형성되고, 관통홀이관통하는방향으로마주하는제1 단부면과제2 단부면각각에제1 도금층과제2 도금층이형성된세라믹튜브, 세라믹튜브의내부에배치된서지흡수소자, 세라믹튜브의제1 단부를폐쇄하면서서지흡수소자와접촉하는제1 전극체와, 제1 전극체상에형성되고제1 전극체와제1 도금층사이에개재되어제1 도금층과용융접합된제1 접합금속층을포함하는제1 밀봉전극, 및세라믹튜브의제2 단부를폐쇄하면서서지흡수소자와접촉하는제2 전극체와, 제2 전극체상에형성되고제2 전극체와제2 도금층사이에개재되어제2 도금층과용융접합된제2 접합금속층을포함하는제2 밀봉전극을갖는다.

公开(公告)号：KR101733912B1

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：KR1020160029287

申请日：2016-03-11

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 김창구 ,  이혜민 ,  정경화 ,  김상욱

IPC: C01G31/00 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525 ,  H01G11/10

Abstract: 전이금속질화물의제조방법이개시된다. 전이금속질화물제조방법은전이금속전구체물질이용해된제1 용액및 질소전구체물질과계면활성제가용해된제2 용액을혼합한후 이를열처리함으로써전이금속질화물을제조할수 있다. 이러한방법에따른면전이금속질화물을간단한공정을통해단시간에제조할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种制造过渡金属氮化物的方法。 过渡金属氮化物的制造方法是，然后混合与第一溶液和所述氮前体材料和所用的活性剂可以溶解通过热处理它们以制备过渡金属氮化物表面上的过渡金属前体材料的第二溶液。 根据该方法的金属氮化物可以通过简单的工艺在短时间内生产。

公开(公告)号：KR101601454B1

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：KR1020140094858

申请日：2014-07-25

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 김창구 ,  이혜민 ,  정경화 ,  이희웅 ,  김상욱

IPC: B01J35/10 ,  B01J37/08 ,  B01J20/02 ,  B01J20/30 ,  B82B3/00 ,  C01G25/02 ,  C01B33/113 ,  C01B31/04 ,  C01G41/02

Abstract: 2차원템플레이트, 이의제조방법, 다공성나노시트, 이의제조방법및 전극구조체에서, 2차원템플레이트는 2차원탄소층및 2차원탄소층상에형성되고, 지르코늄(Zr) 및실리콘(Si)을포함하는 2원계복합산화물로이루어진다공성층을포함한다.

公开(公告)号：KR101562134B1

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：KR1020140073448

申请日：2014-06-17

Applicant: 스마트전자 주식회사 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 김창구 ,  조성운 ,  김준현 ,  강두원 ,  김현창 ,  백창용

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/02

CPC classification number: C23C16/0254 ,  C23C16/407

Abstract: 본발명은세라믹기판상에산화주석박막을형성하는방법에관한것으로, 더욱상세하게는산화주석박막의결합력, 밀도를높임으로써, 표면저항, 전기전도도등과전기적특성을향상시킬수 있는세라믹기판상에산화주석박막을형성하는방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种在陶瓷基板上形成氧化锡薄膜的方法，更具体地说，涉及在陶瓷基板上形成氧化锡薄膜的方法，其可以改善电特性如表面电阻和电 通过增加氧化锡薄膜的结合力和密度来提高导电性。

公开(公告)号：KR101539172B1

公开(公告)日：2015-07-24

申请号：KR1020140006517

申请日：2014-01-20

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 김창구 ,  조성운

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 본발명은, 피식각층상에홀 패턴을가지는마스크층을형성하는단계; 상기마스크층의상부면및 상기홀의벽면에제공층을형성하는단계; 및플라즈마식각을통해상기피식각층을식각하는단계를포함하고, 상기제공층은상기플라즈마식각에의해스퍼터되는물질로이뤄지는, 피식각층을식각하는방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及使用等离子体蚀刻和锥形纳米结构制造锥形纳米结构的方法。 使用等离子体蚀刻制造锥形纳米结构的方法包括以下步骤：在蚀刻层上形成具有孔图案的掩模层; 在所述孔的壁面和所述掩模层的上表面上形成氟碳膜的供给层; 以及通过等离子体蚀刻工艺对蚀刻层进行蚀刻处理。 提供层由等离子体蚀刻工艺溅射的物质组成。

公开(公告)号：KR1020150068737A

公开(公告)日：2015-06-22

申请号：KR1020130154754

申请日：2013-12-12

Applicant: 에쓰대시오일 주식회사 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 송찬주 ,  강흥중 ,  권범진 ,  김창구 ,  이혜민

IPC: H01G11/22

CPC classification number: Y02E60/13 ,  H01G11/22

Abstract: 본발명은다성분계금속산화물을포함하는전극물질이전착된커패시터용전극및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의여러구현예에따르면, 다성분계금속산화물을전극물질로사용함으로서종래고가의단일성분으로구성된금속산화물슈퍼커패시터를대체할수 있는전극의개발이가능하고, 종래도전제와바인더를사용하여전극을제조하는방법에서벗어나전극을그대로사용할수 있기때문에공정의단계를개선함과동시에공정비용을감소시키는효과를달성할수 있을뿐만아니라, 본발명의제조방법을이용하여니켈, 코발트, 망간으로이루어진삼성분계금속산화물이외에도슈퍼커패시터후보물질인다른금속산화물을전착시킬수 있으므로리튬이온이차전지의전극개발에도유용하게이용될수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种沉积有含有多元素金属氧化物的电极材料的超级电容器电极及其制造方法。 根据本发明的实施例，可以通过使用多元素金属氧化物作为电极材料来进行由昂贵的单一元件制成的金属氧化物超级电容器的电极的开发。 可以通过使用本发明的电极而不是使用现有的导体和粘合剂制造电极的方法来改进工艺步骤。 同时，可以降低工艺成本。 而且，除了由Ni，Co，Mn制成的三元系金属氧化物之外，可以将锂离子二次电池用电极的沉积作为超电容器候补金属氧化物，因此可以应用于本发明的防止发明。 本发明的制造方法。

公开(公告)号：KR101509529B1

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：KR1020130090733

申请日：2013-07-31

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 조성운 ,  김창구

IPC: C23C18/22 ,  C23C18/31 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23F1/12 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0044 ,  B22F9/02 ,  B22F2001/0037 ,  B22F2304/05 ,  B81C1/00492 ,  B81C2201/0187 ,  B81C2201/034 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1657 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/405 ,  C23F4/00 ,  H01J2237/0203 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/288 ,  Y10T29/49982

Abstract: 본발명은 3차원형태의구리나노구조물형성방법에관한것으로, 본발명은, SiO마스크를포함하는구조로시편을제작하는단계; 상기시편에 3차원식각구조물층을형성하기위해다방향경사플라즈마식각을수행하는단계; 상기다방향경사플라즈마식각부위에금속이충진되도록도금하는단계; 상기금속에서과도금된부분과상기 SiO마스크를제거하는단계; 및상기시편표면에서 3차원식각구조물층인금속을제외한부분을제거하는단계를포함한다. 본발명에의하면, 기존의집속이온빔식각법(focused ion beam etching, FIBE)에의해제작된구리나노구조물제작법의한계를극복하기위하여고밀도플라즈마를사용하여파라데이상자에배치된대면적시편에다방향경사플라즈마식각을진행한후, 식각된시편틈에구리막을형성하고, 과도금된구리막과 SiO마스크를제거함으로써균일한배열(array)의구리나노구조물을형성할수 있으며, 구리나노구조물의직경을임의로조절할수 있으므로높은응용가능성을구현할수 있는효과가있다.

公开(公告)号：KR101501338B1

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：KR1020130012174

申请日：2013-02-04

Applicant: 스마트전자 주식회사 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 정종일 ,  강두원 ,  안규진 ,  진상준 ,  김현창 ,  이경미 ,  백창용 ,  우창수 ,  강태헌 ,  김창구 ,  조성운 ,  김준현

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/44

Abstract: 본 발명은 서지흡수기 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저압 화학기상증착 방식으로 전도성 박막이 형성되기 때문에 고순도의 박막을 형성할 수 있고, 반응기 내의 압력, 증착온도, 유량비 및 증착시간 등의 조건에 있어서 임계적 의의가 인정되는 각 수치범위를 제시함으로써, 서지 흡수기의 응답속도를 극대화할 수 있고, 공정 효율을 향상시킬 수 있는 서지흡수기 제조방법에 관한 것이다.